磁光记录设备及其励磁电路制造技术

备有磁场调制器（８）的磁光记录设备，磁场调制器（８）包括用于产生磁场的磁场线圈（１８）以及用于把磁场线圈（１８）的至少一个端子接到处于第一电位（Ｖｐ）的第一电位点（１０）或处于第二电位（Ｖ）的第二电位点（１４）、以便在该磁场线圈中产生其极性随控制信号（Ｖ）的逻辑值而定的交流电流的各开关装置（１１、１２、１５、１６、２２）。把磁场线圈（１８）装成并联谐振电路（１８，２１）。所述开关装置包括阻断装置（１２、１６）该磁场调制器提供流过磁场线圈的、非常迅速反向的电流。（*该技术在2008年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于把信息信号录制在磁光信号记录盘上的磁光记录设备，该记录设备包括用于在该信号记录盘中产生磁场的磁场线圈，用于激励该磁场线圈的励磁电路以及用于依靠信息信号而控制该励磁电路、以便和该信息信号一致地调制所产生的磁场的控制电路。本专利技术还涉及用于这种磁光记录设备中的励磁电路。直到现在为止，用磁-光材料的录制技术;习惯上一直是在录制之前按特定方向对该磁-光材料进行磁化，接着，在记录期间使该材料暴露于其方向与先前所加的磁化方向相反的磁场中，同时，利用强度调制的激光束把该材料局部加热到居里点，以产生由与调制图案相对应的、具有与周围区域不同的磁化方向的磁畴所组成的图案。这种方法的缺点是在进行新的录制之前，必须把先前的录制部分抹掉。<PhilipsTechnicalReview>第42卷第二期(1985年8月出版，第41页)公开了一种可减轻这种缺陷的录制技术。在该录制技术中是对磁场进行调制而不是对激光进行调制的。但是，因为一直没有为对该磁场线圈进行励磁的电路找到满意的解决办法，所以，这种利用磁场调制的录制技术未在实践中使用。此外，所遇到的问题由于强的磁场(近于200-300奥斯特)的结果，贮存在磁场中的能量如此大，以致只能通过在该磁场线圈两端施加高的电压差值才能足够迅速地使磁场线圈的磁场反向，原则上，这可用具有高输出电压(近于100V.)的电压源来实现。此外，可以经由一串联电阻对该线圈进行励磁，以限制其稳态电流。因此，在传统的磁光记录设备中(其中，其余的电子电路工作在5至15V的电压下)，这意味着必须使用另外一个100伏的电源，这使利用调制后的磁场来进行磁光记录的技术不太实用，并且，使用一串电阻具有这样的缺点，即，在该串联电阻上要耗散相当多的热量(近于10瓦)。本专利技术的目的是要提供一种需要相当低的电源电压，并且，其励磁电路具有极小耗散的磁光记录设备。根据本专利技术，达到这个目的原因是把磁场线圈装成并联谐振电路;励磁电路包括由控制电路控制的各开关，所述控制电路用于交替地使第一和第二电流通路导通，以便经由所述电流通路交替地以正的和负的电流激励所述磁场;以及电流阻断装置，该装置用于在两个电流通路之一中断之后，在大体上相当于所述谐振电路的半个谐振周期的时间间隔中，阻止经由另一电流通路向该磁场线圈供电。由于把磁场线圈装成谐振电路，因此，在电流通路阻断以后，将在该谐振电路中产生一种振荡，以致流过该磁场线圈的电流成为正弦形。然后，使电流反向。该电流在半个谐振周期以后达到极限值，该电流的绝对值基本上等于在所述端子不接通瞬间的电流绝对值，但其符号却与该不接通瞬间的电流符号相反。通过在达到该极限电流值的瞬间，经由另一电流通路激励磁场线圈，能够使该电流保持在所述极限值上。由于为了保持此电流值，只需补偿该磁场线圈的电阻两端的电压降，而该线圈两端的电压只需很少几伏，所以，能使用其它电子电路所需要低压电源作为该磁场调制器的电源。磁光记录设备的实施例的特征在于电流阻断装置包括设置在电流通路中的整流元件。该实施例有利地利用了以下事实当电流达到极限值时，该线圈两端的电压就反相，同时利用各整流元件，在半个谐振周期内，自动阻断经由另一电流通路的电流。另一个很适用于录制无直流的编码信号的磁光记录设备的实施例的特征在于把包含所述并联谐振电路的高通滤波器安排成各电流通路的共用部分;所述电流通路中的第一通路在导通时能够把所述共用部分连接到直流电源上;所述电流通路中的第二通路在导通时能够把所述共用部分短路。该实施例基于对以下事实的认识，即，在使用无直流的信息信号的情况下，高通滤波器在电源电路中的使用，对于由该励磁电流所产生的磁场强度是无影响的，因此，就有可能用单一电源来激励该磁场线圈。本专利技术的另外一个实施例的特征在于各开关都是FET型晶体管。这个实施例的优点是所用的开关能够在所述电流通路断开(不接通)时经受住在该开关两端所产生的高反向电压，因此，能够获得很短的开关转换时间。此外，对于所需电流量达1安培的磁光记录设备来说，FET晶体管的开关转换时间显著地短于既能工作于反向高压又能工作在所需大电流情况下的双极性晶体管的开关转换时间。如果利用由FET晶体管组成的电桥来激励该磁场线圈，则该主要的反向电压在两个晶体管之间分压，这就使该电路更加不会受这些反向电压的影响了。在传统的FET晶体管中，P型沟道FET中的热耗散显著地高于n型沟道FET中的热耗散，因此，最好使用包括同型沟道的FET晶体管的励磁电路。