本申请提供了一种高压变频器、IGBT隔离驱动器及其共模抑制电路，该共模抑制电路应用于IGBT隔离驱动器中的信号变压器，其中：副边绕组同名端的共模抑制单元和副边绕组异名端的共模抑制单元在信号变压器出现共模电压信号时，分别用于以IGBT隔离驱动器中相应比较器输出电平为低作为控制目标，将副边绕组同名端和副边绕组异名端上的共模电流进行旁路；也即，本申请提供的共模抑制电路能够在信号变压器出现共模电压信号时，通过相应的共模抑制单元分别将副边绕组同名端和副边绕组异名端上的共模电流进行旁路，避免了信号变压器高压侧的信号处理单元接收到两个同高的脉冲，保证了IGBT隔离驱动器中信号处理单元的正常工作。IGBT隔离驱动器中信号处理单元的正常工作。IGBT隔离驱动器中信号处理单元的正常工作。
【技术实现步骤摘要】
高压变频器、IGBT隔离驱动器及其共模抑制电路
[0001]本专利技术涉及电路电子
，具体涉及一种高压变频器、IGBT隔离驱动器及其共模抑制电路。
技术介绍
[0002]在高压变频器中，如图1所示，控制器（图中的CONTROL CIRCUITRY）经IGBT隔离驱动器（图中的GATE DRIVE）将低压侧的控制信号传送给高压侧的IGBT，从而实现IGBT开关。IGBT隔离驱动器通常采用光耦、容耦、变压器等隔离器进行信号的隔离传输。
[0003]以信号变压器为例，如图2所示，信号变压器输入和输出分别处于高压侧和低压侧，高压侧的IGBT在开关时会产生VCM（common mode voltage，共模电压）信号，通过信号变压器内部的耦合电容，会在高压侧和低压侧之间形成共模电流，从而使得高压侧的信号处理单元接收到两个同高的脉冲，从而影响信号处理单元的正常工作。
技术实现思路
[0004]对此，本申请提供一种高压变频器、IGBT隔离驱动器及其共模抑制电路，以解决高压侧的IGBT开关时产生的共模电压信号，会在高压侧和低压侧之间形成共模电流，导致高压侧的信号处理单元接收到两个同高的脉冲，从而影响信号处理单元的正常工作的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：本专利技术第一方面公开了一种共模抑制电路，应用于IGBT隔离驱动器中的信号变压器，所述共模抑制电路包括：副边绕组同名端的共模抑制单元以及副边绕组异名端的共模抑制单元；所述副边绕组同名端的共模抑制单元和所述副边绕组异名端的共模抑制单元在所述信号变压器出现共模电压信号时，分别用于以所述IGBT隔离驱动器中相应比较器输出电平为低作为控制目标，将所述副边绕组同名端和所述副边绕组异名端上的共模电流进行旁路。
[0006]可选地，在上述的共模抑制电路中，所述副边绕组同名端的共模抑制单元和所述副边绕组异名端的共模抑制单元的结构相同。
[0007]可选地，在上述的共模抑制电路中，所述副边绕组同名端的共模抑制单元，包括：第一电阻、第二电阻、第一开关管以及第二开关管；其中：所述第一电阻的一端与所述信号变压器的副边绕组异名端相连；所述第一电阻的另一端分别与所述第一开关管的控制端、所述第一开关管的第二端以及所述第二开关管的控制端相连；所述第一开关管的第一端与所述第二开关管的第一端相连，并接地；所述第二开关管的第二端与所述第二电阻的一端相连，连接点与所述IGBT隔离驱动器中相应的比较器的同相输入端相连；所述第二电阻的另一端与所述信号变压器的副边绕组同名端相连。
[0008]可选地，在上述的共模抑制电路中，所述第一开关管和所述第二开关管均为NMOS管，或者，三极管。
[0009]可选地，在上述的共模抑制电路中，所述副边绕组异名端的共模抑制单元，包括：第三电阻、第四电阻、第三开关管以及第四开关管；其中：所述第三电阻的一端与所述信号变压器的副边绕组同名端相连；所述第三电阻的另一端分别与所述第三开关管的控制端、所述第三开关管的第二端以及所述第四开关管的控制端相连；所述第三开关管的第一端与所述第四开关管的第一端相连，并接地；所述第四开关管的第二端与所述第四电阻的一端相连，连接点与所述IGBT隔离驱动器中相应的比较器的同相输入端相连；所述第四电阻的另一端与所述信号变压器的副边绕组异名端相连。
[0010]可选地，在上述的共模抑制电路中，所述第三开关管和所述第四开关管均为NMOS管，或者，三极管。
[0011]可选地，在上述的共模抑制电路中，所述副边绕组同名端的共模抑制单元，包括：第一运算放大器、第五电阻、第六电阻以及第五开关管；其中：所述第一运算放大器的同相输入端与所述信号变压器的副边绕组异名端相连；所述第一运算放大器的反相输入端与所述第一运算放大器的输出端以及所述第五电阻的一端相连；所述第五电阻的另一端与所述第五开关管的控制端相连；所述第五开关管的第二端与所述第六电阻的一端相连，连接点与所述IGBT隔离驱动器中相应的比较器的同相输入端相连；所述第五开关管的第一端接地；所述第六电阻的另一端与所述信号变压器的副边绕组同名端相连。
