一种埋阻金属箔制造技术

本实用新型专利技术涉及印制板技术领域，公开了一种埋阻金属箔，其包括介质层、第一阻隔层和埋阻金属箔本体，埋阻金属箔本体包括电阻层和导电层，第一阻隔层设于介质层和电阻层之间，导电层镀设于电阻层远离第一阻隔层的一面，电阻层上任意一处的预设单位面积内的阻值公差在

【技术实现步骤摘要】
一种埋阻金属箔


[0001]本技术涉及印制板
，特别是涉及一种埋阻金属箔。

技术介绍

[0002]随着电子产品小型化的发展趋势，对电子产品的封装密度和体积提出了更高的要求，而将电阻等无源器件隐埋到印制板中是一种减小电子产品尺寸的有效手段。
[0003]目前，现有的带隐埋电阻的印制板一般包括电阻层和铜箔层；其中，铜箔层直接采用成品的铜箔，通常将铜箔与电阻层相压合，从而应用于制造带隐埋电阻的印制板。隐埋电阻的制作通常设置有支撑体，如果支撑体上涂覆有胶，胶直接与电阻层接触，电阻层可能存在有针孔，但即使针孔足够细微，胶也可能渗入针孔内，影响电阻层的性能。

技术实现思路

[0004]本技术实施例的目的是提供一种埋阻金属箔，其能够保护电阻层，提升电阻层的电路性能。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术实施例提供一种埋阻金属箔，包括介质层、第一阻隔层和埋阻金属箔本体，所述埋阻金属箔本体包括电阻层和导电层，所述第一阻隔层设于所述介质层和所述电阻层之间，所述导电层镀设于所述电阻层远离所述第一阻隔层的一面上，所述电阻层上任意一处的预设单位面积内的阻值公差在
‑
10％～10％的范围内。
[0006]作为优选方案，所述埋阻金属箔还包括多个导电凸起；
[0007]多个所述导电凸起间隔分布在所述电阻层远离所述第一阻隔层的一面上，且多个所述导电凸起被所述导电层覆盖。
[0008]作为优选方案，多个所述导电凸起为第一金属颗粒和/或由多个第二金属颗粒组成的颗粒团簇。/>[0009]作为优选方案，所述埋阻金属箔还包括载体层，所述载体层设于所述介质层远离所述第一阻隔层的一面上。
[0010]作为优选方案，所述第一阻隔层包括层叠设置的耐高温层和金属粘结层；
[0011]所述金属粘结层设于所述耐高温层和所述电阻层之间。
[0012]作为优选方案，所述耐高温层为有机耐高温层；或，
[0013]所述耐高温层包括钨、铬、锆、钛、镍、钼、钴和石墨中的任意一种或多种。
[0014]作为优选方案，所述耐高温层为单层合金结构、由单金属层构成的多层结构或由合金层与单金属层构成的多层结构。
[0015]作为优选方案，所述金属粘结层包括铜、锌、镍、铁和锰中的任意一种或多种。
[0016]作为优选方案，所述导电层的厚度为2微米至20微米。
[0017]作为优选方案，所述导电层包括铝、银、铜、金中的任意一种或多种。
[0018]作为优选方案，所述导电层的导电率为所述电阻层的导电率的2
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1000倍。
[0019]作为优选方案，所述电阻层包括镍、铬、铂、钯、钛中的任意一种金属，或者包括镍、
铬、铂、钯、钛、硅中至少两种组合的合金。
[0020]作为优选方案，所述埋阻金属箔还包括第二阻隔层，所述第二阻隔层设于所述电阻层和所述导电层之间。
[0021]与现有技术相比，本技术实施例提供的埋阻金属箔包括介质层、第一阻隔层和埋阻金属箔本体，所述埋阻金属箔本体包括电阻层和导电层，所述第一阻隔层设于所述介质层和所述电阻层之间，导电层镀设于电阻层远离第一阻隔层的一面上，电阻层上任意一处的预设单位面积内的阻值公差在
‑
10％～10％的范围内。通过将所述第一阻隔层设于所述介质层和所述电阻层之间，可以有效隔离介质层与电阻层，避免了介质层与电阻层直接接触，以防止介质层进入电阻层，从而避免了介质层影响电阻层在电路传输上的性能。而且，通过将所述导电层镀设于所述电阻层远离所述第一阻隔层的一面上，使得无需采用成品的铜箔与电阻层相压合的方式形成埋阻金属箔，因此有效地避免了现有技术中由于表面粗糙度不均匀的铜箔直接与电阻层相压合而导致电阻层表面粗糙度不均匀，进而造成电阻层各个方向的单位面积的阻值不同的问题，从而降低了电阻层的各个方向上的单位面积的电阻值的差异，进而便于设计高精度的隐埋电阻。
