一种正硅酸乙酯用钢瓶制造技术

本发明专利技术公开了一种正硅酸乙酯用钢瓶，包括本体、水汽监测装置、套设在本体上的固定装置以及固定在本体顶端中心处的输气装置；所述水汽监测装置包括用于监测本体内水汽的水份传感器以及用于填充惰性气体的高压气体箱，所述输气装置包括用于输入气体的进气口和用于输出气体的出气口，所述高压气体箱通过管道与进气口连接；本实用通过输入惰性气体，以使产品与大气中的水份隔离，从而有效防止产品发生吸水现象，以及正硅酸乙酯有效排出；增设可拆卸的固定装置，增加了其稳定性，便于多个正硅酸乙酯用钢瓶的集体运输；增设二维码标签4可以直观的记录和读取钢瓶的使用记录。直观的记录和读取钢瓶的使用记录。直观的记录和读取钢瓶的使用记录。

【技术实现步骤摘要】
一种正硅酸乙酯用钢瓶


[0001]本技术涉及产品罐
，具体涉及一种正硅酸乙酯用钢瓶。

技术介绍

[0002]半导体工艺形成氧化层的方法主要有热氧化(针对能形成自身稳定氧化层的半导体材料)、低压化学气相淀积(LPCVD)、等离子增强化学气相淀积 (PECVD)和常压化学气相淀积(APCVD)等，其中由于APCVD要求的气流量大，且工艺产生颗粒相对较多，目前大多数半导体工艺已很少使用。
[0003]正硅酸乙酯(TEOS)用于LPCVD时，TEOS从液态蒸发成气态，在700～ 750℃、300mTOR压力下分解在硅片表面淀积生成二氧化硅薄膜，二氧化硅薄膜沉积的速率可以达到50
à
/min，薄膜的厚度均匀性小于3％，这些优良的工艺特性和其在使用安全性方面的显著特点已逐步成为沉积二氧化硅薄膜的主流工艺。
[0004]应用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技术实现二氧化硅在SiC晶片表面的淀积，可在一定程度上弥补SiC氧化层过薄和PECVD二氧化硅层过于疏松的弊端。采用TEOS LPCVD技术与高温氧化技术的合理运用，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种正硅酸乙酯用钢瓶，其特征在于：包括本体(1)、水汽监测装置、套设在本体(1)上的固定装置以及固定在本体(1)顶端中心处的输气装置；所述水汽监测装置包括用于监测本体(1)内水汽的水份传感器(7)以及用于填充惰性气体的高压气体箱(2)，所述输气装置包括用于输入气体的进气口(5)和用于输出气体的出气口(6)，所述高压气体箱(2)通过管道与进气口(5)连接。2.如权利要求1所述的一种正硅酸乙酯用钢瓶，其特征在于：所述固定装置由组成一个圆环的两个柔性钢片(3)组成，每个柔性钢片(3)的两端均设有位置对应的螺孔，螺孔上可拆卸的安装有用于圆环直径的调节螺栓。3.如权利要求2所述的一种正硅酸乙酯用钢瓶，其特征在于：每个所述柔性钢片(3)的两端均连接有相互匹配的公接头(8)和母接头(9)。4.如权利要求1所述的一种正硅酸乙酯用钢瓶，...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙猛，金向华，栗鹏伟，顾鸿宇，张红敏，
申请(专利权)人：苏州金宏气体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：