多记录层光盘制造技术

一多记录层光盘，包括：一保护层；第一记录层；一涂层，以预定反射率反射激光束的一部分，而另一部分透射通过；一介电层；一第二记录层，在介电层之下形成；以及一反射层，激光束被其全部反射。由于涂层具有预定反射率，从该涂层反射的用于读出第一记录层信息的激光束光量大于透过该涂层读出第二记录层信息的激光束光量，因此光学头装置的ＲＦ信号幅度出现变化，使分开记录和／或再现光盘的各记录层成为可能。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种多记录层光盘，特别涉及这样一种多记录层光盘，即使用简单结构的光记录/再现装置能记录/再现用高密度记录的信息。日前，使用例如LD或CD的信息再现/记录系统已经开发出来。由于种种原因，包括使CD得更小，以及能记录高清晰度电视(HDTV)兼容视盘，希望光盘具有更大的数据密度。在光数据媒介中用来取得高数据密度的一种可考虑的方法是将读激光聚焦到更精细的光束直径，然而聚焦激光的物镜的数值孔径(NA)的最大实际限制近似为0.6。借助缩短该激光波长也可能得到类似的结果，然而在目前，一种实际的半导体激光器的波长是受到限制的。取得高密度的第二种方法是在该光盘中采用V形纹道(V-groo-ves)，例如在授予Nagashima等的美国专利NO.4,569,038中所公开的(1986年2月4日)。使用普通技术在一光盘上可记录的数据的容量是可以确定的。对于装在3.5英寸盒内的光盘，该盘的直径大约为86mm，提供半径为25mm-41mm的数据储存区。假定使用670nm波长的激光器，具有一0.55NA的物镜，轨迹间距(track pitch)0.8m，(V形纹道间距(V-groove pitch)1.6μm)，且位长度为0.47μm，则非格式化的单面容量为1.1千兆字节。使用标准CD格式，能得到单面格式化的550兆字节，与12μcm的CD相同。如果在不久将来通常以印刷材料方式提供的信息被提供在一种CD-ROM或其它的光数据媒介上，则用户也应可以象目前在纸媒介上那样能方便地将笔记符号写到媒介上而不仅是读该信息。使这种情况成为可能的一种方法是将该盘分成读/可写区域，其中记录膜是在该盘的内部形成的，而只读数据区包括在该盘外部上形成的反射金属膜。然而，该方法减少了只读数据区，并因此限制了在单个盘上所分布的信息的总量。如上所述，需要更小更高容量的光数据媒介，包括光盘和光卡。为提高该盘单位面积的信息储存密度，已经开发了在其两个面上有记录层以及有多个信息储存层的双面光盘。例如，由Takahara等提出的美国专利NO.4,839,881(1989年6月13日)，提出一种在其两面具有记录层的双面光盘以及使用在具有U形引导装置的光盘设备中的读出传送装置，以便借助该U形引导装置沿该双面盘的上下表面引导一光学头装置来记录和/或再现该盘的信息。然而，该具有U形引导装置的读出传送装置结构复杂，因此产品的小型化困难，且产品的价格增加。日本专利申请序号为NO.59-228743的日本公开专利NO.61-107552(1986年5月26日公开)提出一种具有多层磁-光储存层的磁-光盘。根据该磁光盘，信息能写在该各个磁-光储存层上并可从它们上读出。因此该盘单位面积的信息可记录密度显著增加。然而，如上所指出的具有两个或多个储存层的普通光盘要求具有用于发射不同波长激光束的光源，以便从各储存层分别读出记录的信息。此外，该普通的系统要求两个或多个适用于由各储存层反射的不同波长激光束的检测器，这样该信息才能够根据具有不同波长的反射光束的kerr旋转角的变化来读出。因此，该普通信息读出或再现系统在结构上复杂并且价格昂贵。本专利技术的目的在于提供一种具有多个记录层的光盘，它可借助使用一简单结构的光记录/再现装置将信息以一高密度记录在该盘上并从该盘再现信息。为达到上述目的，按本专利技术的一种具有多个记录层的光盘，其中，在其上记录信息或从其中再现信息是由从光学头(optical pi-ckup)装置照射的预定波长的激光束执行的，包括按照激光束投射到该盘时，从顶部开始的顺序，一保护层；一第一记录层，具有要求的式样并在该保护层下形成；一涂层，激光束的一部分被该涂层以一预定的反射率反射，而另外的部分透射通过；一介电层；一第二记录层，具有要求的式样，在该介电层下面形成；以及一反射层，通过它激光束被全反射，因此，根据反射到光学头装置的激光束的光量差，多个记录层被记录/再现。此外，该具有多个记录层的光盘重复包括，按照激光束投射到该盘时，自上部开始的顺序，在第二记录层和反射层之间，一涂层，激光束的一部分被该涂层以一预定的反射率反射，而另一部分透射通过；一介电层；以及一记录层，具有要求的式样，所述记录层在该介电层之下形成。