一种用于第三代半导体的精密加工装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于第三代半导体的精密加工装置，包括加工工作台和用于对SiC晶片进行加工的钻孔机构，其所述工作台上方且位于钻孔机构下方设有用于对SiC晶片在加工时进行支撑的支撑板，所述支撑板上设有两个夹持板，此用于第三代半导体的精密加工装置，通过在工作台上方的支撑板上设有的两个夹持板，两个夹持板在调节件的调节件，可以实现对不同尺寸型号大小的SiC晶片在加工时进行可调式固定的作用，同时在调节件支撑板上对应设有的去除机构，该去除机构不仅能够实现对SiC晶片在打孔加工后，实现对其孔径中残留的杂质进行快速振动去除的作用，进一步的提高SiC晶片打孔加工的精度。的精度。的精度。

【技术实现步骤摘要】
一种用于第三代半导体的精密加工装置


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，具体为一种用于第三代半导体的精密加工装置。

技术介绍

[0002]第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等,因其禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV),又被称为宽禁带半导体材料。和第一代、第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求,是半导体材料领域最有前景的材料,在国防、航空、航天、石油勘探、光存储等领域有着重要应用前景,在宽带通讯、太阳能、汽车制造、半导体照明、智能电网等众多战略行业可以降低50％以上的能量损失,最高可以使装备体积减小75％以上,对人类科技的发展具有里程碑的意义。
[0003]目前，现有的第三代半导体SiC晶片的工业生产中，需要对SiC晶片进行打孔加工，而现有的SiC晶片在进行加工时，一方面由于材料整体体积较小且厚度较薄，因此每种型号的SiC晶片，都需要相应的模具对其进行定位以及固定，该种方式不仅增加加工成本，同时不便于SiC晶片加工前的放置以及SiC晶片加工后的拿取，另一方面在SiC晶片打孔的过程中，由于孔径较小，则会存在较多的杂质残留在孔洞中，从而影响SiC晶片打孔加工的精度，为此，我们提出一种用于第三代半导体的精密加工装置。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种用于第三代半导体的精密加工装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种用于第三代半导体的精密加工装置，包括加工工作台和用于对SiC晶片进行加工的钻孔机构，其所述工作台上方且位于钻孔机构下方设有用于对SiC晶片在加工时进行支撑的支撑板，所述支撑板上设有两个夹持板，所述支撑板上设有用于对两个夹持板之间的夹持距离进行调节的调节件；
[0006]且支撑板底端设有去除机构，所述去除机构用于对SiC晶片在钻孔后对其孔径中的杂质进行去除。
[0007]优选的，所述支撑板中心处设有通孔，且去除机构在SiC晶片加工时使通孔处保持填充状态。
[0008]优选的，所述去除机构包括设置在通孔处的圆板，所述圆板底端设有对其相对于通孔位置进行伸缩支撑的支撑机构，所述支撑机构底端设有安装在支撑板底端的固定壳；
[0009]所述调节件位于固定壳内部且连接端与两个夹持板连接；
[0010]所述固定壳的一侧设有对其上的杂质进行吸附的除尘机构；
[0011]所述固定壳底端且位于工作台上设有对钻孔的SiC晶片孔内含有杂质进行去除的振动去杂机构。
[0012]优选的，所述支撑机构包括安装在固定壳内部的电动推杆，通过所述电动推杆伸缩，使支撑板位于通孔处或脱离通孔处。
[0013]优选的，所述支撑板上设有两个滑槽，且调节件贯穿两个滑槽与支撑板连接。
[0014]优选的，所述调节件包括分别设置在两个夹持板底端的四个连接杆，四个连接杆底端均穿过滑槽，两个所述连接杆形成一组，且两个连接杆之间设有卡接件，两个所述连接杆通过卡接件卡接有连接壳；
[0015]所述连接壳外侧安装有螺纹套，四个所述螺纹套相互之间设有相向移动件，通过四个所述相向移动件分别带动四组连接杆两两相向移动，使两个夹持板之间的距离进行调节。
[0016]优选的，所述夹持板底端设有两个导向槽，且两个导向槽内部均安装有导向条，所述连接杆顶端设有与导向条相互滑动连接的移动槽。
[0017]优选的，所述卡接件包括两端分别与两个连接杆连接的多个缓冲弹簧，且两个连接杆相互远离的一侧均安装有卡接块，所述连接壳上对应两个卡接块的位置分别设有卡接口。
[0018]优选的，所述相向移动件包括转动连接在固定壳内部的分别两个双向螺纹杆，四个所述螺纹套分别两两螺纹套接在两个双向螺纹杆外侧，两个所述双向螺纹杆的一端均安装有驱动齿轮，两个所述驱动齿轮之间传动连接有齿轮链，且其中一个所述驱动齿轮的外侧安装有对其进行驱动的驱动电机。
[0019]优选的，所述振动去杂机构包括安装在固定壳底部四角的缓冲机构，四个所述缓冲机构均安装在工作台上，所述工作台上设有转动杆，所述转动杆中心处设有齿轮传动机构，且转动杆的两端分别固定安装有偏心轮，所述偏心轮上滑动连接有滚轮，且滚轮相对偏心轮进行移动，所述滚轮上安装有固定杆，所述固定杆使滚轮与固定壳之间进行连接，且随着滚轮的上下移动，以及四个缓冲机构支撑，使支撑板上的SiC晶片一定程度的振动，使其钻孔处的杂质掉落。
[0020]优选的，两个所述夹持板相互靠近的一侧中心处设有安装槽，且安装槽内部设有压力传感器，所述压力传感器外侧且位于夹持板内侧安装有防滑接触垫。
