一种防反接关断电路及电机驱动电路制造技术

技术编号:30730940 阅读:32 留言:0更新日期:2021-11-10 11:33
本实用新型专利技术实施例公开了一种防反接关断电路及电机驱动电路。该防反接关断电路包括:第一开关单元、第二开关单元、以及升压单元;第一开关单元的第一端与电源输入端电连接,第一开关单元的第二端与电源输出端电连接;第二开关单元的第一端与电源输入端电连接,第二开关单元的第二端与第一开关单元的控制端电连接,第二开关单元的控制端与接地端电连接;升压单元的输入端与电源输出端电连接,升压单元的输出端与第一开关单元的控制端电连接。本实用新型专利技术实施例提供的技术方案,可提供电路结构简单、成本低的防反接关断电路。成本低的防反接关断电路。成本低的防反接关断电路。

【技术实现步骤摘要】
一种防反接关断电路及电机驱动电路


[0001]本技术实施例涉及电机驱动
,尤其涉及一种防反接关断电路及电机驱动电路。

技术介绍

[0002]通常情况下,各种功能电路(例如电机驱动电路)均需要外部电源供电,当外部电源反接时很可能会导致功能电路中的器件损坏,因此,通常在功能电路中设置防反接关断电路,以使电源反接时切断外部电源与功能电路的连接。
[0003]但是,现有技术中提供的防反接关断电路结构复杂,成本高。因此,提供一种电路结构简单、成本低的防反接关断电路已成为迫切需求。

技术实现思路

[0004]本技术提供一种防反接关断电路及电机驱动电路,以提供电路结构简单、成本低的防反接关断电路。
[0005]第一方面,本技术实施例提供了一种防反接关断电路,该防反接关断电路包括:
[0006]第一开关单元、第二开关单元、以及升压单元;
[0007]所述第一开关单元的第一端与电源输入端电连接,所述第一开关单元的第二端与电源输出端电连接;
[0008]所述第二开关单元的第一端与所述电源输入端电连接,所述第二开关单元的第二端与所述第一开关单元的控制端电连接,所述第二开关单元的控制端与接地端电连接;电源正常接入时,所述第二开关单元用于响应于所述接地端的地信号关断,电源反接时,所述第二开关单元用于响应于所述接地端的电源电压导通,以将所述电源输入端的地信号传输至所述第一开关单元的控制端,以使所述第一开关单元关断;
[0009]所述升压单元的输入端与所述电源输出端电连接,所述升压单元的输出端与所述第一开关单元的控制端电连接;电源正常接入时,所述升压单元用于将所述电源输出端的所述电源电压进行升压处理,以使所述第一开关单元导通。
[0010]可选的,所述第一开关单元包括第一晶体管和第一电容;
[0011]所述第一晶体管的第一端与所述电源输入端电连接,所述第一晶体管的第二端分别与所述电源输出端、以及所述第一电容的第一端电连接,所述第一晶体管的控制端分别与所述第二开关单元的第二端、所述升压单元的输出端、以及所述第一电容的第二端电连接。
[0012]可选的,所述第一晶体管为N型MOS管。
[0013]可选的,所述升压单元包括自举电路、以及第一电阻;
[0014]所述自举电路的输入端与所述电源输出端电连接,所述自举电路的输出端与所述第一电阻的第一端电连接,所述第一电阻的第二端与所述第一开关单元的控制端电连接。
Field

Effect Transistor,MOSFET)(简称MOS管),晶体管Q2

为NPN型三极管,即通过1个NPN型三极管控制1个P型MOS管导通与关断实现防反接控制功能。但是,图1所示的防反接关断电路具有如下不足之处:为了防止P型MOS管栅源极电压超过

