光记录媒体及对光记录媒体的记录方法技术

通过非晶相和结晶相之间的相变化来进行信息的记录和抹除，并在纹间表面和沟纹两方进行记录的光记录媒体，其特征在于至少具有记录层、电介质层和反射层；镜面部分的结晶状态的反射率大于１５％而小于３５％。本发明专利技术的光记录媒体其沟纹深度形成重放光的波长的１／７以上１／５以下的光路长；至少具有记录层，记录层的非晶相时的光吸收率和结晶相时的光吸收率由下式（１）表示：式（１）Ａａ－Ａｃ≤１０其中Ａａ表示记录层的非晶相时的光吸收率（％），Ａｃ表示记录层的结晶时的光吸收率（％）。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及能够用光的照射进行信息的记录、抹除、重放的光信息记录媒体以及光信息记录媒体的记录方法，特别是涉及具有记录信息的抹除、重写功能，并能高速且高密度地记录信息信号的光盘、光卡、光记录带之类的可重写的相变型光记录媒体以及该记录媒体的高密度记录方法。下面来说明原来的可重写的相变型光记录媒体的技术以及对该记录媒体的记录方法的技术。这些光记录媒体设置有以Ge、Sb、Te为主要成分的记录层。在记录时，把经聚焦的激光脉冲短时间照射在结晶状态的记录层上，使记录层局部熔融，被熔融的部分经热扩散急剧冷却、固化，形成非结晶状态的记录符号。这种记录符号的光反射率比结晶状态的反射率低，能够作为记录信号光学地重放出来。在抹除时，把激光照射在记录符号部分上，该部分被加热到记录层的熔点以下结晶温度以上的温度，使非结晶状态的记录符号结晶化，还原为原来的未记录状态。在将这些Te合金作为记录层的光记录媒体中，结晶化速度快，将照射功率仅调制成所谓写入记录符号的记录功率和所谓抹除前述记录符号的抹除功率，圆形光束是可能进行高速重写的(T.Obta等，Proc.Int.Symp.on Optical Memory本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过非晶相和结晶相之间的相变化来进行信息的记录和抹除，并在纹间表面和沟纹两方进行记录的光记录媒体，其特征在于至少具有记录层、电介质层和反射层；镜面部分的非结晶状态的反射率在１０％以下。２．一种通过非晶相和结晶相之间的相变化来进行信息的记录和抹除，并在纹间表面和沟纹两方进行记录的光记录媒体，其特征在于至少具有记录层、电介质层和反射层；镜面部分的结晶状态的反射率大于１５％而小于３５％。

【技术特征摘要】
JP 1995-8-23 214784/95;JP 1995-12-28 344200/95;JP 1.一种通过非晶相和结晶相之间的相变化来进行信息的记录和抹除，并在纹间表面和沟纹两方进行记录的光记录媒体，其特征在于至少具有记录层、电介质层和反射层；镜面部分的非结晶状态的反射率在10％以下。2.一种通过非晶相和结晶相之间的相变化来进行信息的记录和抹除，并在纹间表面和沟纹两方进行记录的光记录媒体，其特征在于至少具有记录层、电介质层和反射层；镜面部分的结晶状态的反射率大于15％而小于35％。3.一种通过非晶相和结晶相之间的相变化来进行信息的记录和抹除，在纹间表面和沟纹两方进行记录的光记录媒体，其特征在于至少具有记录层、电介质层和反射层，镜面部分的非结晶部分的反射率是10％以下；且镜面部分的结晶部分的反射率大于15％小于35％。4.根据权利要求1的光记录媒体，其特征在于非结晶状态的反射光和结晶状态的反射光的相位差大于2nπ-π/3而小于2nπ+π/3，其中n是整数。5.根据权利要求1的光记录媒体，其特征在于非结晶状态的反射光和结晶状态的反射光的相位差大于2nπ+2π/3而小于2nπ+4π/3，其中n是整数。6.根据权利要求2的光记录媒体，其特征在于非结晶状态的反射光和结晶状态的反射光的相位差大于2nπ-π/3而小于2nπ+π/3，其中n是整数。7.根据权利要求2的光记录媒体，其特征在于非结晶状态的反射光和结晶状态的反射光的相位差大于2nπ+2π/3而小于2nπ+4π/3，其中n是整数。8.根据权利要求3的光记录媒体，其特征在于非结晶状态的反射光和结晶状态的反射光的相位差大于2nπ-π/3而小于2nπ+π/3，其中n是整数。9.根据权利要求3的光记录媒体，其特征在于非结晶状态的反射光和结晶状态的反射光的相位差大于2nπ+2π/3而小于2nπ+4π/3，其中n是整数。10.