力传感器制造技术

技术编号:30734648 阅读:22 留言:0更新日期:2021-11-10 11:38
本发明专利技术提供一种力传感器。利用该力传感器,能够实现扩展应变系数具有各向同性的导电性部件的应用范围。力传感器具备:具有弹性的应变体(10);遍及整周地支承应变体(10)的支承部(12);以及在应变体(10)的主面方向上具有各向同性的应变系数的导电性部件(20)。导电性部件(20)以延伸成包围极点(O)并在一处部位上断开的环状的方式配置在应变体(10)的主面(101)的指定纬度范围(R2)中。指定纬度范围(R2)是以下一种纬度范围:在对应变体(10)作用具有主面(101)的垂线方向成分的力(F)时,应变体(10)以极点(O)为基准在经线方向上的第一应变量以及在纬线方向上的第二应变量的和的大小为基准值以上的维度范围。值以上的维度范围。值以上的维度范围。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】力传感器


[0001]本专利技术涉及使用了导电性部件的力传感器。

技术介绍

[0002]本专利技术人提出了一种由Cr(铬)和不可避免的杂质构成的Cr(铬)基薄膜所构成的导电性部件、或由Cr、N和不可避免的杂质构成的Cr(铬)基薄膜所构成的导电性部件(参照专利文献1)。
[0003]该导电性部件以测定用电流流动的方向即受感部的长度方向相对于对象物的应变方向垂直的方式配置。如果在测定用电流流动的方向即受感部的长度方向与对象物的应变方向平行地配置时,导电性部件具有相同程度的应变系数(3以上)。即,该导电性部件的应变系数显示出各向同性。此外,本专利技术人还提出了通过以下Cr基薄膜分别构成的导电性部件:由Cr和Mn构成的Cr基薄膜、或由Cr和Al构成的Cr基薄膜、以及由Cr、Al和N构成的Cr基薄膜(参照专利文献2~3)。现有技术文献专利文献
[0004]专利文献1:日本专利第6084393号公报专利文献2:日本特开2018

091705号公报专利文献3:日本特开2018

091848号公报
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种力传感器,其特征在于,具备:应变体,其具有弹性;支承部,其以遍及整周的方式连续地或离散地支承所述应变体;以及,导电性部件,其配置于所述应变体的主面,且在该主面方向上具有各向同性的应变系数,所述导电性部件以在指定纬度范围内延伸成在一个部位上断开且包围极点的环状的方式配置于所述应变体的主面,其中,所述指定纬度范围是:在对所述应变体作用了具有主面的垂线方向分量的力时,在以所述极点为基准的所述应变体在经线方向上的第一应变量以及所述应变体在纬线方向上的第二应变量的和的大小是基准值以上的纬度范围。2.根据权利要求1所述的力传感器,其特征在于,所述应变体的形状具有以与通过所述极点的主面的垂线平行的轴线为基准的旋转对称性或以与通过所述极点的主面垂直的平面为基...

【专利技术属性】
技术研发人员:丹羽英二
申请(专利权)人:公益财团法人电磁材料研究所
类型:发明
国别省市:

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