[0012]可选地，在上述的共模抑制电路中，所述副边绕组异名端的共模抑制单元，包括：第二运算放大器、第七电阻、第八电阻以及第六开关管；其中：所述第二运算放大器的同相输入端与所述信号变压器的副边绕组同名端相连；所述第二运算放大器的反相输入端分别与所述第二运算放大器的输出端以及所述第七电阻的一端相连；所述第七电阻的另一端与所述第六开关管的控制端相连；所述第六开关管的第二端与所述第八电阻的一端相连，连接点与所述IGBT隔离驱动器中相应的比较器的同相输入端相连；所述第六开关管的第一端接地；所述第八电阻的另一端与所述信号变压器的副边绕组异名端相连。
[0013]可选地，在上述的共模抑制电路中，所述第五开关管和所述第六开关管均为NMOS管，或者，三极管。
[0014]本专利技术第二方面公开了一种IGBT隔离驱动器，包括：控制单元、信号变压器以及信号处理单元；其中：所述控制单元用于根据接收到的PWM信号，控制所述信号变压器进行工作；所述信号处理单元用于根据接收到的所述信号变压器输出的信号，控制自身中相
应的比较器输出相应的信号；所述信号变压器设置有如第一方面公开的任一项所述的共模抑制电路，用于在出现共模电压信号时，控制所述信号处理单元中的比较器输出低电平。
[0015]本专利技术第三方面公开了一种高压变频器，包括：控制器、IGBT功率单元以及设置于所述控制器与所述IGBT功率单元中相应IGBT驱动管之间的、如第二方面公开的所述的IGBT隔离驱动器；所述控制器用于向所述IGBT隔离驱动器下发PWM信号；所述IGBT隔离驱动器用于根据接收到的PWM信号，控制所述IGBT功率单元中相应的IGBT驱动管工作。
[0016]可选地，在上述的高压变频器中，所述IGBT功率单元中的IGBT驱动管的个数为4。
[0017]本专利技术提供的共模抑制电路，应用于IGBT隔离驱动器中的信号变压器，该共模抑制电路包括：副边绕组同名端的共模抑制单元以及副边绕组异名端的共模抑制单元；副边绕组同名端的共模抑制单元和副边绕组异名端的共模抑制单元在信号变压器出现共模电压信号时，分别用于以IGBT隔离驱动器中相应比较器输出电平为低作为控制目标，将副边绕组同名端和副边绕组异名端上的共模电流进行旁路；也即，本申请提供的共模抑制电路能够在信号变压器出现共模电压信号时，通过相应的共模抑制单元分别将副边绕组同名端和副边绕组异名端上的共模电流进行旁路，避免了信号变压器高压侧的信号处理单元接收到两个同高的脉冲，保证了IGBT隔离驱动器中信号处理单元的正常工作。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种共模抑制电路，其特征在于，应用于IGBT隔离驱动器中的信号变压器，所述共模抑制电路包括：副边绕组同名端的共模抑制单元以及副边绕组异名端的共模抑制单元；所述副边绕组同名端的共模抑制单元和所述副边绕组异名端的共模抑制单元在所述信号变压器出现共模电压信号时，分别用于以所述IGBT隔离驱动器中相应比较器输出电平为低作为控制目标，将所述副边绕组同名端和所述副边绕组异名端上的共模电流进行旁路。2.根据权利要求1所述的共模抑制电路，其特征在于，所述副边绕组同名端的共模抑制单元和所述副边绕组异名端的共模抑制单元的结构相同。3.根据权利要求2所述的共模抑制电路，其特征在于，所述副边绕组同名端的共模抑制单元，包括：第一电阻、第二电阻、第一开关管以及第二开关管；其中：所述第一电阻的一端与所述信号变压器的副边绕组异名端相连；所述第一电阻的另一端分别与所述第一开关管的控制端、所述第一开关管的第二端以及所述第二开关管的控制端相连；所述第一开关管的第一端与所述第二开关管的第一端相连，并接地；所述第二开关管的第二端与所述第二电阻的一端相连，连接点与所述IGBT隔离驱动器中相应的比较器的同相输入端相连；所述第二电阻的另一端与所述信号变压器的副边绕组同名端相连。4.根据权利要求3所述的共模抑制电路，其特征在于，所述第一开关管和所述第二开关管均为NMOS管，或者，三极管。5.根据权利要求2所述的共模抑制电路，其特征在于，所述副边绕组异名端的共模抑制单元，包括：第三电阻、第四电阻、第三开关管以及第四开关管；其中：所述第三电阻的一端与所述信号变压器的副边绕组同名端相连；所述第三电阻的另一端分别与所述第三开关管的控制端、所述第三开关管的第二端以及所述第四开关管的控制端相连；所述第三开关管的第一端与所述第四开关管的第一端相连，并接地；所述第四开关管的第二端与所述第四电阻的一端相连，连接点与所述IGBT隔离驱动器中相应的比较器的同相输入端相连；所述第四电阻的另一端与所述信号变压器的副边绕组异名端相连。6.根据权利要求5所述的共模抑制电路，其特征在于，所述第三开关管和所述第四开关管均为NMOS管，或者，三极管。7.根据权利要求2所述的共模抑制电路，其特征在于，所述副边绕组同名端的共模抑制单元，包括：第一运算放大器、第五电阻、第六电阻以及第五开关管；...
【专利技术属性】
技术研发人员：李军，张杰，张弛，施贻蒙，
申请(专利权)人：杭州飞仕得科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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