用于滇金石斛的培养基、快速繁殖方法技术

本发明专利技术提供了合适的用于滇金石斛无菌播种后组织培养用的培养基配方，通过培养基各个组份的配合，并采取合理的无菌播种时机、无菌播种条件，在这些各项因素的合理配合下，实现了不需要兰菌存在的条件下，滇金石斛也能够播种后萌发、生根、壮苗、移栽，其存活率高。可见本发明专利技术快速繁殖的体系，该方法可以满足滇金石斛快速繁殖的工业生产需求，成为石斛的优良替代。代。代。

【技术实现步骤摘要】
用于滇金石斛的培养基、快速繁殖方法


[0001]本专利技术属于植物组织培养
，具体涉及滇金石斛的壮苗培养基、快速繁殖方法。

技术介绍

[0002]金石斛属(Flickingeria)是兰科植物中的一种，本属约70种,主要分布于热带东南亚菲律宾新几内亚和大洋洲的一些群岛。我国迄今记录10种1变种,现有研究表明,金石斛属植物含有同科石斛属植物相同结构类型的菲类、联苄、酚酸和木脂素等成分。具有抗肿瘤、抗衰老、增强机体免疫力、扩张血管及抗血小板凝集等作用。但石斛属植物生长条件苛刻，随着环境的破坏及人为掠夺性采挖，资源越来越少，有些物种已濒临灭绝的边缘。因此，兰科近缘属的金石斛属植物在临床上常替代石斛类药材使用。
[0003]滇金石斛Flickingeria albopurpurea Seidenf是金石斛属的一种，主要分布于中国云南省，生长在海拔0.8
‑
1.2km的山地疏林中的树干或林下岩石上。在驯化养护过程中，滇金石斛相对于石斛属植物苛刻的生长条件，表现出对于环境的较高的抗性和适应力，较易栽培。但作为兰科植物，滇金石斛种子和其它大部分兰科植物一样特别小，没有种胚，自然条件下萌发率低(不足5％)并且要有兰菌存在的条件下才能萌发，繁殖率极低，萌发后仍存在生根率底、存活率低、不易移植的问题，严重阻碍了滇金石斛的工业扩繁，不能很好的满足市场规模化生产的需求。因此，有必要找到一种滇金石斛无菌播种及组织培养快速繁殖的方法。