[0021]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0022]1、本专利技术在进行使用时，通过在工作台上方的支撑板上设有的两个夹持板，两个夹持板在调节件的调节件，可以实现对不同尺寸型号大小的SiC晶片在加工时进行可调式固定的作用，同时在调节件支撑板上对应设有的去除机构，该去除机构不仅能够实现对SiC晶片在打孔加工后，实现对其孔径中残留的杂质进行快速振动去除的作用，进一步的提高SiC晶片打孔加工的精度。
[0023]2、本专利技术通过在支撑板上设有的圆孔，同时在圆孔处设有的圆板，该圆板可以随着电动推杆相对于圆孔处进行上下移动，从而便于SiC晶片在加工前的放置，同时便于SiC晶片在加工后的取出的作用。
附图说明
[0024]图1为本专利技术整体结构示意图；
[0025]图2为本专利技术固定壳结构示意图；
[0026]图3为本专利技术固定壳侧视结构示意图；
[0027]图4为本专利技术固定壳内部结构示意图；
[0028]图5为本专利技术支撑机构结构示意图；
[0029]图6为本专利技术双向螺纹杆结构示意图；
[0030]图7为本专利技术夹持板结构示意图；
[0031]图8为本专利技术夹持板侧视结构示意图；
[0032]图9为本专利技术压力传感器结构示意图；
[0033]图10为本专利技术压力传感器电性连接关系结构示意图。
[0034]图中：1
‑
工作台；2
‑
支撑板；3
‑
支撑板；31
‑
夹持板；311
‑
安装槽；312
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压力传感器；313
‑
防滑接触垫；32
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导向条；33
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通孔；4调节件；41
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连接杆；42
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连接壳；43
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螺纹套；5
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去除机构；51
‑
圆板；52
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固定壳；6
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支撑机构；61
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电动推杆；7
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除尘机构；8
‑
卡接件；81
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于第三代半导体的精密加工装置，包括加工工作台(1)和用于对SiC晶片进行加工的钻孔机构(2)，其特征在于：所述工作台(1)上方且位于钻孔机构(2)下方设有用于对SiC晶片在加工时进行支撑的支撑板(3)，所述支撑板(3)上设有两个夹持板(31)，所述支撑板(3)上设有用于对两个夹持板(31)之间的夹持距离进行调节的调节件(4)；且支撑板(3)底端设有去除机构(5)，所述去除机构(5)用于对SiC晶片在钻孔后对其孔径中的杂质进行去除。2.根据权利要求1所述的一种用于第三代半导体的精密加工装置，其特征在于：所述支撑板(3)中心处设有通孔(33)，且去除机构(5)在SiC晶片加工时使通孔(33)处保持填充状态。3.根据权利要求1所述的一种用于第三代半导体的精密加工装置，其特征在于：所述去除机构(5)包括设置在通孔(33)处的圆板(51)，所述圆板(51)底端设有对其相对于通孔(33)位置进行伸缩支撑的支撑机构(6)，所述支撑机构(6)底端设有安装在支撑板(3)底端的固定壳(52)；所述调节件(4)位于固定壳(52)内部且连接端与两个夹持板(31)连接；所述固定壳(52)的一侧设有对其上的杂质进行吸附的除尘机构(7)；所述固定壳(52)底端且位于工作台(1)上设有对钻孔的SiC晶片孔内含有杂质进行去除的振动去杂机构(10)。4.根据权利要求3所述的一种用于第三代半导体的精密加工装置，其特征在于：所述支撑机构(6)包括安装在固定壳(52)内部的电动推杆(61)，通过所述电动推杆(61)伸缩，使支撑板(3)位于通孔(33)处或脱离通孔(33)处。5.根据权利要求1所述的一种用于第三代半导体的精密加工装置，其特征在于：所述支撑板(3)上设有两个滑槽，且调节件(4)贯穿两个滑槽与支撑板(3)连接。6.根据权利要求1所述的一种用于SiC晶片的精密加工装置，其特征在于：所述调节件(4)包括分别设置在两个夹持板(31)底端的四个连接杆(41)，四个连接杆(41)底端均穿过滑槽，两个所述连接杆(41)形成一组，且两个连接杆(41)之间设有卡接件(8)，两个所述连接杆(41)通过卡接件(8)卡接有连接壳(42)；所述连接壳(42)外侧安装有螺纹套(43)，四个所述螺纹套(43)相互之间设有相向移动件(9)，通过四个所述相向移动件(9)...

【专利技术属性】
技术研发人员：屈辉，
申请(专利权)人：深圳市煜辉泰电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：