光记录介质及信息记录与重放装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种采用非晶态－晶态相变进行记录和擦除的光记录介质，其中记录膜结构的光学记录介质处于非晶态时的反射率大于记录膜结构的光学记录介质处于晶态时的反射率，或者记录膜结构的光学记录介质处于非晶态时的吸收率小于记录膜结构的光学记录介质处于晶态时的吸收率。（*该技术在2009年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种可重写的光记录介质，其中，利用光和热的方法，可以记录，重放和擦除信息;本专利技术还涉及上述光记录介质的记录、重放和擦除信息的方法以及实现该方法的装置。在一些光信息记录和重放装置中，信息的记录和擦除是根据用于照射的激光功率的变化引起的非晶态与晶态之间的相变，而导致的光记录介质的光学特性的变化(即能量反射率，下文中将称之为“反射率”)来实现的。迄今，人们已经提出了多种光信息记录和重放的方法，正如下面的一些公知的例子所说明的那样，一般的光盘其对应于记录状态的非晶态的反射率是小于对应于擦除状态的晶态的反射率的。这些公知的例子是《化学与工业》(Chemistry and Industry)，Vol.39，No.3，1986，P.174;“一种采用Te87Ge8Sn5记录材料的光盘”，载于Applied Physics Letters Vol.46(8)，1985，P.735;“一种采用TeOx·Ge或TeOx·Sn记录材料的光盘”，载于National Technical Report Vol.29，No.5，P.731;“采用Sb2Se记录材料的光盘”，载于Applied Physics Letters Vol.48(19)，1986，P.1256;“采用GeSbTe记录材料的光盘”，载于Proc.International Symposium On Optical Memory 1987，Japanese Journal of Applied Physical，Vol.26，1987，Supple26-4，P.64;“采用Te44Ge16Se10Sh28记录材料的光盘”，载于TechnicalReportofEletronicInformationCommunicationSocietyShingakuGihoVol.87，No.310CPM87-88，1987，P.26;电子信息通信协会技术报告，Vol.87，No.310，CPM87-90，1987，P.40的图5和图7;“采用SeTe-Se记录材料的光盘”，载于Proc.SPIE529，1985，P.46;“一种采用InSeTl为记录材料的光盘”，载于ApplPhysLetterVol.50，1987，P.668;“采用TeGeSn记录材料的光盘”，载于J.ApplPhys60(12)1986，P.4320。作为一个特殊的例子，即在文献FUJTSU，38，2，1987，P.144中描述了一种采用SeInSb记录材料的光盘，该光盘的记录材料在记录状态的反射率高于在擦除状态的反射率。但是这种光盘是利用了具有不同晶体结构的晶体Ⅰ与晶体Ⅱ两种晶体。下面是一些用于光盘的擦除方法的公知例子，如上文所述，这些光盘在非晶态下的反射率小于晶态下的反射率。对于Sb-Te-Ge记录材料的情况而言，在日本应用物理协会和相关协会所提供的文摘(TheJapanSocietyofAppliedPhysicsandRelatedSociety，The35thSpringMecting，1988，Page839)的第839页已有描述，其擦除是利用一种擦除光束对记录位进行辐射来实现的，该方法是要使与非晶态区域相邻的一种粗晶在该记录位中生长，从而使该非晶态区域重新结晶。也就是说，这种擦除是通过对记录位加热到一个温度，该温度下记录位尚不熔化，从而使该记录位重新结晶的方法来实现的(对此下文中将称之为“固态相变”)，但必须指出的是，这种方法尚残留有许多未完全擦除的部分。记载于日本应用物理协会和相关协会所提供的文摘中(28P-ZQ-12，1988，P.842)(The 35th Spring Meeting 1985)的SbSeTeGe记录材料的情况是利用单束光束进行重写的方法，这种重写(Overwrite)方法也归类到擦除方法中。这种擦除方法的擦除是通过在固态下使非晶态区域晶化来实现的，另外，在这种擦除方法中，其擦除率为-25dB，仍然残留一部分未完全擦除的部分(固态相变);在一种通过熔化记录位并通过在固化过程(将被称之为液相转变)中使该记录位形成结晶来实现的方法中，擦除率如图2所示为-15dB，这种方法的不完全擦除部分大于前一种固态相变的方法。