同样，为达到上述目的，按本专利技术的一种具有多个记录层的光盘，在其上记录信息/从其中再现信息通过从一光学头装置照射的具有不同波长的第一和第二激光束执行，包括按照第一或第二激光束投射到该盘上时，自上部开始的顺序，一保护层；一第一记录层，具有要求的式样，该第一记录层在该保护层之下形成；一第一涂层，第一激光束的一部分被该涂层以一预定的反射率反射，而其它部分透射通过，第二激光束全部透射通过；一第一介电层；一第二记录层，具有要求的式样，该第二记录层在该第一介电层之下形成；一第二涂层，第二激光束的一部分被该涂层以一预定的反射率反射，其它部分透射通过，而第一激光束全部透射通过；一第二介电层；一第三记录层，具有要求的式样，该第三记录层在该第二介电层之下形成；一第一反射层，该第一激光束全部由它反射，而第二激光束全部透射通过；一第三介电层；一第四记录层，具有要求的式样，该第四记录层在该第三介电层之下形成；以及一第二反射层，通过它该第二激光束被全部反射。因此，根据反射到光学头装置的激光束的光量差，多个记录层被记录/再现。此外，该具有多个记录层的光盘反复包括，按照第一或第二激光束投射到盘上时，自上部开始的顺序，在第三记录层和第一反射层之间，一涂层，第一激光束的一部分被该涂层以一预定反射率反射，其他部分透射通过，而第二激光束全部透射通过；一介电层；一记录层，具有要求的式样；一涂层，第二激光束的一部分被该涂层以预定的反射率反射，其他部分透射通过，而第一激光束全部透射通过；另一介电层；以及另一记录层，具有要求的式样。如上所述，按本专利技术的具有多个记录层的光盘在两记录层之间有具有预定的反射率的涂层，因此，从该涂层反射的用于读出上记录层信息的激光束的光量比透过该涂层的读出下记录层信息的激光束的光量更大。由于两记录层光量之间的差在光学头装置的光探测器上检测的RF信号的幅度上产生变化，使得有可能根据该RF信号分别地记录和/或再现具有多个记录层的光盘的各个记录层。因为记录/再现各个记录层是由具有单一波长的单个激光源执行的，该记录再现根据相应各个记录层的光量不相同而实现，当制作盘时，根据制造者的要求，各记录层之间的距离能适当地加以确定，聚焦伺服只要在聚焦方向移动该物镜即能实现，因此生产盘是不困难的。这样，用按照本专利技术的光盘，有可能在仍然使用普通的光记录/再现装置的情况下记录/再现信息，而且有可能记录/再现高密度信息。通过参照附图详细描述本专利技术的优选实施例，本专利技术的上述目的和其他优点将更加明显，这些附图是附图说明图1是一示意截面图，用于表示按本专利技术第一实施例的具有多个记录层的光盘；图2是一示意截面图，用于表示按本专利技术第二实施例的具有多个记录层的光盘；图3是一示意截面图，用于表示按本专利技术第三实施例的具有多个记录层的光盘；图4是一示意截面图，用于表示按本专利技术第四实施例的具有多个记录层的光盘。以下将详细描述按本专利技术的一种光读出装置。实施例1图1是一示意截面图，用于表示按本专利技术第一实施例的具有多个记录层的光盘。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有多个记录层的光盘，其中由一光学头装置照射的一具有预定波长的激光束来执行在／从该盘记录／再现信息，包括：当所述激光束投射到所述盘上时，按其从上部开始的顺序；一保护层；一第一记录层，具有所要求的式样，在所述保护层之下形成； 一涂层，所述激光束被该涂层以一预定反射率部分反射，而另一部分透射通过；一介电层；一第二记录层，具有所要求的式样，在所述介电层之下形成；以及一反射层，所述激光束被该反射层全反射，借此根据反射到所述光学头装置的激光束光量差进行 多个记录层的记录／再现。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 1994-10-31 28328/941.一种具有多个记录层的光盘，其中由一光学头装置照射的一具有预定波长的激光束来执行在/从该盘记录/再现信息，包括当所述激光束投射到所述盘上时，按其从上部开始的顺序；一保护层；一第一记录层，具有所要求的式样，在所述保护层之下形成；一涂层，所述激光束被该涂层以一预定反射率部分反射，而另一部分透射通过；一介电层；一第二记录层，具有所要求的式样，在所述介电层之下形成；以及一反射层，所述激光束被该反射层全反射，借此根据反射到所述光学头装置的激光束光量差进行多个记录层的记录/再现。2.如权利要求1所述的具有多个记录层的光盘，重复包括当所述激光束投射到所述盘上时，按其从上部开始的顺序，在所述第二记录层和所述反射层之间，一涂层，所述激光束以一预定反射率被该涂层部分反射，激光束另一部分透射；一介电层；以及一记录层，具有所要求的式样，在所述介电层之下形成。3.一种具有多个记录层的光盘，其中在/从该盘记录/再现信息是由从一光学头装置照射的具有不同波长的第一和第二激光束执行的，包括当所述第一或第二激光束投射到所述盘上时，按其从上部开始的顺序，一保护层；一第一记录层，具有所要求的式样，在所述保护层之下形...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔良吾，
申请(专利权)人：大宇电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]