磁阻头制造技术

提供了一种采用ＭＲ元件作为磁探测器并在衬底上制作有磁头元件的ＭＲ头，它包含并联连接于ＭＲ元件的电容器。衬底由导电材料制成并用作组成电容器的一个电极。由于这种构造，ＭＲ头的ＭＲ元件很难由于ＥＳＤ／ＥＯＳ而被击穿。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到磁阻头，它包含从磁记录介质探测磁场的磁阻元件。已经证明，使用磁阻元件(以下称为“MR元件”)来探测磁记录介质磁场的磁阻头(以下称为“MR头”)存在着因静电放电(ESD)或电过载(EOS)造成MR元件击穿，从而损坏MR头的问题。更确切地说，ESD或EOS会引起流向MR元件的过电流，过电流产生的热和磁场则会损伤MR元件。据信，通过诸如晶片制作、加工、组装等一系列生产MR头的工艺，外部电荷通过工艺流入被生产的MR头并引起过电流流向MR头的MR元件，此过电流引起直接或间接损伤MR元件的热和磁场。注意在晶片制作工艺中，一起组成MR头的磁头元件被制作在晶片衬底上。加工工艺是将其上已经制作有MR头元件的晶片衬底切割成单个的MR头小片，并用预定的方式对MR头小片进行机械加工。在组装工序中，这样加工过的MR头被安装在磁头底座上，而MR头的端子被连接到预定的引线，从而组装成包含MR头的磁头单元。除上述考虑之外，MR头组装在磁头单元中之后在某些情况下MR元件也会因ESD/EOS而被击穿。更具体地说，例如当MR头被组装在硬盘驱动器中时，电荷可能从磁盘流入MR头，引起过电流流向MR头的M本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用磁阻元件作为磁探测器并在衬底上制作有磁头元件的磁阻头，它包含：并联连接于磁阻元件的电容器；衬底由导电材料制成以便用作构成电容器的一个电极。

【技术特征摘要】
JP 1998-4-8 096458/981．一种采用磁阻元件作为磁探测器并在衬底上制作有磁头元件的磁阻头，它包含并联连接于磁阻元件的电容器；衬底由导电材料制成以便用作构成电容器的一个电极。2．权利要求1所述的磁阻头还包含通过绝缘层制作在衬底上的导电层；通过绝缘层制作在导电层上的第一磁屏蔽；磁阻元件通过绝缘层制作在第一磁屏蔽上；以及通过绝缘层制作在磁阻元件上的第二磁屏蔽；绝缘层电连接于磁阻元件的一端；以...

【专利技术属性】
技术研发人员：高田昭夫，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]