一种包括可满足所述需要的励磁电路的磁光记录设备的实施例的特征在于其励磁电路包括准备接到直流电源的串联装置，该串联装置依次包括第一整流元件、第一FET晶体管、第二整流元件以及具有与第一FET晶体管同型沟道的FET晶体管;将所述高通滤波器连接到第一整流元件和第一FET晶体管之间的连接点和第二整流元件和第二FET晶体管之间的连接点上;该励磁电路还包括用于把第一FET晶体管和第二整流元件间的连接点接到固定电位点上的阻抗。现将通过举例、参考附附图说明图1至7对本专利技术的若干实施例进行详细描述，其中图1示出按照本专利技术的磁光记录设备的一个实施例;图2、4、5、6和7示出用于本专利技术的磁光记录设备中的磁场调制器;图3示出在该磁场调制器中的若干信号波形。图1示出按照本专利技术的磁光记录设备的一个实施例。信号记录盘4是由驱动装置所转动的，该驱动装置包括转盘2和电动机3。信号记录盘4备有由通常类型的磁-光材料制成的记录层5。利用光记录头6使例如激光束的射束7对准记录层5。于是，将该磁-光材料加热到近于居里点。利用磁场调制器8、把该磁-光材料加热部分暴露于具有适当强度的磁场下，以便以随磁场强度的方向而定的方向将该加热部分磁化。该磁性在冷却后仍继续存在着。磁场调制器8依照由例如EFM编码器的编码电路9从信息信号Vi所衍生的控制信号Vs，对该磁场强度进行调制。因此，就在记录层5中形成代表该信息信号的由磁畴组成的图案。图2示出磁场调制器的实施例。在处于正电位Vp的端子10与节点13之间设置由电子开关11与二极管12组成的串联装置。在处于与Vp相反的电位Vn的端子14与节点13之间连接有由电子开关15与二极管16组合的串联装置。节点13接到用于产生磁场的磁场线圈18的两端之一(17)上。磁场线圈18的另一端接到地电位端子20上。电容21与磁场线圈18并联设置。磁场线圈18与电容21一起构成并联谐振电路。以这样的方式选择电容21的电容量，即，使所述选谐振电路的谐振周期小于磁场线圈反向所需的最大容许开关转换时间。在用于记录标准EFM信号的设备中，1nF的电容量同5μH的电感相配合是合适的。控制电路22从控制信号Vs衍生出用于电子开关11和15的控制信号。表1给出开关11和15的各状态和控制信号Vs的各逻辑值之间的关系。表1 。在瞬间t2，二极管16导通，于是，端子17上的电位就等于负电位Vn。瞬间t2基本上处于开关11断开的瞬间t1后的半个谐振周期处。在此瞬间，电流已减小到值Im，Im的绝对值等于瞬间t1的电流的绝对值，但是其符号却与瞬间t1的电流符号相反。由于从瞬间t2起，端子17是接到带有负电位Vn的端子14的，所以，该电流保持等于Im直到瞬间t3为止，在瞬间本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于把信息信号录制在磁光信号记录盘上的磁光记录设备，该记录设备包括用于在该信号记录盘中产生磁场的磁场线圈、用于激励该磁场线圈的励磁电路以及用于依靠该信息信号而控制该励磁电路、以便和该信息信号一致地调制所产生的磁场的控制电路，其特征在于：所述磁场线圈装成一个并联谐振电路；所述励磁电路包括由用于交替地使第一和第二电流通路导通、以便经由所述电流通路交替地用正的和负的电流激励该磁场线圈的控制电路所控制的开关；以及电流阻断装置，该装置用于在两个电流通路之一中断之后，在大体上相当于所述谐振电路的半个谐振周期的时间间隔中，阻止经由另一电流通路向该磁场线圈供电。

【技术特征摘要】
NL 1987-10-14 87024511.用于把信息信号录制在磁光信号记录盘上的磁光记录设备，该记录设备包括用于在该信号记录盘中产生磁场的磁场线圈、用于激励该磁场线圈的励磁电路以及用于依靠该信息信号而控制该励磁电路、以便和该信息信号一致地调制所产生的磁场的控制电路，其特征在于所述磁场线圈装成一个并联谐振电路；所述励磁电路包括由用于交替地使第一和第二电流通路导通、以便经由所述电流通路交替地用正的和负的电流激励该磁场线圈的控制电路所控制的开关；以及电流阻断装置，该装置用于在两个电流通路之一中断之后，在大体上相当于所述谐振电路的半个谐振周期的时间间隔中，阻止经由另一电流通路向该磁场线圈供电。2.如权利要求1中所要求的磁光记录设备，其特征在于所述电流阻断装置包括设置在所述各电流通路中的整流元件。3.如权利要求1或2中所要求的磁光记录设备，其特征在于把包含所述并联谐振电路的高通滤波器安排成各电流通路的共用部分;所述电流通路中的第一通路在导通时能够把所述共用部分连接到直流电源上;所述电流通路中的第二通路在导通时能够使所述共用部分短路。4.如权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：约翰内斯利奥波迪斯巴克斯，皮特勒斯克里斯蒂安纳斯约翰纳斯霍芬，
申请(专利权)人：皇家菲利浦电子有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]