一种封装盖板及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种封装盖板及其制备方法，所述封装盖板包括基片和基片表面金属层结构，所述基片表面金属层结构包括至少两层金属层；所述基片表面第一层金属层为粘附金属层，第二层金属层为铜金属层或铜合金层，所述粘附金属层在基片与第二层金属层之间，所述粘附金属层用于粘结基片与金属层或金属层与金属层，以及提供一种制备封装盖板方法。本发明专利技术提供的一种封装盖板及其制备方法，采用了图形电镀技术，同时采用了基片表面粗化工艺，能够提高基片与表面金属层间结合力，在后续封装过程中密封性能更好；基片材质可以选择玻璃、陶瓷或金属。陶瓷或金属。陶瓷或金属。

The invention relates to a packaging cover plate and a preparation method thereof

【技术实现步骤摘要】
一种封装盖板及其制备方法


[0001]本专利技术属于电子封装
，具体涉及一种封装盖板及其制备方法。

技术介绍

[0002]现有电子封装技术中，随着封装技术发展和系统集成度提高，电子器件不断小型化，封装密度不断提高，散热成为电子器件封装的关键技术，直接影响到器件使用性能与可靠性。同时随着电子器件小型化，以及一些电子器件对封装组件的要求提高，包括对产品性能等要求也越来越高。常见的封装技术一般采用在散热基板与封装盖板之间采用黏胶方式进行封装，这种封装组件下存在因组成各部分热导率差异，当随着封装的电子元件在使用过程中发热而产生热量，导致黏胶与封装盖板及散热基板之间因热失配而导致内部出现缝隙，气密性难以保证，从而影响电子器件性能与可靠性。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供的封装盖板及其制备方法，能够解决上述问题，能够基于该封装盖板，提高封装组件的气密性与一致性，也能够增加封装组件的使用寿命。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案为：
[0005]一种封装盖板，其特征在于：所述封装盖板包括基片和基片表面金属层结构，所述基片表面金属层结构包括至少两层金属；所述基片表面第一金属层为粘附金属层，第二金属层为金属铜或铜合金，所述粘附金属层在基片与第二金属层之间，所述粘附金属层用于粘结基片与金属层。
[0006]进一步地，所述基片表面金属层为环状金属层，所述基片表面环状金属层，例如为四边形、圆形、三角形或多边形。
[0007]进一步地，所述基片表面金属层结构为两层金属。
[0008]进一步地，所述粘附金属层厚度为300～400nm。
[0009]进一步地，所述粘附金属层材质为金属Ti、Ni、Cr或NiCr合金。
[0010]进一步地，所述基片材质为玻璃，例如为石英玻璃、荧光玻璃、普通光学玻璃或透红外玻璃。
[0011]进一步地，所述基片材质为金属，例如为可伐金属(FeCoNi)或铜(Cu)金属。
[0012]进一步地，所述基片材质为陶瓷，例如为氧化铝陶瓷、氮化铝陶瓷或氮化硅陶瓷。
[0013]进一步地，所述基片表面金属层的环状结构层上还设有其他金属层。
[0014]还提供一直封装盖板制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
[0015]步骤a：对基片表面贴覆干膜、曝光、显影；对基片进行表面粗化处理；然后进行退膜处理；
[0016]步骤b：采用真空溅射镀膜工艺，对步骤a中退膜后的基片表面依次溅射粘附金属层、铜或者铜合金；
[0017]步骤c：对步骤b中的在表面依次溅射粘附金属层、铜或者铜合金的基片表面再次
贴覆干膜、曝光、显影；
[0018]步骤d：对步骤c中的基片表面电镀铜层或者铜合金层；
[0019]步骤e：对步骤d中的基片进行退膜、蚀刻铜层或铜合金层/粘附金属层，得到表面含粘附金属层和铜层环状结构的盖板。
[0020]进一步地，对步骤e中的基片表面进行化学镀其他金属层。
[0021]进一步地，步骤a中对基片表面粗化采用3％～10％HF溶液，或10％HCl/HNO3溶液(1:1)，或3％～10％NaOH溶液。
[0022]由于采用了上述技术方案，具有如下优点：
[0023](1)通过对基片进行处理，在基片上形成环状多层金属层，其中与基片相接触的第一金属层为粘附金属层，尤其可为金属Ti、Ni、Cr或NiCr合金，其次挨着粘附金属层的第二金属层为铜或铜合金层，形成一种表面具有多种环状金属层结构的封装盖板，该封装盖板能够与现有各种具有围坝结构的封装基板进行焊接，实现气密封装；