记载在Technical Report of Electronic Information Communication Society，Shiugaku Giho，Vol.87，No.310，CPM87-90，1987，P.41中的Sb2(Te-Se)3-GeTe材料的情况其擦除方法是利用了固态相变，然而利用10mw激光功率的擦除率如图3所示为30dB。当激光功率为15mw或更高时，发生液相转变，其擦除率会变高，但应该指出的是，这一高的擦除率是由于未记录区域(晶态区域)被熔化，即通过15mw或更高的激光功率的辐射而熔化使之变为非晶态，而不是由于记录位被擦除。在记载于TechnicalReportofEletronicInformationCommunicationSocietyShingakuGiho，Vol.87，No.310，CPM87-88，1987，P.27中的TeGeSeSb材料情况下，得到高的擦除率，其高擦除率的取得是由于这种方法采用了双光束，即先用两个光束之一的圆形光束使记录膜熔化，然后用另一个光束进行擦除操作，如图4所示，该擦除方法包括增加激光功率(到不小于Tm(熔点))以熔化记录点，而后在冷却过程中，再用功率不小于Tx(晶化温度)不大于Tm的椭圆形光点的激光束进行辐射。这种方法的擦除率为-40dB。如上所述，当对在非晶态时的反射率小于晶态时的反射率的光盘进行擦抹时，出现的问题是在相转变和液相转变两种情况下都残留有未擦除的部分，并且不能实现高的擦除率。此外，虽然双光束可以实现高的擦除率，但这种方法要求复杂的设备，而这种复杂的设备也是个问题。已知的记录薄膜的光学特性(折射系数n和消光系数k)列于下表(见表1)。记载在J.Applied Physics 59(6)，1986，P.1819中的Te80Se10Sb16薄膜，它的namo＝4.0，kamo＝1.3，ncry＝4.6，kcry＝2.3(其中在非晶态的n和k分表1 别简写为namo和kamo，而在晶态时的n和k分别简写为ncry和kcry)，记载于Proc Int Symp on Optical Memory，1987，P.60中的GeSb2Te4薄膜的namo＝4.7，kamo＝1.3，ncry＝6.9，kcry＝2.6;记载在Proc Int Symp on Optical Memory，1987，J.JAP，Vol.26，1987，Supple.26-4，Page57的TeOx薄膜的namo＝3.8，kamo＝0.8，ncry＝5.6，kcry＝1.2以及记载在上文中的GeTe薄膜的namo＝4.4，kamo＝1.1，ncry＝5.4，kcry＝1.7;记载在No.5Applied Physics Associated Joint Lectures论文集中的(1988，28P-ZQ-5，Page840)Sb2Te3薄膜的namo＝5.0，kamo本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用非晶态－－结晶态相变进行记录和擦除的光记录介质，其中非晶态记录膜结构的光记录介质的反射率大于结晶态记录膜结构的光记录介质的反射率。

【技术特征摘要】
JP 1988-6-24 154743/881.一种采用非晶态-结晶态相变进行记录和擦除的光记录介质，其中非晶态记录膜结构的光记录介质的反射率大于结晶态记录膜结构的光记录介质的反射率。2.根据权利要求1的光记录介质，其中记录膜结构的光记录介质具有一个由激光对淀积状态记录膜的局部辐射形成的较低反射率的部分，所说的部分与一个具有较高反射率的部分相毗邻。3.根据权利要求1的光记录介质，在PA/100＝α的关系中，它满足α＝7～8，其中A(%)是淀积状态的吸收率，P(mw)是用于辐射的激光功率，α是特征系数，可根据膜结构的光学记录介质的熔点，比热和热传导率决定。4.根据权利要求1的光记录介质，其中记录膜直接或间接地形成在具有支撑性质和透光性质的基底或塑性片或带上，它还具有一种结构，可通过使用介电质膜和金属反射膜中的一个来显示光干涉效果或保护效果。5.根据权利要求1的光记录介质，它具有下面结构中的一种结构，其中光透性基片，薄片或带缩写成S，S/记录膜/介电质膜S/记录膜/金属反射膜S/记录膜/金属反射膜/介电质膜S/记录膜/介电质膜/金属反射膜S/记录膜/介电质膜/金属反射膜/介电质膜S/介电质膜/记录膜/介电质膜S/介电质膜/记录膜/金属反射膜S/介电质膜/记录膜/金属反射膜/介电质膜S/介电质膜/记录膜/介电质膜/金属反射膜S/介电质膜/记录膜/介电质膜/金属反射膜/介电质膜S/记录膜/SS/记录膜/金属反射膜/SS/记录膜/介电质膜/金属反射膜/SS/记录膜/介电质膜/金属反射膜/介电质膜/SS/介电质膜/记录膜/SS/介电质膜/记录膜/介电质膜/SS/介电质膜/记录膜/金属反射膜/SS/介电质膜/记录膜/金属反射膜介电质膜/SS/介电质膜/记录膜/介电质膜/金属反射膜/SS/介电质膜/记录膜/介电质膜/金属反射膜/介电质膜/S6.