温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种二维纳米片的制备方法，涉及纳米材料技术领域。本发明所述二维纳米片的制备方法包括如下步骤：(1)在惰性气体中煅烧二维纳米材料，煅烧条件为：850～900℃，1.5～2.5h；(2)取煅烧后的二维纳米材料进行等离子溅射处理得到羟...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。