介质滤波器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种介质滤波器，包括至少一个工作于TE102模式的第一谐振器和至少一个工作于TE101模式的第二谐振器；所述第一谐振器的顶面和底面分别包括对称的顶面中心和底面中心；所述第一谐振器的顶面关于所述顶面中心对称设有一对第一调谐盲孔；所述第一谐振器的底面在所述底面中心设有底部盲孔；和/或所述第一谐振器设有贯穿顶面和底面的通孔，且所述通孔位于所述一对第一调谐盲孔的连线对应的中垂线上。借此，本实用新型专利技术能够在对加载TE102模式频率影响较小的情况下降低或升高加载TE101模式的频率，可大幅改善低频抑制性能，并且结构简单，易于实现，进一步提升了介质滤波器的设计灵活度和适应性。波器的设计灵活度和适应性。波器的设计灵活度和适应性。

【技术实现步骤摘要】
介质滤波器


[0001]本技术涉及滤波器
，尤其涉及一种介质滤波器。

技术介绍

[0002]滤波器是一种无线通信中不可或缺的频率选择器件，以陶瓷为载体的介质滤波器以其紧凑的体积和优良的性能有着越来越广的应用前景。
[0003]中国技术专利CN201980001851.9公开了一种陶瓷介质滤波器，所述陶瓷介质滤波器的容性耦合方式是利用双盲孔结构加载TE102模式来实现。通过该方式实现容性耦合结构简单，易于实现，但因为工作于TE102模式的谐振器本身仍存在TE101模式且TE101模式的谐振频率较TE102模式更低，所以该陶瓷介质滤波器的通带低频会产生寄生谐波，从而影响滤波器在低频的抑制性能。特别是当陶瓷介质滤波器有至少两个工作于TE102模式的谐振器时，这些谐振器各自的TE101模式会在通带低频产生至少两个寄生谐波，当它们频率接近时谐波相互叠加，严重影响低频的抑制性能。虽然通过调整该谐振器的双盲孔的间距可以一定程度来调整两个模式的谐振频率间隔，但间距的改变不仅同时影响两个模式的频率，而且会改变邻近的耦合量，所以设计时局限较大，对谐波频率的调节量也十分有限。
[0004]综上可知，现有技术在实际使用上显然存在不便与缺陷，所以有必要加以改进。