根据权利要求1的光记录介质，其中膜结构的光记录介质包括从锑、锌、锡、铅、铜、银、金、铟、锗中至少选择一种，从硫族元素中至少选择出一种构成的二元化合物。7.一种使用非晶态-结晶态相变进行记录和擦除的光记录介质，满足Ras-depc.＞Ra＞Rx关系，其中，Ras-depo.表示淀积状态下构成上述记录介质的记录膜的反射率，Ra表示非晶态下构成上述记录介质的记录膜的反射率;Rx表示结晶态下构成上述记录介质的记录膜的反射率。8.根据权利要求7的光记录介质，其中记录膜结构的光记录介质具有一个由激光对淀积状态下的记录膜局部辐射形成的较低反射率的部分，所述部分与一个具有较高反射率的部分相毗邻。9.根据权利要求7的光记录介质，在PA/100＝α的关系式中，满足α＝7～8，其中A(%)是淀积状态下的吸收率，P(mw)是用于辐射的激光功率，α是特征系数，可根据膜结构的光学记录介质的熔点，比热和热传导率来确定。10.根据权利要求7的光记录介质，其中记录膜直接或间接地形成在具有支撑性质和透光性质的基底或塑性片或带上，它还具有一种结构，可通过采用介电质膜和金属反射膜中的一个来显示光干涉效果或保护效果。11.根据权利要求7的光记录介质，它具有下列结构中的一种结构，其中光透性基底、片或带缩写为SS/记录膜/介电质膜S/记录膜/金属反射膜S/记录膜/金属反射膜/介电质膜S/记录膜/介电质膜/金属反射膜S/记录膜/介电质膜/金属反射膜/介电质膜S/介电质膜/记录膜/介电质膜S/介电质膜/记录膜/金属反射膜S/介电质膜/记录膜/金属反射膜/介电质膜S/介电质膜/记录膜/介电质膜/金属反射膜S/介电质膜/记录膜/介电质膜/金属反射膜/介电质膜S/记录膜/SS/记录膜/金属反射膜/SS/记录膜/介电质膜/金属反射膜/SS/记录膜/介电质膜/金属反射膜/介电质膜/SS/介电质膜/记录膜/SS/介电质膜/记录膜/介电质膜/SS/介电质膜/记录膜/金属反射膜/SS/介电质膜/记录膜/金属反射膜/介电质膜/SS/介电质膜/记录膜/介电质膜/金属反射膜/SS/介电质膜/记录膜/介电质膜/金属反射膜/介电质膜/S12.根据权利要求7的光记录介质，其中膜结构的光记录介质包括从锑、锌、锡、铅、铜、银、金、铟和锗中至少选出一种，从硫族元素中至少选出一种构成的二元化合物。13.一种采用非晶态一晶态相变进行记录和擦除的光记录介质，其中非晶态记录膜结构的光记录介质的吸收率小于结晶态记录膜结构的光记录介质的吸收率。14.根据权利要求13的光记录介质，其中记录膜结构的光记录介质具有一个由激光对淀积状态记录膜的局部辐射形成的较低反射率的部分，所述部分与一个具有较高反射率的部分相毗邻。15.根据权利要求13的光记录介质，在PA/100＝α关系中满足α＝7～8，其中A(%)表示淀积状态下的吸收率，P(mw)表示用于辐射的激光功率，α是特征系数，可根据膜结构的光记录介质的熔点，比热和热传导率确定。16.根据权利要求13的光记录介质，其中记录膜直接或间接地形成在具有支撑性质和透光性质的基底或塑性片或带上，它还具有一种结构，可通过使用介电质膜和金属反射膜中至少一种来显示光干涉效果或防护效果。17.根据权利要求13的光记录介质，它具有下列结构中的一种，其中光透性基底、片或带缩写为SS/记录膜/介电质膜S/记录膜/金属反射膜S/记录膜/金属反射膜/介电质膜S/记录膜/介电质膜/金属反射膜S/记录膜/介电质膜/金属反射膜/介电质膜S/介电质膜/记录膜/介电质膜S/介电质膜/记录膜/金属反射膜S/介电质膜/记录膜/金属反射膜/介电质膜S/介电质膜/记录膜/介电质膜/金属反射膜S/介电质膜/记录膜/介电质膜/金属反射膜/介电质膜S/记录膜/SS/记录膜/金属反射膜/SS/记录膜/介电质膜/金属反射膜/SS/记录膜/介电质膜/金属反射膜/介电质膜/SS/介电质膜/记录膜/SS/介电质膜/记录膜/介电质膜/SS/介电质膜/记录膜/金属反射膜/SS/介电质膜/记录膜/金属反射膜/介电质膜/SS/介电质膜/记录膜/介电质膜/金属反射膜/SS/介电质膜/记录膜/介电质膜/金属反射膜/介电质膜/S18.根据权利要求13的光记录介质，其中膜结构的光学记录介质包括从锑、锌、锡、铅、铜、银、金、铟和锗中至少选出一种，从硫族元素中至少选出一种构成的二元化合物。19.一种使用非晶态-结晶态相变进行记录和擦除的光记录介质，满足Aas-depo.＜Aa＜Ax关系，其中Aas-depo.表示淀积状态下构成上述记录介质的记录膜的吸收率，Aa表示非晶态下构成上述记录介质的记录膜的吸收率;Ax表示晶态下构成上述记录介质的记录膜的吸收率。20.根据权利要求19的光记录介质，其中记录膜结构的光记录介质具有一个由激光对淀积状态记录膜的局部辐...

【专利技术属性】
技术研发人员：前田佳均，生田勋，安藤寿，永井正一，加藤义美，佐藤美雄，坪井信义，峰邑浩行，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]