【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本专利申请要求于2020年5月7日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0054420号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用被完全包含于此。
[0002]专利技术构思的实施例涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种包括场效应晶体管的半导体装置及制造其的方法。
技术介绍
[0003]半导体装置可以包括包含金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的集成电路。随着半导体装置的尺寸和设计规则已经减小，MOSFET已经成比例减小。半导体装置的操作特性会由于MOSFET尺寸的减小而劣化。因此，已经研究了用于形成具有优异性能同时克服因高集成度引起的限制的半导体装置的各种方法。
技术实现思路
[0004]专利技术构思的实施例可以提供一种能够改善电特性和可靠性的半导体装置。
[0005]在一方面，半导体装置可以包括：晶体管，位于基底上；第一层间绝缘层，位于晶体管上；下互连线，位于第一层间绝缘层的上部中；蚀刻停止层，位于第一层间...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：晶体管，位于基底上；第一层间绝缘层，位于晶体管上；下互连线，位于第一层间绝缘层的上部中；蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层和下互连线上；第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；上互连线，位于第二层间绝缘层中，上互连线包括穿透蚀刻停止层以接触下互连线的通路部分；以及蚀刻停止图案，位于蚀刻停止层上并且与通路部分的第一侧壁接触，其中，第二层间绝缘层在蚀刻停止图案上和蚀刻停止层的其上没有蚀刻停止图案的顶表面上延伸，其中，蚀刻停止层包括其上有蚀刻停止图案的表面处理区域，并且其中，表面处理区域中的碳的第一浓度比蚀刻停止层的与表面处理区域不同的另一区域中的碳的第二浓度低。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，蚀刻停止图案的最大厚度比蚀刻停止层的厚度小，并且其中，蚀刻停止图案的最大宽度被限制在表面处理区域的宽度内。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，表面处理区域中的碳的第一浓度在从1at％至5at％的范围内，并且其中，蚀刻停止层的所述另一区域中的碳的第二浓度在10at％至25at％的范围内。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，表面处理区域中的碳的第一浓度随着从表面处理区域的顶表面朝向第一层间绝缘层的距离而增大。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，通路部分还包括：第二侧壁，与蚀刻停止层接触；以及中间表面，在第一侧壁与第二侧壁之间延伸，其中，中间表面的倾斜度不如第一侧壁和第二侧壁中的每者的倾斜度陡峭。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，表面处理区域限定蚀刻停止层的上表面，并且蚀刻停止图案接触蚀刻停止层的上表面。7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的半导体装置，其中，蚀刻停止层包括：第一蚀刻停止层，覆盖第一层间绝缘层的顶表面；以及第二蚀刻停止层，位于第一蚀刻停止层上，第二蚀刻停止层包括表面处理区域和所述另一区域，其中，第一蚀刻停止层的第一厚度比第二蚀刻停止层的第二厚度小，并且其中，蚀刻停止图案的第一介电常数比第二蚀刻停止层的第二介电常数高。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，第一蚀刻停止层的第三介电常数比第二蚀刻停止层的第二介电常数高，并且其中，其上有蚀刻停止图案的表面处理区域包括亲水表面，并且所述另一区域包括疏水表面。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，与蚀刻停止图案接触的通路部分在第一方向上具有第一宽度，其中，蚀刻停止图案在第一方向上的最大宽度为第二宽度，并且其中，第二宽度在第一
宽度的1.2倍至3倍的范围内。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，蚀刻停止图案包括：彼此相邻的第一蚀刻停止图案和第二蚀刻停止图案，其中，通路部分设置在第一蚀刻停止图案与第二蚀刻停止图案之间的凹槽中，并且接触下互连线。11.一种半导体装置，所述半导体装置包括：晶体管，位于基底上；第一层间绝缘层，位于晶体管上；下互连线，位于第一层间绝缘层的上部中；蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层和下互连线上；第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；上互连线，位于第二层间绝缘层中，上互连线包括穿透蚀刻停止层以接触下互连线的通路部分；以及蚀刻停止图案，位于蚀刻停止层上并且与通路部分的相对的侧壁接触，其中，与蚀刻停止图案接触的通路部分在第一方向上在相对的侧壁之间具有第一宽度，其中，蚀刻停止图案在第一方向上的最大宽度为第二宽度，并且其中，第二宽度在第一宽度的1.2倍至3倍的范围内。...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴水贤，朴径范，白宗玟，李长镐，刘禹炅，郑德泳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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