[0024](2)在基片上形成环状多层金属层，制备一种封装盖板，能够满足用于封装组件的盖板需求，对基片表面的金属层实现增厚，采用该结构的封装组件，能够实现封装组件的密封性；
[0025](3)本封装盖板的制作方法采用了图形电镀工艺，能够实现在基片表面电镀沉积多种所需的金属层；
[0026](4)采用了表面粗化工艺。对基片表面涂覆干膜，对基片底面进行保护，然后对基片表面进行湿法腐蚀处理。针对玻璃基片、陶瓷基片或金属基片，可分别采用低浓度氢氟酸溶液、氢氧化钠溶液和盐酸/硝酸混合溶液进行粗化处理，增强基片与表面金属层之间的结合力，提高封装气密性；
[0027](5)基片材质选取上，玻璃材质选取上可以为石英玻璃、荧光玻璃、普通光学玻璃或透红外玻璃，满足不同光学元件封装需求；
[0028](6)基片材质选取上，还可以选取陶瓷或金属，用于满足其他电子元件封装需求，提高封装组件气密性。
附图说明
[0029]图1为封装盖板制作工艺流程图；
[0030]图2为一种实施例下的封装盖板截面示意图；
[0031]图3为一种封装盖板俯视图；
[0032]图4为一种实施例下的封装盖板制作工艺流程图。
[0033]附图标记：1-基片；2-干膜；3-粘附金属层；4-铜或铜合金层；5-其他金属层。
具体实施方式
[0034]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术作出进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0035]以下结合图1、图2和图3，结合具体实施例进行如下详细说明：
[0036]实施例1：
[0037]针对基片材质为石英玻璃，同时粘附金属层为Ti的情况，采用如下制作工艺进行处理：
[0038]步骤a：首先对该石英玻璃基片进行表面粗化处理。对基片表面进行贴覆干膜、曝光、显影步骤，如图1，使得玻璃基片一侧表面中间具有干膜，周围暴露出环状的裸露玻璃基片，同样的，该裸露的玻璃基片不止为封闭环状，根据封装器件的封装形状和封装性能要求，也可为非封闭环状或其他形状，例如为正方形封闭环状或为正方形非封闭环状，该非封闭环状具有一处或多处开口；
[0039]然后对上述处理后的基片进行表面粗化处理，该步粗化处理过程能够使得该裸露的玻璃基片后续在进行电镀金属后，能够起到提高电镀金属与玻璃基片间的结合力，即对玻璃基片表面的环状、非封闭环状或其他形状的裸露玻璃基片进行粗化处理。具体粗化过程为将经过贴覆干膜、曝光、显影后的石英玻璃基片放入质量分数为3％-10％、温度为25℃-45℃的氢氟酸溶液中浸泡30-60分钟，然后退去玻璃基片表面干膜；
[0040]步骤b：采用真空溅射镀膜工艺，对步骤a中进行粗化、退膜处理后的玻璃基片表面依次溅射第一金属层(Ti)和第二金属层(Cu)；
[0041]为保证金属层与玻璃基片以及金属层与金属层间结合力，其中所溅射的第一金属层(Ti)厚度为300～400nm，第二金属层(Cu)厚度为300～400nm；
[0042]步骤c：对步骤b中的玻璃基片表面再次进行贴覆干膜、曝光、显影处理工艺，使得玻璃基片表面形成中间涂覆有干膜的外环裸露Ti/Cu层的玻璃基片；
[0043]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装盖板，其特征在于：所述封装盖板包括基片和基片表面金属层结构，所述基片表面金属层结构包括至少两层金属；所述基片表面第一金属层为粘附金属层，第二金属层为铜层或铜合金层；所述粘附金属层在基片与第二金属层之间，所述粘附金属层用于粘结基片与金属层。2.如权利要求1所述的一种封装盖板，其特征在于：所述基片表面的金属层为环状结构，例如为四边形、圆形、三角形或多边形。3.如权利要求1所述的一种封装盖板，其特征在于：所述基片表面的金属层结构为两层金属。4.如权利要求1、2或3所述的一种封装盖板，其特征在于：所述粘附金属层厚度为300～400nm。5.如权利要求1、2或3所述的一种封装盖板，其特征在于：所述粘附金属层材质为金属Ti、Ni、Cr或NiCr合金。6.如权利要求1、2或3所述的一种封装盖板，其特征在于：所述基片材质为玻璃，例如为石英玻璃、荧光玻璃、普通光学玻璃或透红外玻璃。7.如权利要求1、2或3所述的一种封装盖板，其特征在于：所述基片材质为金属，例如为可伐合金或铜。8.如权利要求1、2或3所述的一种封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘松坡，黄卫军，刘学昌，
申请(专利权)人：武汉利之达科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：