改进了巴克毫森噪声抑制性能的磁阻装置及其制造方法制造方法及图纸

能提高巴克豪森噪声抑制性能的一种改进了的磁阻装置及其制造方法。描述的一种共平面装置具有一ＭＲ结构导电区，通过为一非磁性金属或介质隔间层所分隔的两相对永磁层，给它提供纵向偏压。能在ＭＲ层与永磁层会合处邻近显著减少去磁能，尤其当采用椭圆形导电区时是如此。利用自调整工艺迅速且有重现性地制造出此大致共面式的装置。所述的纵向偏压技术能与所有周知的横向偏压技术相结合。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
一般地说，本专利技术涉及磁阻(MR)装置及其制造方法的领域。更具体地说，本专利技术涉及磁阻装置以及把它们制造成MR传感器的方法，而这种传感器显示出对巴克豪森噪声的抑制特性已有改进。磁阻传感器或磁头已知可用于从磁面读取数据，而所具的灵敏度则超过感应式或薄膜式磁头。工作中，MR传感器用来探测磁面由此MR传感器的磁阻变化而发生的、作为被传感的磁通方向与数量之函数的磁场信号变化。同时周知，为使一MR传感器有效地起作用，就必须使其在一横向偏压场作用下令其响应线性化。在已知用来实现这种横向偏压的技术中，包括有电流并联偏压与软邻膜偏压技术。这种横向偏压场是垂直地作用于磁体媒质平面并与MR传感器表面平行。业已知道，MR传感器可用来与一纵向偏压场配合，此纵向偏压场与磁体媒质的表面平行，同时与MR传感器的主轴平行。为了抑制巴克豪森噪声以便把MR传感器用于高磁道密度的磁盘文件，必须采用纵向偏压场使MR传感器稳定化，巴克豪森噪声起因于MR元件内多畴活动性之类的不稳定磁性。至于应用纵向偏压场未抑止MR传感器内巴克豪森噪声的问题，在此领域内已公开了一系列的专利，这主要是涉及到通过使用以某种方式与MR传感器相耦合的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁阻装置（１２０），它包括：一个磁阻结构（１２６），此结构具有一主轴并有横切此主轴的相对配置的第一与第二端部（１８０）；以及第一与第二永磁层（１２８），它们以大致共平面关系与上述磁阻结构的第一与第二端部相邻但分开地配置。

【技术特征摘要】
US 1992-11-12 07/975,4791.一种磁阻装置(120)，它包括一个磁阻结构(126)，此结构具有一主轴并有横切此主轴的相对配置的第一与第二端部(180)；以及第一与第二永磁层(128)，它们以大致共平面关系与上述磁阻结构的第一与第二端部相邻但分开地配置。2.如权利要求1所述装置，其中磁阻结构(126)包括一磁阻层，以及一以处于其底部下关系大致共同延伸的较软磁性层(140)，此装置还可包括一设置在上述磁阻层(164)与软磁层(166)之间的磁性分隔层(168)。3.如权利要求2所述装置，其中所说磁阻层包括NiFe。4.如权利要求2所述装置，其中所说软磁层(166)包括NiFeMo。5.如权利要求2所述装置，其中所说磁性分隔层(168)包括钽。6.如权利要求1所述装置，它还包括第一与第二电极，用来通过前述第一与第二永磁场给所说装置提供电接点，且其中所说的第一与第二电极包括Au并同所说磁阻结构接触。7.如权利要求1所述装置，其中在所说第一与第二永磁层和所说磁阻结构的第一与第二端部间的间隔层厚度小于400A，且此间隔层包括一非磁性金属层。8.如权利要求1所述装置，其中所说磁阻结构的第一与第二端部一般由一椭圆确定，此椭圆的焦点一般在此磁阻结构的主轴上。9.如权利要求1所述装置，其中所说磁阻结构的第一与第二端部不与前述主轴正交。10.如权利要求1所述装置，其中在所说第一与第二永磁层同所说磁阻结构的第一与第二端部之间的间隔层，是由一种介质材料确定。11.如权利要求1所述装置，其中所说永磁层包括CoPt。12.一种磁阻装置(150)，它包括一具有两个端部的磁阻导电区(152);与上述导电区之相对端部毗连的分隔层(162);以及第一与第二永磁区(158)，它们在上述导电区的端部与所说间隔层相邻接且大致共平面，由此，所说的第一与第二永磁区为该磁阻导电区提供纵向偏压。13.形成一种磁阻装置的方法，它包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹姆斯L尼克斯，盖伊F鲁斯，安东尼C赫尔姆斯，保罗D莱因霍尔茨，丹尼尔J奥康纳，
申请(专利权)人：落矶山磁技术公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]