带通滤波器制造技术

本发明专利技术提供一种带通滤波器，其具备：不平衡端口；第1平衡端口；第2平衡端口；以及设置于不平衡端口与第1及第2平衡端口之间的第1谐振器、第2谐振器及第3谐振器。第2谐振器和第3谐振器均为两端开放型谐振器，并且在电路结构上相邻且将磁耦合设为主耦合进行电磁耦合。第1谐振器在电路结构上设置于比第3谐振器更接近第2谐振器的位置，并与第3谐振器进行交叉耦合。合。合。

【技术实现步骤摘要】
带通滤波器


[0001]本专利技术涉及一种具备一个不平衡端口和一对平衡端口的平衡型的带通滤波器。

技术介绍

[0002]作为手机、无线LAN通信设备等无线通信设备的收发电路中可使用的电子部件之一，具有具备多个谐振器的带通滤波器。带通滤波器优选在比通频带低地接近通频带的频率区域即第1附近区域、和比通频带高地接近通频带的频率区域即第2附近区域各自中，具有插入损耗急剧地变化的衰减极点。
[0003]另外，作为带通滤波器，已知有具备一对平衡端口作为输出端口的平衡型的带通滤波器。该平衡型的带通滤波器中要求振幅平衡特性及相位平衡特性良好。振幅平衡特性良好是指，构成从带通滤波器输出的平衡信号的两个平衡要素信号的振幅的差接近0。相位平衡特性良好是指，两个平衡要素信号的相位差接近180度。
[0004]日本专利申请公开2002
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374139号公报中公开有一种平衡型LC滤波器，其具备一对平衡输入端子和一对平衡输出端子。该平衡型LC滤波器中，通过极点调整用电容器，在平衡型LC滤波器的比中心频率更低频侧或高频侧设置有衰减极点。
[0005]日本专利申请公开2007
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267264号公报中公开有一种集总参数型带通滤波器，该集总参数型带通滤波器具备一对平衡端子和一个不平衡端子。日本专利申请公开2007
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267264号公报中记载了通过将不平衡端子设为输入端子，将一对平衡端子设为输出端子，从而构成不平衡输入
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平衡输出型的滤波器。
[0006]目前，至第4代的移动通信系统正在实用化。另外，目前，第5代移动通信系统的标准化不断发展。现有的平衡型的带通滤波器中，在这些移动通信系统中，难以一边满足平衡特性，一边在上述第1及第2附近区域各自中形成急剧的衰减极点。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的在于，提供一种平衡型的带通滤波器，具备一个不平衡端口和一对平衡端口，其中，能够一边满足平衡特性，一边形成急剧的衰减极点。
[0008]本专利技术提供一种带通滤波器，其具备：不平衡端口；第1平衡端口；第2平衡端口；以及第1谐振器、第2谐振器及第3谐振器，其在电路结构上设置于不平衡端口与第1平衡端口及第2平衡端口之间。第2谐振器和第3谐振器均为两端开放型谐振器，并且在电路结构上相邻且将磁耦合设为主耦合进行电磁耦合。第1谐振器在电路结构上设置于比第3谐振器更接近第2谐振器的位置，并与第3谐振器进行交叉耦合(Cross
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coupling)。
[0009]在本专利技术的带通滤波器中，也可以是：第1谐振器为单端短路型谐振器，并且在电路结构上设置于不平衡端口与第2谐振器之间。
[0010]另外，在本专利技术的带通滤波器中，也可以是：第2谐振器与第3谐振器的间隔比第1谐振器与第2谐振器的间隔小。
[0011]另外，本专利技术的带通滤波器也可以是：还具备：第4谐振器，其在电路结构上设置于
不平衡端口与第1平衡端口及第2平衡端口之间。在该情况下，也可以是：第4谐振器在电路结构上设置于比第2谐振器更接近第3谐振器的位置，并与第2谐振器进行交叉耦合。另外，在该情况下，也可以是：第1谐振器为单端短路型谐振器，并且在电路结构上设置于不平衡端口与第2谐振器之间。另外，也可以是：第4谐振器为两端开放型谐振器，并且在电路结构上设置于第1平衡端口及第2平衡端口与第3谐振器之间。
[0012]在本专利技术的带通滤波器具备第4谐振器的情况下，也可以是：第2谐振器与第3谐振器的间隔比第1谐振器与第2谐振器的间隔小且比第3谐振器与第4谐振器的间隔小。
