光波导路装置和使用它的相干光源及光学装置制造方法及图纸

对制造光波导路装置时的光学基片的厚度进行高精度控制。首先在基片２的表面，通过在形成挡块部６的区域（基片２的宽度方向的左右两侧）以外涂布抗蚀剂，进行掩蔽。接下来在基片２的表面，通过对Ｃｒ进行溅射蒸镀，形成挡块部６，然后除去抗蚀剂。利用紫外线固化剂３，在基片２表面的左右一对挡块部６之间，贴附Ｍｇ掺杂ＬｉＮｂＯ＃－［３］光学基片１。这样一来，把作为非线形光学材料的光学基片１贴合到基片２上后，进行光学基片１的研磨。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光波导路装置的制造方法、光波导路装置及采用了该光波导路装置的相干光源及光学装置。现有技术在光信息记录再生装置中，通过利用较短波长的光源，可达到高密度化。比如，虽然在从过去普及而来的小型盘(CD)装置中，采用波长为780nm的近红外光，但在实现了更高密度的信息再生的数字多用盘(DVD)装置中，采用波长为650nm的红色半导体激光。此外，为实现更高密度的下世代光盘装置，更短波长的蓝色激光光源的开发正在盛行。比如，为实现小型而且稳定的蓝色激光光源，采用了非线性光学物质的波长转换元件已被开发，作为采用了非线形光学结晶的装置，有准相位匹配方式的光波导路型波长转换装置。作为实现光波导路型波长转换装置的一种方式，有图12所示的脊型光波导路装置。该光波导路装置48由在X片Mg掺杂LiNbO3基片49上设置的脊部52和周期状极化反转区51构成。由于脊部52的折射率高于其周围的折射率，因而脊部52的附近作为光波导路50起作用，光在该光波导路50中进行波导。在光波导路50中进行了波导的激光被进行转换为具有1/2波长的光的波长转换。由于形成了脊部52的光波导路装置48可在波导层利用结晶自体，因而不会引起目前的在利用了离子交换等的光波导路上产生的非线形性劣化等问题，可实现高效的波长转换。这样，通过利用脊型光波导路装置48，可从波长为820nm的输入红外光得到波长为410nm的紫色光输出。以下，参照图13，对脊型光波导路装置的制造方法作以简单说明。首先，如图13A所示，利用紫外线固化树脂3，在厚度为1mm左右的基片2的表面上贴合光学基片1。接下来，如图13B所示，对光学基片1的表面进行研磨。在该场合下，被贴合到基片2上的光学基片1按厚度达到3.5μm的原则被研磨。最后，如图13C所示，通过激光加工，在被研磨后的光学基片1的表面形成沟槽4。由此得到脊型光波导路5，完成脊型光波导路装置。不过，为形成脊型光波导路，在研磨工序中有必要对光学基片的厚度进行高精度控制。这是因为光学基片的厚度如果得不到高精度控制，光在脊型光波导路中便不能进行波导。然而在实际的研磨工序中，有时光学基片1的厚度得不到高精度控制，厚度偏差达±1μm以上，合格率大为恶化。此外为进行高精度研磨，需要边测定光学基片1的厚度边进行研磨，因而脊型光波导路的形成需要长时间。另外，还有必要进行研磨时间的管理。此外在制作出的光波导路装置中有以下问题。如果采用利用了光波导路的光波长转换元件，虽然可进行高效的波长转换，但为提高转换效率，实现高输出特性，有必要在光波导路内传播高功率密度的波导光。比如为获得数10mW的第二高次谐波光(SHG光)，作为基波需要一倍以上的功率。目前，在光盘装置等中所要求的光源为数10mW的短波长光源，还要求进一步高输出化。此外，光波导路装置本身也需要大功率的波导光。比如，在通信及传感中被利用的光波导路型开关及调制器中，通过提高波导光的功率，利用用途也大大扩展。不过，在光波导路中传播的波导光功率增大的场合下，由于波导光的吸收，光波导路的温度将上升。