一种改进的可控硅结构制造技术

本实用新型专利技术涉及可控硅技术领域，尤其是一种改进的可控硅结构，包括第一N型半导体，所述第一N型半导体两侧分别固定设有第一P型半导体和第二P型半导体，所述第一P型半导体和第一N型半导体相背的一侧上固定设有铝片，所述铝片和第一P型半导体相背的一侧上固定设有钼片，所述钼片上固定设有阳极引脚，所述第一N型半导体和第一P型半导体相背的一侧上固定设有第二P型半导体，所述第二P型半导体中镶嵌固定设有第二N型半导体，所述第二N型半导体上固定设有金锑片，所述金锑片和第二N型半导体相背的侧面设置在第二P型半导体的外部。本实用新型专利技术在使用时，在防护壳的作用下，能够延长该改进的可控硅结构的使用寿命。进的可控硅结构的使用寿命。进的可控硅结构的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种改进的可控硅结构


[0001]本技术涉及可控硅
，尤其涉及一种改进的可控硅结构。

技术介绍

[0002]可控硅简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。现有的可控硅在使用时，没有防护机构，容易造成可控硅的损坏。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是为了解决现有技术中存在的可控硅上没有防护机构的缺点，而提出的一种改进的可控硅结构。
[0004]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
[0005]设计一种改进的可控硅结构，包括第一N型半导体，所述第一N型半导体两侧分别固定设有第一P型半导体和第二P型半导体，所述第一P型半导体和第一N型半导体相背的一侧上固定设有铝片，所述铝片和第一P型半导体相背的一侧上固定设有钼片，所述钼片上固定设有阳极引脚，所述第一N型半导体和第一P型半导体相背的一侧上固定设有第二P型半导体，所述第二P型半导体中镶嵌固定设有第二N型半导体，所述第二N型半导体上固定设有金锑片，所述金锑片和第二N型半导体相背的侧面设置在第二P型半导体的外部，所述金锑片一侧的第二P型半导体上镶嵌固定设有金硼钯片，所述第二P型半导体外部的金硼钯片和金锑片上分别固定设有控制极引脚和金锑片，所述钼片、铝片、第一P型半导体、第一N型半导体、第二P型半导体、第二N型半导体、金锑片和金硼钯片上共同套装固定设有防护壳，所述阳极引脚、阴极引脚和控制极引脚均贯穿防护壳设置。
[0006]优选的，所述防护壳为导热塑料制成。
[0007]优选的，所述防护壳的四周的外侧壁上均等距固定设有散热片。
[0008]优选的，相邻两个所述散热片之间的防护壳上等距且贯穿设有散热孔。
[0009]本技术提出的一种改进的可控硅结构，有益效果在于：该改进的可控硅结构在使用时，在防护壳的作用下，能够对钼片、铝片、第一P型半导体、第一N型半导体、第二P型半导体、第二N型半导体、金锑片、和金硼钯片起到保护作用，延长钼片、铝片、第一P型半导体、第一N型半导体、第二P型半导体、第二N型半导体、金锑片、和金硼钯片的使用寿命。
附图说明
[0010]图1为本技术提出的一种改进的可控硅结构的结构示意图；
[0011]图2为本技术提出的一种改进的可控硅结构的俯视图。
[0012]图中：钼片1、阳极引脚2、铝片3、第一P型半导体4、第一N型半导体5、第二P型半导体6、第二N型半导体7、金锑片8、阴极引脚9、金硼钯片10、控制极引脚11、防护壳12、散热孔
13、散热片14。
具体实施方式
[0013]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0014]实施例1
[0015]参照图1和2，一种改进的可控硅结构，包括第一N型半导体5，第一N型半导体5两侧分别固定设有第一P型半导体4和第二P型半导体6，第一P型半导体4和第一N型半导体5相背的一侧上固定设有铝片3，铝片3和第一P型半导体4相背的一侧上固定设有钼片1，钼片1上固定设有阳极引脚2，第一N型半导体5和第一P型半导体4相背的一侧上固定设有第二P型半导体6，第二P型半导体6中镶嵌固定设有第二N型半导体7，第二N型半导体7上固定设有金锑片8，金锑片8和第二N型半导体7相背的侧面设置在第二P型半导体6的外部，金锑片8一侧的第二P型半导体6上镶嵌固定设有金硼钯片10，第二P型半导体6外部的金硼钯片10和金锑片8上分别固定设有控制极引脚11和金锑片8，钼片1、铝片3、第一P型半导体4、第一N型半导体5、第二P型半导体6、第二N型半导体7、金锑片8和金硼钯片10上共同套装固定设有防护壳12，阳极引脚2、阴极引脚9和控制极引脚11均贯穿防护壳12设置。
[0016]该改进的可控硅结构在使用时，在防护壳12的作用下，能够对钼片1、铝片3、第一P型半导体4、第一N型半导体5、第二P型半导体6、第二N型半导体7、金锑片8、和金硼钯片10起到保护作用，延长钼片1、铝片3、第一P型半导体4、第一N型半导体5、第二P型半导体6、第二N型半导体7、金锑片8、和金硼钯片10的使用寿命。
[0017]实施例2
[0018]在实施例1中，防护壳12的设置会影响到第一P型半导体4、第一N型半导体5、第二P型半导体6和第二N型半导体7的散热效果，参照图1和2，作为本技术的另一优选实施例，与实施例1的区别在于，防护壳12为导热塑料制成，防护壳12的四周的外侧壁上均等距固定设有散热片14，相邻两个散热片14之间的防护壳12上等距且贯穿设有散热孔13。导热塑料制成的防护壳12自身具有一定能力的散热能力，再加上散热孔13和散热片14的协助，能够提升在有防护壳12的防护下，该改进的可控硅结构的散热效果。
[0019]以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改进的可控硅结构，其特征在于，包括第一N型半导体(5)，所述第一N型半导体(5)两侧分别固定设有第一P型半导体(4)和第二P型半导体(6)，所述第一P型半导体(4)和第一N型半导体(5)相背的一侧上固定设有铝片(3)，所述铝片(3)和第一P型半导体(4)相背的一侧上固定设有钼片(1)，所述钼片(1)上固定设有阳极引脚(2)，所述第一N型半导体(5)和第一P型半导体(4)相背的一侧上固定设有第二P型半导体(6)，所述第二P型半导体(6)中镶嵌固定设有第二N型半导体(7)，所述第二N型半导体(7)上固定设有金锑片(8)，所述金锑片(8)和第二N型半导体(7)相背的侧面设置在第二P型半导体(6)的外部，所述金锑片(8)一侧的第二P型半导体(6)上镶嵌固定设有金硼钯片(10)，所述第二P型半导体(6...

【专利技术属性】
技术研发人员：王希恒，陈桂红，王恒庆，
申请(专利权)人：襄阳市建恒电气有限公司，
类型：新型
国别省市：