技术实现思路

[0004]基于此，本专利技术的目的在于提供一种滇金石斛的繁殖的方法，以通过滇金石斛无菌播种提高萌发率及组织培养的方法，实现滇金石斛的快速繁殖，以满足市场规模化生产的需求，使其成为石斛的优良替代。
[0005]本专利技术的其中一个目的在于提供一种用于滇金石斛的培养基，具体技术方案如下：
[0006]一种用于滇金石斛的培养基，每升培养基中包括以下组分：
[0007][0008]在其中一些实施例中，每升培养基中包括以下组分：
[0009][0010]其中，1/2MS基础培养基是指大量元素减半,其余不变的MS基础培养基。
[0011]本专利技术还提供了如上所述的培养基在滇金石斛无菌播种后组织培养中的应用，其特征在于，包括以下步骤：人工授粉后取未裂开的果荚、灭菌处理、接种至诱导萌发培养基；将萌发出的圆球球茎及根状茎切块置于增殖培养基中进行增殖培养；增殖培养形成的幼苗置于壮苗生根培养基中进行壮苗生根培养；生根苗移栽。
[0012]在其中一些实施例中，每升所述诱导萌发培养基包含以下组分：
[0013]1/2MS基础培养基0.45
‑
0.55L，NAA0.45
‑
0.55g，蔗糖25
‑
35g，琼脂7
‑
7.5g；
[0014]和/或所述增殖培养基为上述两种培养基中的任一种；
[0015]和/或所述壮苗生根培养基为上述两种培养基中的任一种。
[0016]本专利技术的另一目的在于提供一种滇金石斛的快速繁殖方法，具体技术方案如下：
[0017]一种滇金石斛的快速繁殖方法，包括以下步骤：
[0018]人工授粉后取未裂开的果荚、灭菌处理、接种至诱导萌发培养基；
[0019]将萌发出的圆球球茎及根状茎切块置于增殖培养基中进行增殖培养；
[0020]增殖培养形成的幼苗置于壮苗生根培养基中进行壮苗生根培养；所述壮苗生根培
养基为上述两种培养基中的任一种；
[0021]生根苗移栽。
[0022]在其中一些实施例中，所述灭菌处理为：果荚经流水冲洗后，在超净工作台上用70％
‑
80％酒精擦洗干净，再用升汞溶液灭菌5
‑
15min，无菌水冲洗5
‑
8 次，用无菌滤纸吸干残余水分。
[0023]在其中一些实施例中，所述接种至诱导萌发培养基后，进行弱光培养，光照强度为500
‑
1000lx，光照周期为10
‑
14h，温度为24℃
‑
26℃。
[0024]在其中一些实施例中，所述增殖培养的步骤包括：将萌发出的圆球球茎及根状茎，小心切成1
‑
2mm左右，接种到增殖培养基中进行增殖培养，光照强度为1500
‑
2000lx，光照周期为10
‑
14h，温度为24℃
‑
26℃，每4周继代一次。
[0025]在其中一些实施例中，所述壮苗生根培养的步骤包括：把圆球球茎及根状茎增殖继代形成的幼苗转接到壮苗生根培养基上进行壮苗生根培养，每4周转接一次，转接3次。光照强度为1500
‑
2000lx，光照周期为12h，温度为24℃
‑
26℃。
[0026]在其中一些实施例中，包括以下步骤：
[0027]人工授粉：植株亲本于中午10：00
‑
14：00授粉；授粉60
‑
70天后，得到未开裂成熟度为80％的果荚进行无菌播种；
[0028]果荚预处理：果荚经流水冲洗后，在超净工作台上用75％酒精擦洗干净，再用0.1％升汞溶液灭菌10min，无菌水冲洗5
‑
8次，用无菌滤纸吸干残余水分；
[0029]种子播种及萌发：切开消毒好的果荚将种子接种在诱导萌发培养基中，进行弱光培养，光照强度为500
‑
1000lx，光照周期为12h，温度为24℃
‑
26℃，大约80
‑
90天后，种子长出圆球球茎及根状茎；
[0030]增殖继代培养：将萌发出的圆球球茎及根状茎，小心切成1
‑
2mm左右，接种到增殖培养基中进行增殖培养，光照强度为1500
‑
2000lx，光照周期为12h，温度为24℃
‑
26℃，每4周继代一次，增殖率达5倍后，进行壮苗生根培养；
[0031]壮苗生根培养：把圆球球茎及根状茎增殖继代形成的幼苗转接到如权利要求1或2所述的培养基上进行壮苗生根培养，每4周转接一次，转接3次；光照强度为1500
‑
2000lx，光照周期为12h，温度为24℃
‑
26℃；
[0032]生根苗移栽。
[0033]基于上述技术方案，本专利技术具有以下有益效果：
[0034]本专利技术寻找到了合适的用于滇金石斛无菌播种后组织培养用的培养基配方，通过培养基各个组份的配合，并采取合理的无菌播种时机、无菌播种条件，在这些各项因素的合理配合下，实现了不需要兰菌存在的条件下，滇金石斛也能够播种后萌发、生根、壮苗、移栽，其存活率高。可见本专利技术快速繁殖的体系，该方法可以满足滇金石斛快速繁殖的工业生产需求，成为石斛的优良替代。
附图说明
[0035]图1为实施例1滇金石斛温室驯化、开花的图片；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于滇金石斛的培养基，其特征在于，每升培养基中包括以下组分：2.根据权利要求1所述的用于滇金石斛的培养基，其特征在于，每升培养基中包括以下组分：3.权利要求1或2所述的培养基在滇金石斛无菌播种后组织培养中的应用，其特征在于，包括以下步骤：人工授粉后取未裂开的果荚、灭菌处理、接种至诱导萌发培养基；将萌发出的圆球球茎及根状茎切块置于增殖培养基中进行增殖培养；增殖培养形成的幼苗置于壮苗生根培养基中进行壮苗生根培养；生根苗移栽。4.根据权利要求3所述的应用，其特征在于，每升所述诱导萌发培养基包含以下组分：MS基础培养基0.45
‑
0.55L，萘乙酸0.45
‑
0.55g，蔗糖25
‑
35g，琼脂7
‑
7.5g；和/或所述增殖培养基为如权利要求1或2所述的培养基；和/或所述壮苗生根培养基为如权利要求1或2所述的培养基。5.一种滇金石斛的快速繁殖方法，其特征在于，包括以下步骤：人工授粉后取未裂开的果荚、灭菌处理、接种至诱导萌发培养基；将萌发出的圆球球茎及根状茎切块置于增殖培养基中进行增殖培养；
增殖培养形成的幼苗置于壮苗生根培养基中进行壮苗生根培养；所述壮苗生根培养基为如权利要求1或2所述的培养基；生根苗移栽。6.根据权利要求5所述的滇金石斛的快速繁殖方法，其特征在于，所述灭菌处理为：果荚经流水冲洗后，在超净工作台上用70％
‑
80％酒精擦洗干净，再用升汞溶液灭菌5
‑
15min，无菌水冲洗5
‑
8次，用无菌滤纸吸干残余水分。7.根据权利要求5所述的滇金石斛的快速繁殖方法，其特征在于，所述接种至诱导萌发培养基后，进行弱光培养，光照强度为500
‑
1000lx，光照周期为10
‑
14h，温度为24℃
‑
26℃。8.根据权利要求5所述的滇金石斛的快速繁殖方法，其特征在于，所述增殖培养的步骤包括：将萌发出的圆球球茎及根状茎，小心切成1
‑
2mm左右...

【专利技术属性】
技术研发人员：张如瑶，高燕，
申请(专利权)人：上海植物园，
类型：发明
国别省市：