20V被损坏,需要在栅极和源极之间并一个稳压管,既增加电路成本又占PCB空间。此外,三极管的控制信号CON为单片机I/O信号,占用单片机(图1中未示出)引脚资源。
[0033]有鉴于此,本技术提供一种防反接关断电路,该防反接关断电路包括:第一开关单元、第二开关单元、以及升压单元;第一开关单元的第一端与电源输入端电连接,第一开关单元的第二端与电源输出端电连接;第二开关单元的第一端与电源输入端电连接,第二开关单元的第二端与第一开关单元的控制端电连接,第二开关单元的控制端与接地端电连接;电源正常接入时,第二开关单元用于响应于接地端的地信号关断,电源反接时,第二开关单元用于响应于接地端的电源电压导通,以将电源输入端的地信号传输至第一开关单元的控制端,以使第一开关单元关断;升压单元的输入端与电源输出端电连接,升压单元的输出端与第一开关单元的控制端电连接;电源正常接入时,升压单元用于将电源输出端的电源电压进行升压处理,以使第一开关单元导通。采用上述技术方案,可解决现有技术中防反接关断电路电路结构复杂、成本高的问题,实现简化电路结构,降低成本的效果。
[0034]以上是本申请的核心思想,下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下,所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0035]图2是本技术实施例提供的一种防反接关断电路的结构示意图。参见图2,该防反接关断电路包括:第一开关单元10、第二开关单元20、以及升压单元30;第一开关单元10的第一端与电源输入端101电连接,第一开关单元10的第二端与电源输出端103电连接;第二开关单元20的第一端与电源输入端101电连接,第二开关单元20的第二端与第一开关单元10的控制端电连接,第二开关单元20的控制端与接地端102电连接;电源正常接入时,第二开关单元20用于响应于接地端102的地信号关断,电源反接时,第二开关单元20用于响应于接地端102的电源电压导通,以将电源输入端101的地信号传输至第一开关单元10的控制端,以使第一开关单元10关断;升压单元30的输入端与电源输出端103电连接,升压单元30的输出端与第一开关单元10的控制端电连接;电源正常接入时,升压单元30用于将电源输出端103的电源电压进行升压处理,以使第一开关单元10导通。
[0036]具体的,电源正常接入时,外部电源的正极与电源输入端101电连接,外部电源的负极与接地端102电连接,则第二开关单元20的控制端为地信号,第二开关单元20关断,同时,电源输入端101输入的电源电压通过第一开关单元10传输至电源输出端103,升压单元30对电源电压进行升压处理,则第一开关单元10的控制端的电压大于第一开关单元10的第一端的电压,第一开关单元10完全导通,外部电源可正常供电。其中,第一开关单元10可以包括二极管,在第一开关单元10完全导通之前,电源输入端101输入的电源电压能够通过二极管传输至电源输出端103。
[0037]具体的,电源反接时,外部电源的正极与接地端102电连接,外部电源的负极与电源输入端101电连接,则第二开关单元20的控制端为电源电压,第二开关单元20导通,电源输入端101的地信号传输至第一开关单元10的控制端,第一开关单元10关断,切断外部电源
与后续电路的电连接,防止后续电路被烧坏。
[0038]本技术实施例提供的防反接关断电路,通过设置其包括第一开关单元10、第二开关单元20、以及升压单元30,使得电源正常接入时,第一开关单元10在升压单元30输出的信号的控制下导通,第二开关单元20在接地端102的地信号控制下关断,从而使得电源输入端101的电源电压传输至电源输出端103;电源反接时,第二开关单元20在接地端102的电源电压控制下导通,将电源输入端101的地信号传输至第一开关单元10的控制端,第一开关单元10关断,从而使得电源输入端101的地信号无法传输本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防反接关断电路,其特征在于,包括:第一开关单元、第二开关单元、以及升压单元;所述第一开关单元的第一端与电源输入端电连接,所述第一开关单元的第二端与电源输出端电连接;所述第二开关单元的第一端与所述电源输入端电连接,所述第二开关单元的第二端与所述第一开关单元的控制端电连接,所述第二开关单元的控制端与接地端电连接;电源正常接入时,所述第二开关单元用于响应于所述接地端的地信号关断;电源反接时,所述第二开关单元用于响应于所述接地端的电源电压导通,以将所述电源输入端的地信号传输至所述第一开关单元的控制端,以使所述第一开关单元关断;所述升压单元的输入端与所述电源输出端电连接,所述升压单元的输出端与所述第一开关单元的控制端电连接;电源正常接入时,所述升压单元用于将所述电源输出端的所述电源电压进行升压处理,以使所述第一开关单元导通。2.根据权利要求1所述的防反接关断电路,其特征在于,所述第一开关单元包括第一晶体管和第一电容;所述第一晶体管的第一端与所述电源输入端电连接,所述第一晶体管的第二端分别与所述电源输出端、以及所述第一电容的第一端电连接,所述第一晶体管的控制端分别与所述第二开关单元的第二端、所述升压单元的输出端、以及所述第一电容的第二端电连接。3.根据权利要求2所述的防反接关断电路,其特征在于,所述第一晶体管为N型MOS管。4.根据权利要求1所述的防反接关断电路,其特征在于,所述升压单元包...

【专利技术属性】
技术研发人员:代朋车王龙
申请(专利权)人:上海艾铭思汽车控制系统有限公司
类型:新型
国别省市:

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