虽然对于数mW的波导光不是大问题，但在数10mW波导光的场合下，仅吸收一项对于高功率密度光波导路便成为温度大幅上升的原因。因此，基于该波导光吸收的温度上升的问题因短波长化而更为深刻。本专利技术者在开发高输出的光波长转换元件的过程中，发现了光波导路的温度上升是使光波长转换元件的输出劣化的原因。此外本专利技术者发现了在目前的光波导路装置中，在波导光的功率增大的场合下，由于波导光的吸收使波导层温度上升，产生特性劣化及对装置寿命的影响的问题。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术中的上述问题，其目的是提供一种在可对制造光波导路装置时的光学基片厚度进行高精度控制的同时，可缩短制造时间的光波导路装置的制造方法。此外本专利技术的目的是提供在可防止由基于波导光的吸收的温度上升而引起的特性劣化的同时，即使在存在波导光的吸收的场合下，也可抑制温度上升，使温度分布均一化，实现特性稳定化的光波导路装置，尤其是需要高强度波导光的脊型光波导路装置和采用了该光波导路装置的相干光源及光学装置。为达到上述目的，本专利技术涉及的光波导路装置的第1制造方法是一种包括把光学基片研磨至所需厚度的工序的光波导路装置的制造方法，其特征在于利用制约上述光学基片厚度的挡块部进行上述光学基片的研磨。根据该光波导路装置的第1制造方法，由于光学基片的厚度由挡块部控制，因而可减小光学基片的厚度偏差。其结果，光波导路装置的制造合格率大幅提高。此外由于不必边测定光学基片的厚度边进行研磨，因而可易于研磨时间的调整，大幅缩短制造时间。此外在上述本专利技术光波导路装置的第1制造方法中，上述挡块部的硬度最好大于上述光学基片的硬度。根据该最佳例，在光学基片研磨时，由于在到达挡块部处研磨率大大降低，因而光学基片的厚度可用挡块部的厚度被高精度控制。此外在上述本专利技术光波导路装置的第1制造方法中，上述挡块部最好通过蒸镀法或电镀形成。此外在上述本专利技术光波导路装置的第1制造方法中，上述挡块部最好被埋设在上述光学基片中。而且在该场合下，上述挡块部最好被埋设在形成于上述光学基片的沟槽中。在该场合下，上述沟槽最好通过离子铣法或蚀刻法形成。此外在上述本专利技术光波导路装置的第1制造方法中，上述挡块部的厚度最好为0.1μm以上10μm以下。此外在上述本专利技术光波导路装置的第1制造方法中，上述挡块部的材料最好是从由Ta、Cr、W、Ti、Si及SiO2组成的组选出的一种。此外在上述本专利技术光波导路装置的第1制造方法中，上述挡块部最好被形成条状，并且按照对光波导路平行的原则被配置。此外在上述本专利技术光波导路装置的第1制造方法中，上述挡块部最好按照与光波导路的间隔达到20μm以上100μm以下的原则被配置。此外本专利技术涉及的光波导路装置的第2制造方法是一种包括把光学基片研磨至所需厚度的工序的光波导路装置的制造方法，其特征在于在上述光学基片内形成反射面，利用上述反射面以光学形式测定上述光学基片的厚度，同时进行上述光学基片的研磨。根据该光波导路装置的第2制造方法，通过在来自反射面的反射光消失的时刻，结束光学基片的研磨，光学基片的厚度可得到高精度控制，可减小光学基片的厚度偏差。其结果，光波导路装置的制造合格率大幅提高。而且由于不必边测定光学基片的厚度边进行研磨，因而可易于研磨时间的调整，大幅缩短制造时间。此外在上述本专利技术光波导路装置的第2制造方法中，上述反射面最好在上述光学基片内被形成多个。此外本专利技术涉及的光波导路装置的第3制造方法是一种包括把光学基片研磨至所需厚度的工序的光波导路装置的制造方法，其特征在于在上述光学基片上形成凹部，同时准备形成了与上述凹部啮合的凸部的基片，在上述光学基片的形成了上述凹部的面与上述基片的形成了上述凸部的面的至少一方的面上使金属膜成膜，在使上述光学基片与上述基片按照上述凹部与上述凸部啮合的原则贴合后，进行上述光学基片的研磨。