一种单面抛光晶片背面打字、蚀刻工艺制造技术

技术编号:30764734 阅读:48 留言:0更新日期:2021-11-10 12:21
本发明专利技术公开了一种单面抛光晶片背面打字、蚀刻工艺,具体包括以下步骤,步骤一、晶片的初次蚀刻,初次蚀刻量设定为总蚀刻量的二分之一;步骤二、晶片的打字作业,待加工的晶片送到打字工站,按照设计的打字标识进行打字作业;步骤三、晶片的二次蚀刻,打字结束的晶片重新送回研磨工站,进行第二次蚀刻,且第二次蚀刻量设定为总蚀刻量的二分之一。本发明专利技术构思巧妙,将研磨的蚀刻作业拆分为两步,消除打字后字沟边缘的隆起,有效的保证了单面抛光晶片蚀刻后背面的表面质量,光滑平整,对于下一步抛光作业时的吸附垫形成保护,有效提高生产效率,降低了维修投入成本,并降低了因返修导致的晶片厚度低于规格下限的风险。的晶片厚度低于规格下限的风险。的晶片厚度低于规格下限的风险。

【技术实现步骤摘要】
一种单面抛光晶片背面打字、蚀刻工艺


[0001]本专利技术涉及晶片加工
,尤其涉及一种单面抛光晶片背面打字、蚀刻工艺。

技术介绍

[0002]为了给予半导体晶片可追溯的身份标识,晶片在加工过程中需要在打字工站在晶片的指定位置进行打字。打字原理为使用激光在晶片表面进行打点,用点阵方式形成字母、数字或符号,并组成字符串。在打点过程中产生的飞溅物容易在打点边缘位置聚集,从而形成隆起。双面抛光晶片或单面抛光晶片主面打字后,因打字的面还需要经过抛光流程,所以隆起的部分会在后续加工过程中消除,然而单面抛光晶片背打字时,因该面后续不会经过抛光工站加工处理,所以隆起部分一直存在,在精抛进行加工时,隆起部分会与吸附垫产生摩擦,从而破坏吸附垫的表面状态,当再次抛光晶片时,被擦伤的吸附垫反过来会擦伤单面晶片背面,从而造成环状背侵缺陷。
[0003]针对该问题,常规处理方法为:其一,在发现吸附垫被擦伤后,更换新的吸附垫,但是更换频次高,成本增加,且生产效率降低;其二,已产生环状背侵缺陷的产品返研磨返工处理,并使用新吸附垫加工精抛,复工作业延长了单个晶片的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单面抛光晶片背面打字、蚀刻工艺,其特征在于:具体包括以下步骤,步骤一、晶片的初次蚀刻,研磨工站将晶片研磨后送到蚀刻工位,将单面抛光晶片放置到蚀刻设备的工作台上,初次蚀刻量设定为总蚀刻量的二分之一;步骤二、晶片的打字作业,待加工的晶片送到打字工站,在单面抛光晶片(1)的背面指定位置且按照设计的打字标识(2)进行打字作业;步骤三、晶片的二次蚀刻,打字结束的晶片重新送回研磨工站,将单面抛光晶片放置到蚀刻设备的工作台上,进行第二次蚀刻,且第二次蚀刻量设定为总蚀刻量的二分之一。2.根据权利要求1所述的单面抛光晶片背面打字、蚀刻工艺,其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:古新远赵波刘宏伟高伟
申请(专利权)人:保定通美晶体制造有限责任公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1