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7、8或9的光记录媒体，其特征在于沟纹的槽深度形成大于重放光的波长的1/7而小于的其1/5的光路长。11.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7、8或9的光记录媒体，其特征在于光记录媒体按照基板/第1电介质层/记录层/第2电介质层/反射层的顺序叠层而形成，并且第1电介质层、第2电介质层的折射率和膜厚处在分别在下述的(1)式和(2)式表示的范围内式(1)1.5≤n1≤2.450≤d1≤300式(2)1.5≤n2≤2.41≤d2≤50其中，n1、n2是第1电介质层和第2电介质层的折射率，d1、d2是第1电介质层和第2电介质层的厚度(nm)。12.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7、8或9的光记录媒体，其特征在于记录层至少包含Sb或Te。13.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7、8或9的光记录媒体，其特征在于记录层组成是Ge、Sb、Te的3元素合金或Ge、Sb、Te的3元素与从Pd、Nb、Pt、Au、Ag、Ni、Co中选出的至少一种金属的合金；记录层的厚度是大于10nm小于40nm。14.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7、8或9的光记录媒体，其特征在于记录层的组成用下式(3)来表示，并且反射层的组成由Al合金构成；式(3)Mα(SbxTe1-x)1-y-α(Ge0.5Te0.5)y0.4≤x≤0.60.3≤y≤0.50≤α≤0.05(其中x，y，α表示克分子量比，M包含Pd、Nb、Pt、Au、Ag、Ni、Co的至少一种)。15.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7、8或9的光记录媒体，其特征在于记录层至少包含In或Se。16.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7、8或9的光记录媒体，其特征在于轨距、纹间表面的平坦部分的宽度和沟纹下平坦部分的宽度用下式来表示式(4)Tp＝a·λ/NA1≤a≤1.5Tg＝Tp·b0.2≤b≤0.6T1＝Tp·c0.2≤c≤0.6其中，Tp是轨距(μm)，NA是透镜的孔径值，λ是重放光波长(μm)，Tg是沟纹平坦部分的宽度(μm)，T1是纹间表面平坦部分的宽度(μm)。17.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7、8或9的光记录媒体，其特征在于纹间表面和沟纹实质上由平坦部分和倾斜部分构成；倾斜部分的宽度大于0.05μm小于0.2μm。18.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7、8或9的光记录媒体，其特征在于纹间表面上所记录的符号的宽度大于纹间表面的平坦部分的1/2小于纹间表面的平坦部分的整个宽度，或沟纹上所记录的符号的宽度大于沟纹的平坦部分的1/2小于沟纹的平坦部分的整个宽度。19.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7、8或9的光记录媒体，其特征在于基板的厚度用下述的(5)式表示式(5)0.01≤(NA)3·d≤0.20(其中NA是透镜的孔径值，d是基板的厚度(mm))。20.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7、8或9的光记录媒体，其特征在于电介质层至少包含ZnS、SiO和碳。21.一种通过非晶相和结晶相之间的相变化来进行信息的记录和抹除，在纹间表面和沟纹两方形成记录符号来进行记录的光记录媒体，其特征在于所述的记录媒体至少具有记录层，其沟纹深度形成重放光波长的1/7以上1/5以下的光路长，记录层的非结晶部分的光吸收率和结晶部分的光吸收率由下式(6)表示式(6)Aa-Ac≤10其中Aa表示记录层的非结晶部分的光吸收率(％)，Ac表示记录层的结晶部分的光吸收率(％)。22.根据权利要求21的光记录媒体，其特征在于镜面部分的非结晶部分的反射率小于10％。23.根据权利要求21的光记录媒体，其特征在于镜面部分的结晶部分的反射率大于15％小于35％。24.