根据该光波导路装置的第3制造方法，由于光学基片的厚度通过金属膜被控制，因而可减小光学基片的厚度偏差。其结果，光波导路装置的制造合格率大幅提高。而且由于没有必要边测定光学基片的厚度边进行研磨，因而可易于研磨时间的调整，大幅缩短制造时间。此外在上述本专利技术光波导路装置的第3制造方法中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括把光学基片研磨至所需厚度的工序的光波导路装置的制造方法，其特征在于：利用制约上述光学基片厚度的挡块部进行上述光学基片的研磨。

【技术特征摘要】
JP 2002-1-9 1985/021.一种包括把光学基片研磨至所需厚度的工序的光波导路装置的制造方法，其特征在于利用制约上述光学基片厚度的挡块部进行上述光学基片的研磨。2.权利要求1中记载的光波导路装置的制造方法，其中上述挡块部的硬度大于上述光学基片的硬度。3.权利要求1中记载的光波导路装置的制造方法，其中上述挡块部通过蒸镀法或电镀形成。4.权利要求1中记载的光波导路装置的制造方法，其中上述挡块部被埋设在上述光学基片中。5.权利要求4中记载的光波导路装置的制造方法，其中上述挡块部被埋设在形成于上述光学基片的沟槽中。6.权利要求5中记载的光波导路装置的制造方法，其中上述沟槽通过离子铣法或蚀刻法形成。7.权利要求1中记载的光波导路装置的制造方法，其中上述挡块部的厚度在0.1μm以上10μm以下。8.权利要求1中记载的光波导路装置的制造方法，其中上述挡块部的材料是从由Ta、Cr、W、Ti、Si及SiO2组成的组选出的一种。9.权利要求1中记载的光波导路装置的制造方法，其中上述挡块部被形成条状，而且按照对光波导路平行的原则被配置。10.权利要求1中记载的光波导路装置的制造方法，其中上述挡块部按照与光波导路的间隔达到20μm以上100μm以下的原则被配置。11.一种包括把光学基片研磨至所需厚度的工序的光波导路装置的制造方法，其特征在于在上述光学基片内形成反射面，利用上述反射面以光学形式测定上述光学基片的厚度，同时进行上述光学基片的研磨。12.权利要求11中记载的光波导路装置的制造方法，其中上述反射面在上述光学基片内被形成多个。13.一种包括把光学基片研磨至所需厚度的工序的光波导路装置的制造方法，其特征在于在上述光学基片上形成凹部，同时准备形成了与上述凹部啮合的凸部的基片，在上述光学基片的形成了上述凹部的面与上述基片的形成了上述凸部的面的至少一方的面上使金属膜成膜，在使上述光学基片与上述基片按照上述凹部与上述凸部啮合的原则贴合后，进行上述光学基片的研磨。14.权利要求13中记载的光波导路装置的制造方法，其中上述金属膜的硬度大于上述光学基片的硬度。15.权利要求13中记载的光波导路装置的制造方法，其中上述光学基片与上述基片利用金属粘接法被贴合。16.权利要求13中记载的光波导路装置的制造方法，其中上述凸部的厚度在0.1μm以上10μm以下。17.权利要求13中记载的光波导路装置的制造方法，其中上述金属膜的材料是从由Ta、Cr、W、Ti及Si组成的组选出的一种。18.权利要求13中记载的光波导路装置的制造方法，其中上述凸部被形成条状，而且按照对光波导路平行的原则被配置。19.权利要求13中记载的光波导路...

【专利技术属性】
技术研发人员：横山敏史，水内公典，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]