一种二维纳米片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种二维纳米片的制备方法，涉及纳米材料技术领域。本发明专利技术所述二维纳米片的制备方法包括如下步骤：(1)在惰性气体中煅烧二维纳米材料，煅烧条件为：850～900℃，1.5～2.5h；(2)取煅烧后的二维纳米材料进行等离子溅射处理得到羟基化的二维纳米材料；(3)将羟基化的二维纳米材料加入溶剂中，然后以细胞超声粉碎仪进行处理；(4)取上清液进行抽滤，干燥，得到所述二维纳米片。本发明专利技术所述二维纳米片的制备方法简单高效，并且制备的纳米片的结构不会受到破坏。构不会受到破坏。构不会受到破坏。

【技术实现步骤摘要】
一种二维纳米片的制备方法


[0001]本专利技术涉及纳米材料
，尤其涉及一种二维纳米片的制备方法。

技术介绍

[0002]在过去的几十年里，二维纳米材料因其有优异的光、电、磁、热等性质得到了广泛的关注，目前国内外有许多文献报道了二维纳米材料在催化、储能、导热、金属腐蚀防护等领域具有巨大的应用潜力。石墨烯(G)、氮化硼(h
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BN)、黑磷(BP)、二硫化钼(MoS2)、硼等许多二维纳米材料都可以将其从层状堆叠的结构剥离成超薄的二维纳米片状结构，并且在剥离的过程当中，二维纳米材料的物理性质会发生很大的变化。为了充分发挥二维纳米材料的优良特性，发展基于单层或薄层二维纳米材料的电子器件，以及利用二维纳米材料构建具有新结构和新功能的三维宏观体材料，拓展和扩大二维纳米材料的应用领域，最根本的问题就是要解决二维纳米材料的规模化可控制备。
[0003]自从单层石墨烯在2004年通过胶带撕拉法被制造出来，受此启发，许多科研人员开发了许多生产二维纳米片的方法：如离子交换剥离法、氧化还原法、剪切剥离法，水热剥离法等等。上述这些方法虽然本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二维纳米片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在惰性气体中煅烧二维材料，煅烧条件为：850～900℃，1.5～2.5h；(2)取煅烧后的二维材料进行等离子溅射处理得到羟基化的二维材料；(3)将羟基化的二维材料加入溶剂中，然后以细胞超声粉碎仪进行处理；(4)离心、取上清液进行抽滤，干燥，得到所述二维纳米片。2.如权利要求1所述的二维纳米片的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，惰性气体的气流量为80～150sccm。3.如权利要求1所述的二维纳米片的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，以空气等离子体溅射至少30min。4.如权利要求1所述的二维纳米片的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，溶剂包含N,N
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二甲基甲酰胺、N
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【专利技术属性】
技术研发人员：顾林，孙九龙，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：