[0013]另外，本专利技术的带通滤波器也可以是：还具备：层叠体，其用于至少将第2谐振器及第3谐振器一体化，并具备层叠的多个电介质层及多个导体层、和多个通孔。在该情况下，也可以是：多个导体层包含多个谐振器用导体层。也可以是：多个通孔包含多个谐振器用通孔。另外，也可以是：第2谐振器及第3谐振器分别包含第1通孔列、第2通孔列、和导体层部。也可以是：第1通孔列及第2通孔列分别通过将多个谐振器用通孔中的两个以上的通孔串联连接而构成，并且贯通多个电介质层中的两个以上的电介质层。也可以是：导体层部通过多个谐振器用导体层中的一个以上的谐振器用导体层而构成，并且将第1通孔列的一端与第2通孔列的一端连接。
[0014]本专利技术的带通滤波器具备第1至第3谐振器。第2谐振器和第3谐振器在电路结构上相邻且将磁耦合设为主耦合进行电磁耦合。第1谐振器在电路结构上设置于比第3谐振器更接近第2谐振器的位置，并与第3谐振器进行交叉耦合。由此，根据本专利技术，能够实现可以一边满足平衡特性，一边形成急剧的衰减极点的带通滤波器。
[0015]本专利技术的其它目的、特征及优点通过以下的说明将变得充分清晰。
附图说明
[0016]图1是表示本专利技术第1实施方式的带通滤波器的电路结构的电路图。
[0017]图2是本专利技术第1实施方式的带通滤波器的立体图。
[0018]图3是本专利技术第1实施方式的带通滤波器的立体图。
[0019]图4是表示图2及图3所示的带通滤波器的内部的立体图。
[0020]图5A及图5B是表示图2及图3所示的带通滤波器的层叠体中的第1层及第2层电介质层的图案形成面的说明图。
[0021]图6A及图6B是表示图2及图3所示的带通滤波器的层叠体中的第3层及第4层电介质层的图案形成面的说明图。
[0022]图7A及图7B是表示图2及图3所示的带通滤波器的层叠体中的第5层及第6层电介质层的图案形成面的说明图。
[0023]图8A及图8B是表示图2及图3所示的带通滤波器的层叠体中的第7层及第8层电介质层的图案形成面的说明图。
[0024]图9A是表示图2及图3所示的带通滤波器的层叠体中的第9层至第18层电介质层的图案形成面的说明图。
[0025]图9B是表示图2及图3所示的带通滤波器的层叠体中的第19层及第20层电介质层的图案形成面的说明图。
[0026]图10A是表示图2及图3所示的带通滤波器的层叠体中的第21层及第22层电介质层
的图案形成面的说明图。
[0027]图10B是表示图2及图3所示的带通滤波器的层叠体中的第23层电介质层的图案形成面的说明图。
[0028]图11A及图11B是表示图2及图3所示的带通滤波器的层叠体中的第24层及第25层电介质层的图案形成面的说明图。
[0029]图12是表示带通滤波器的第1模型的通过特性的特性图。
[0030]图13是表示带通滤波器的第2模型的通过特性的特性图。
[0031]图14是表示带通滤波器的第3模型的通过特性的特性图。
[0032]图15是表示带通滤波器的第4模型的通过特性的特性图。
[0033]图16是表示带通滤波器的第5模型的通过特性的特性图。
[0034]图17是表示本专利技术第1实施方式的带通滤波器的通过特性的一例的特性图。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带通滤波器，其特征在于，具备：不平衡端口；第1平衡端口；第2平衡端口；以及第1谐振器、第2谐振器及第3谐振器，其在电路结构上设置于所述不平衡端口与所述第1平衡端口及所述第2平衡端口之间，所述第2谐振器和所述第3谐振器均为两端开放型谐振器，并且在电路结构上相邻且将磁耦合设为主耦合进行电磁耦合，所述第1谐振器在电路结构上设置于比所述第3谐振器更接近所述第2谐振器的位置，并与所述第3谐振器进行交叉耦合。2.根据权利要求1所述的带通滤波器，其特征在于，所述第1谐振器为单端短路型谐振器，并且在电路结构上设置于所述不平衡端口与所述第2谐振器之间。3.根据权利要求1所述的带通滤波器，其特征在于，所述第2谐振器与所述第3谐振器的间隔比所述第1谐振器与所述第2谐振器的间隔小。4.根据权利要求1所述的带通滤波器，其特征在于，还具备：第4谐振器，其在电路结构上设置于所述不平衡端口与所述第1平衡端口及所述第2平衡端口之间，所述第4谐振器在电路结构上设置于比所述第2谐振器更接近所述第3谐振器的位置，并与所述第2谐振器进行交叉耦合。5.根据权利要求4所述的带通滤波器，其特征在于，所述第1谐振器为单端短路型谐振器，并且在电路结构上设置于所述不平衡端口与所述第2谐振器之间，所述第4谐振器为两端开放型谐振器，并且在电路结构上设置于所述第1平衡端口及...

【专利技术属性】
技术研发人员：泽口修平，芦田裕太，立松雅大，松丸宜纪，户莳重光，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：