根据权利要求21的光记录媒体，其特征在于镜面部分的非结晶部分的反射率小于10％；镜面部分的结晶部分的反射率大于15％小于35％。25.根据权利要求21的光记录媒体，其特征在于非结晶层的反射光和结晶相的反射光的相位差大于2nπ-π/3而小于2nπ+π/3，其中n是整数。26.根据权利要求22的光记录媒体，其特征在于非结晶层的反射光和结晶相的反射光的相位差大于2nπ-π/3而小于2nπ+π/3，其中n是整数。27.根据权利要求23的光记录媒体，其特征在于非结晶层的反射光和结晶相的反射光的相位差大于2nπ-π/3而小于2nπ+π/3，其中n是整数。28.根据权利要求24的光记录媒体，其特征在于非结晶层的反射光和结晶相的反射光的相位差大于2nπ-π/3而小于2nπ+π/3，其中n是整数。29.根据权利要求21的光记录媒体，其特征在于非结晶层的反射光和结晶相的反射光的相位差大于2nπ+2π/3而小于2nπ+4π/3，其中n是整数。30.根据权利要求22的光记录媒体，其特征在于非结晶层的反射光和结晶相的反射光的相位差大于2nπ+2π/3而小于2nπ+4π/3，其中n是整数。31.根据权利要求23的光记录媒体，其特征在于非结晶层的反射光和结晶相的反射光的相位差大于2nπ+2π/3而小于2nπ+4π/3，其中n是整数。32.根据权利要求24的光记录媒体，其特征在于非结晶层的反射光和结晶相的反射光的相位差大于2nπ+2π/3而小于2nπ+4π/3，其中n是整数。33.根据权利要求21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31或32任一个的光记录媒体，其特征在于记录层至少包含Sb或Te。34.根据权利要求21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31或32任一个的光记录媒体，其特征在于记录层组成是Ge、Sb、Te的3元素合金或Ge、Sb、Te的3元素与从Pd、Nb、Pt、Au、Ag、Ni、Co中选出的至少一种金属的合金；记录层的厚度是大于10nm小于40nm。35.根据权利要求21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31或32任一个的光记录媒体，其特征在于记录层的组成用下式(7)来表示式(7)Mα(SbxTe1-x)1-y-α(Ge0.5Te0.5)y0.4≤x≤0.60.3≤y≤0.50≤α≤0.05(其中x，y，α表示克分子量比，M是从Pd、Nb、Pt、Au、Ag、Ni、Co中选出的至少一种)。36.根据权利要求21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31或32任一个的光记录媒体，其特征在于记录层至少包含In或Se。37.根据权利要求21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31或32任一个的光记录媒体，其特征在于至少有电介质层、记录层和反射层。38.根据权利要求21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31或32任一个的光记录媒体，其特征在于按照基板/第1电介质层/记录层/第2电介质层/光吸收层/反射层的顺序叠层而形成，并且反射层的厚度大于10nm。39.根据权利要求21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31或32任一个的光记录媒体，其特征在于光记录媒体至少按照基板/第1电介质层/记录层/第2电介质层/反射层的顺序叠层而形成，或者至少按照基板/第1电介质层/记录层/第2电介质层/光吸收层/反射层的顺序叠层而形成，并且第1电介质层、第2电介质层的折射率和膜厚处在分别由下述的(8)式和(9)式表示的范围内式(8)1.5≤n1≤2.450≤d1≤300式(9)1.5≤n2≤2.41≤d2≤50其中，n1、n2是第1电介质层和第2电介质层的折射率，d1、d2是第1电介质层和第2电介质层的厚度(nm)。40.根据权利要求21、22、23、24、25、26、27、...

【专利技术属性】
技术研发人员：大林元太郎，信正均，薙野邦久，广田草人，网冈孝夫，
申请(专利权)人：东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]