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能提高巴克豪森噪声抑制性能的一种改进了的磁阻装置及其制造方法。描述的一种共平面装置具有一ＭＲ结构导电区，通过为一非磁性金属或介质隔间层所分隔的两相对永磁层，给它提供纵向偏压。能在ＭＲ层与永磁层会合处邻近显著减少去磁能，尤其当采用椭圆形导电区...
该专利属于落矶山磁技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过落矶山磁技术公司授权不得商用。

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