技术实现思路

[0005]针对上述的缺陷，本技术的目的在于提供一种介质滤波器，其能够大幅改善低频抑制性能，并且结构简单，易于实现。
[0006]为了实现上述目的，本技术提供一种介质滤波器，包括至少一个工作于TE102模式的第一谐振器和至少一个工作于TE101模式的第二谐振器；
[0007]所述第一谐振器的顶面和底面分别包括对称的顶面中心和底面中心；
[0008]所述第一谐振器的顶面关于所述顶面中心对称设有一对第一调谐盲孔；
[0009]所述第一谐振器的底面在所述底面中心设有底部盲孔；和/或
[0010]所述第一谐振器设有贯穿顶面和底面的通孔，且所述通孔位于所述一对第一调谐盲孔的连线对应的中垂线上。
[0011]根据本技术所述的介质滤波器，所述介质滤波器包括一个所述第一谐振器和至少两个所述第二谐振器，所述第一谐振器的底面在所述底面中心设有所述底部盲孔。
[0012]根据本技术所述的介质滤波器，所述介质滤波器包括两个所述第一谐振器和至少两个所述第二谐振器，其中一个所述第一谐振器的底面在所述底面中心设有所述底部盲孔，另一个所述第一谐振器设有贯穿其顶面和底面的所述通孔，且所述通孔位于所述一对第一调谐盲孔的连线对应的中垂线上。
[0013]根据本技术所述的介质滤波器，所述介质滤波器包括两个所述第一谐振器和至少两个所述第二谐振器，其中一个所述第一谐振器设有贯穿其顶面和底面的所述通孔，且所述通孔位于所述一对第一调谐盲孔的连线对应的中垂线上。
[0014]根据本技术所述的介质滤波器，所述第一谐振器的所述底部盲孔的深度增加，加载TE101模式的谐振频率降低，并且与加载TE102模式的谐振频率的间隔增大；和/或
[0015]所述第一谐振器的所述通孔与所述顶面中心或所述底面中心的距离减小，加载TE101模式的谐振频率升高，并且与加载TE102模式的谐振频率的间隔减小。
[0016]根据本技术所述的介质滤波器，所述第一谐振器的所述顶面中心为所述第一谐振器的顶面的平面中心或预定中心；
[0017]所述第一谐振器的所述底面中心为所述第一谐振器的底面的平面中心或预定中心。
[0018]根据本技术所述的介质滤波器，所述第二谐振器的顶面和底面分别包括对称的顶面中心和底面中心；
[0019]所述第二谐振器的顶面在所述顶面中心设有一个第二调谐盲孔，所述第一调谐盲孔的深度大于所述第二调谐盲孔的深度。
[0020]根据本技术所述的介质滤波器，所述第一谐振器通过调整所述第一调谐盲孔的直径、深度和/或间距，使加载TE102模式的谐振频率处于预定的滤波器通带频率附近；和/或
[0021]所述第二谐振器通过调整所述第二调谐盲孔的直径、深度和/或间距，使加载TE101模式的谐振频率处于预定的滤波器通带频率附近。
[0022]根据本技术所述的介质滤波器，所述第二谐振器的所述顶面中心为所述第二谐振器的顶面的平面中心或预定中心；
[0023]所述第二谐振器的所述底面中心为所述第二谐振器的底面的平面中心或预定中心。
[0024]根据本技术所述的介质滤波器，所述介质滤波器包括至少两个所述第二谐振器，其中两个所述第二谐振器的底面在所述底面中心分别有一个输入端口盲孔和一个输出端口盲孔，所述输入端口盲孔用于输入信号，所述输出端口盲孔用于输出信号。
[0025]根据本技术所述的介质滤波器，所述输入端口盲孔和所述输出端口盲孔的周围分别设有由非金属材料制成的隔离环。
[0026]根据本技术所述的介质滤波器，所述介质滤波器包括陶瓷介质块主体，所述陶瓷介质块主体上设有至少一个隔离通槽和/或隔离通孔，所述隔离通槽和/或所述隔离通孔将所述陶瓷介质块主体分割为至少一个所述第一谐振器和至少一个所述第二谐振器；所述第一谐振器和所述第二谐振器之间通过所述陶瓷介质块主体的介质连接段实现耦合。
[0027]根据本技术所述的介质滤波器，所述第一谐振器和所述第二谐振器的表面包覆有由金属材料制成的电镀层。
[0028]本技术介质滤波器包括工作于TE102模式的第一谐振器和工作于TE101模式的第二谐振器，利用加载TE101和加载TE102两种谐振模式的电磁场分布差异，在第一谐振器中增加一个底部盲孔和/或一个通孔，其能够在对加载TE102模式频率影响较小的情况下，降低或升高加载TE101模式的频率，从而实现对低频寄生谐波的灵活调节。优选地，当第一谐振器的底面在底面中心设置底部盲孔时，随着底部盲孔的深度增加，加载TE101模式的谐振频率降低，与加载TE102模式的谐振频率间隔加大，从而使低频的寄生谐波远离工作通带；而当在第一谐振器设置贯穿顶面和底面的通孔，且所述通孔位于一对第一调谐盲孔的
连线对应的中垂线上时，随着所述通孔与中心的距离减小，加载TE101模式的谐振频率升高，与加载TE102模式的谐振频率间隔缩小，从而能够有效改善采用TE102模式容性耦合的介质滤波器的低频谐波，特别是可避免存在至少两个寄生TE101模式的低频谐波频率相近，相互叠加的导致低频抑制加剧恶化的情况。借此，本技术能够大幅改善介质滤波器的低频抑制性能，并且结构简单，易于实现，进一步提升了设计灵活度和适应性。
附图说明
[0029]图1是本技术第一实施例提供的第一谐振器设置底部盲孔的结构示意图；
[0030]图2是本技术第一实施例提供的加载TE101模式的第一谐振器的电场分布示意图；
[0031]图3是本技术第一实施例提供的加载TE102模式的第一谐振器的电场分布示意图；
[0032]图4是本实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种介质滤波器，其特征在于，包括至少一个工作于TE102模式的第一谐振器和至少一个工作于TE101模式的第二谐振器；所述第一谐振器的顶面和底面分别包括对称的顶面中心和底面中心；所述第一谐振器的顶面关于所述顶面中心对称设有一对第一调谐盲孔；所述第一谐振器的底面在所述底面中心设有底部盲孔；和/或所述第一谐振器设有贯穿顶面和底面的通孔，且所述通孔位于所述一对第一调谐盲孔的连线对应的中垂线上。2.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述介质滤波器包括一个所述第一谐振器和至少两个所述第二谐振器，所述第一谐振器的底面在所述底面中心设有所述底部盲孔。3.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述介质滤波器包括两个所述第一谐振器和至少两个所述第二谐振器，其中一个所述第一谐振器的底面在所述底面中心设有所述底部盲孔，另一个所述第一谐振器设有贯穿其顶面和底面的所述通孔，且所述通孔位于所述一对第一调谐盲孔的连线对应的中垂线上。4.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述介质滤波器包括两个所述第一谐振器和至少两个所述第二谐振器，其中一个所述第一谐振器设有贯穿其顶面和底面的所述通孔，且所述通孔位于所述一对第一调谐盲孔的连线对应的中垂线上。5.根据权利要求1～4任一项所述的介质滤波器，其特征在于，所述第一谐振器的所述底部盲孔的深度增加，加载TE101模式的谐振频率降低，并且与加载TE102模式的谐振频率的间隔增大；和/或所述第一谐振器的所述通孔与所述顶面中心或所述底面中心的距离减小，加载TE101模式的谐振频率升高，并且与加载TE102模式的谐振频率的间隔减小。6.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述第一谐振器的所述顶面中心为所述第一谐振器的顶面的平面中心或预定中心；所述第一谐振器的所述底面中心为所述第一谐振器的底面的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘磊，王津，孟银，李军杰，郝勖加，
申请(专利权)人：摩比天线技术深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：