附图说明
[0022]图1是本技术实施例一提供的埋阻金属箔的结构示意图；
[0023]图2是本技术实施例一提供的带有载体层的埋阻金属箔的结构示意图；
[0024]图3是本技术实施例一提供的包含导电凸起的埋阻金属箔的结构示意图；
[0025]图4是本技术实施例二提供的埋阻金属箔的结构示意图；
[0026]图5是本技术实施例三提供的埋阻金属箔的结构示意图；
[0027]图6是本技术实施例四提供的埋阻金属箔的制备方法的流程示意图。
[0028]其中，1、载体层；2、第一阻隔层；21、耐高温层；22、金属粘结层；3、埋阻金属箔本体；31、电阻层；32、导电层；4、介质层；5、第二阻隔层；6、导电凸起。
具体实施方式
[0029]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0030]实施例一
[0031]参见图1，是本技术实施例一提供的埋阻金属箔的结构示意图。
[0032]在本技术实施例中，所述埋阻金属箔包括介质层4、第一阻隔层2和埋阻金属箔本体3，所述埋阻金属箔本体3包括电阻层31和导电层32，所述第一阻隔层2设于所述介质层4和所述电阻层31之间，所述导电层32镀设于所述电阻层31远离所述第一阻隔层2的一面上，所述电阻层31上任意一处的预设单位面积内的阻值公差在
‑
10％～10％的范围内。
[0033]技术人在实施本技术的过程中，发现电阻层在制作过程中可能会产生有针孔，如果没有阻隔层，则介质层容易直接进入到针孔，从而影响电阻层的电路性能，而本技术实施例通过将所述第一阻隔层2设于所述介质层4和所述电阻层31之间，可以有效
隔离介质层4与电阻层31，避免了介质层4与电阻层31直接接触，以防止介质层4进入电阻层31，从而避免了介质层4影响电阻层31在电路传输上的性能。另外，在本技术实施例中，通过将所述导电层32镀设于所述电阻层31远离所述第一阻隔层2的一面上，使得无需采用成品的铜箔与电阻层相压合的方式形成埋阻金属箔，因此有效地避免了现有技术中由于表面粗糙度不均匀的铜箔直接与电阻层相压合而导致电阻层表面粗糙度不均匀，进而造成电阻层各个方向的单位面积的阻值不同的问题，从而降低了电阻层31的各个方向上的单位面积的电阻值的差异，进而便于设计高精度的隐埋电阻。
[0034]请参阅图2所示，在一种可选的实施方式中，所述埋阻金属箔还包括载体层1，所述载体层1设于所述介质层4远离所述第一阻隔层2的一面上。
[0035]技术人在实施本技术的过程中，发现在制备印制板时，需要将埋阻金属箔压合至印制板本体上；然而，由本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种埋阻金属箔，其特征在于，包括介质层、第一阻隔层和埋阻金属箔本体，所述埋阻金属箔本体包括电阻层和导电层，所述第一阻隔层设于所述介质层和所述电阻层之间，所述导电层镀设于所述电阻层远离所述第一阻隔层的一面上，所述电阻层上任意一处的预设单位面积内的阻值公差在
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10％～10％的范围内。2.如权利要求1所述的埋阻金属箔，其特征在于，所述埋阻金属箔还包括多个导电凸起；多个所述导电凸起间隔分布在所述电阻层远离所述第一阻隔层的一面上，且多个所述导电凸起被所述导电层覆盖。3.如权利要求2所述的埋阻金属箔，其特征在于，多个所述导电凸起为第一金属颗粒和/或由多个第二金属颗粒组成的颗粒团簇。4.如权利要求1所述的埋阻金属箔，其特征在于，所述埋阻金属箔还包括载体层，所述载体层设于所述介质层远离所述第一阻隔层的一面上。5.如权利要求1所述的埋阻金属箔，其特征在于，所述第一阻隔层包括层叠设置的耐高温层和金属粘结层；所述金属粘结层设于所述耐高温层和所述电阻层之间。6.如权利要求5所述的埋阻金属箔，其特征在于，所述耐高温层为有机耐高温层；或，所述耐高温层包括钨、铬、锆、钛、镍、钼、钴和石墨中的任意一种或多种。...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏陟，高强，
申请(专利权)人：广州方邦电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：