遮光结构、图像传感器及图像传感器的制备方法技术

本发明专利技术提供一种遮光结构、图像传感器及图像传感器的制备方法。本发明专利技术提供了一种图像传感器，包括：衬底；光电二极管，所述光电二极管位于所述衬底内部；介质层，所述介质层位于所述衬底内部并将所述光电二极管相隔开；存储器，所述存储器位于所述光电二极管之间；遮光结构，所述遮光结构包括位于光电二极管间纵向的反光板以及位于光电二极管上方横向的遮光板。本发明专利技术利用横向的遮光板阻止正入射及小角度入射光，利用纵向的反光板反射较大角度的斜入射光，由此来消除寄生光效应，降低图像传感器中寄生光对存储器的影响；反射回去的光可以被光电二极管吸收，从而进一步提高光电二极管的灵敏度。的灵敏度。的灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
遮光结构、图像传感器及图像传感器的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种遮光结构、图像传感器及图像传感器的制备方法。

技术介绍

[0002]带存储器(MEM)结构的全局快门图像传感器在时域噪声方面比之前GS
‑
CIS具有优势，而为了提高光电二极管的填充系数，可以采用背照式互补金属氧化物半导体(BSI)的方式，然而电荷域全局快门以背照式互补金属氧化物半导体方式工作时，由于其背面的遮光板和下方的存储器的距离较远，因此大角度的光线容易在存储器中产生寄生光电荷。在背光的GS
‑
CIS中，有必要在存储器上实现光屏蔽结构，以抑制寄生光对按列顺序读取信号的影响，解决寄生光灵敏度(PLS)的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题是降低图像传感器中寄生光对存储器的影响，提供一种遮光结构、图像传感器及图像传感器的制备方法。
[0004]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种遮光结构，所述遮光结构应用于图像传感器中，包括纵向的反光板和横向的遮光板。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种遮光结构，所述遮光结构应用于图像传感器中，其特征在于，包括纵向的反光板和横向的遮光板。2.根据权利要求1中所述的遮光结构，其特征在于，所述遮光结构的反光板和遮光板均采用金属材料。3.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器采用遮光结构，包括：衬底；光电二极管，所述光电二极管位于所述衬底内部；介质层，所述介质层位于所述衬底内部并将所述光电二极管相隔开；存储器，所述存储器位于所述光电二极管之间；遮光结构，所述遮光结构包括位于光电二极管间纵向的反光板以及位于光电二极管上方横向的遮光板。4.根据权利要求3中所述的图像传感器，其特征在于，所述反光板与所述存储器不接触。5.根据权利要求3中所述的图像传感器，其特征在于，所述遮光结构的反光板和遮光板均采用金属材料。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：方欣欣，
申请(专利权)人：联合微电子中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：