一种光阻剥离液及剥离工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种光阻剥离液，光阻剥离液的主要组成为醇胺类化合物、醇醚类化合物、有机溶剂和齐聚物添加剂；齐聚物添加剂为选自聚乙二醇以及亲水基团封端的聚乙二醇、聚乙二醇醚、聚丙二醇、聚丙二醇醚中的一种或两种以上的组合，亲水基团为氨基或羧基。本发明专利技术光阻剥离液中的齐聚物添加剂分子呈链状，分子链中均匀分布有亲水基团，齐聚物添加剂参与修饰光阻短分子链，改善剥离液的水洗性能，降低基板残留，减少甚至杜绝鼓包、短路等缺陷，提高液晶面板良率。本发明专利技术还公开了一种基于上述光阻剥离液的剥离工艺。液的剥离工艺。液的剥离工艺。

【技术实现步骤摘要】
一种光阻剥离液及剥离工艺


[0001]本专利技术涉及电子化学品
，具体涉及一种光阻剥离液及剥离工艺。

技术介绍

[0002]光刻工艺是精细图案制作的关键制程，其包含镀膜、光阻涂覆、显影、蚀刻、光阻剥离等过程。剥离是使用化学反应或物理溶解作用而移除光阻的技术，相对于水基剥离液，有机系剥离液具有更高的效率。
[0003]高世代液晶面板生产用光阻剥离液包含醇醚、有机胺类化合物以及有机溶剂。实际生产中存在以下技术问题：剥离液处理后的基板表面存在残留，特别是铜表面。在后续的PI镀膜高温制程中，部分残留物质挥发形成鼓包，进一步镀膜处理后鼓包被放大，再次蚀刻处理后容易导通相邻的导线引发短路，影响液晶面板的成品良率。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的之一在于克服现有技术中存在的缺陷，提供一种光阻剥离液，有效降低剥离液处理后的基板表面残留，提高液晶面板的良率。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术的技术方案为：一种光阻剥离液，所述光阻剥离液的主要组成为醇胺类化合物、醇醚类化合物、有机溶剂和齐聚物添加剂；
[0006]所述齐聚物添加剂为选自聚乙二醇以及亲水基团封端的聚乙二醇、聚乙二醇醚、聚丙二醇、聚丙二醇醚中的一种或两种以上的组合，所述亲水基团为氨基或羧基。
[0007]优选的技术方案为，按重量百分比计，所述光阻剥离液的主要组成为：0.01～10％的醇胺类化合物、20～60％的醇醚类化合物、35～75％的有机溶剂和0.001～4％齐聚物添加剂。进一步的，光阻剥离液的主要组成为：0.01～6％的醇胺类化合物、35～55％的醇醚类化合物、35～55％的有机溶剂和0.001～2％齐聚物添加剂，更进一步的，光阻剥离也中齐聚物添加剂为0.1～0.45％。
[0008]优选的技术方案为，所述齐聚物添加剂的分子量为200～1200。进一步的，齐聚物添加剂的分子量为300～1000，例如300、400、600、800、1000等点值以及包含上述任意两个点值的区间值，进一步优选为20～60nm，进一步优选350～850。
[0009]优选的技术方案为，所述醇醚类化合物为二乙二醇单甲醚。
[0010]优选的技术方案为，按重量百分比计，所述光阻剥离液中还包括0.001～3％的金属保护剂。
[0011]优选的技术方案为，所述金属保护剂的主要组成为酸酐和氨基酸类铜保护剂，所述酸酐为选自氮杂环酸酐、含杂环取代氨基的环酸酐中的一种或两种以上的组合。
[0012]优选的技术方案为，所述酸酐为选自甘氨酸酐、氨基酸
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N
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羧基
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环内酸酐中的一种或两种以上的组合；和/或所述氨基酸类铜保护剂为选自辛酰谷氨酸、DL
‑
苏氨酸、DL
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丝氨酸、甲基氨酸、胱氨酸、蛋氨酸中的一种或两种以上的组合。
[0013]优选的技术方案为，按重量百分比计，所述光阻剥离液中酸酐的重量百分比为
0.01～0.7％，所述氨基酸类铜保护剂的重量百分比为0.001～1％。进一步的，所述光阻剥离液中酸酐的重量百分比为0.01～0.45％，所述氨基酸类铜保护剂的重量百分比为0.001～0.7％。更进一步的，所述光阻剥离液中酸酐的重量百分比为0.01～0.3％，所述氨基酸类铜保护剂的重量百分比为0.001～0.5％。优选重量百分比的金属保护剂能略提高铜层腐蚀速率，并改善铜下层钼铌的底切；具体的，使铜层腐蚀速率稳定在铜层腐蚀速率过大，则铜层减薄明显，电性能受影响；铜层腐蚀速率过小，则达到相同的铜层减薄量剥离时间更长。
[0014]优选的技术方案为，所述醇胺类化合物为选自乙醇胺和异丙醇胺中的一种或两种的组合；和/或所述有机溶剂为选自N
‑
甲基吡咯烷酮、二甲基乙酰胺、N
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甲基甲酰胺中的一种或两种以上的组合。
[0015]优选的技术方案为，所述齐聚物添加剂为羧基封端聚乙二醇和/或端羧基聚乙二醇单甲醚，所述齐聚物添加剂的分子量为400～1000。
[0016]本专利技术的目的之二在于提供一种光阻剥离液的剥离工艺，采用上述的光阻剥离液剥离处理基板的光阻，所述剥离液的工艺温度为45～70℃。进一步的，剥离液的工艺温度为55～65℃。具体的，基板表面的光阻包括但不限于栅电极层、源漏电极层、像素电极层的光阻。
[0017]本专利技术的优点和有益效果在于：
[0018]本专利技术光阻剥离液中的齐聚物添加剂分子呈链状，分子链中均匀分布有亲水基团，齐聚物添加剂参与修饰光阻短分子链，改善剥离液的水洗性能，使得光阻短分子链更容易通过剥离后道的水洗以及风刀处理脱离基板表面，减少基板残留，减少甚至杜绝鼓包、短路等缺陷，提高液晶面板良率。
附图说明
[0019]图1是实施例11光阻剥离液处理试样的铜层表面SEM照片；
[0020]图2是对比例2光阻剥离液处理试样的铜层表面SEM照片。
具体实施方式
[0021]下面结合实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。
[0022]光阻剥离液中的光阻为正性光阻，其主要组成为酚醛树脂和感光剂。剥离的具体过程为：醇胺类化合物攻击光阻，打断光阻分子链生成光阻分子链，降低光阻分子量；有机溶剂渗透至光阻分子链内部，溶胀光阻，醇醚类化合物进一步溶解溶胀后的光阻，光阻分子链随喷淋液流和清洗水流脱离基板表面。
[0023]醇胺类化合物可选一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、丙醇胺、二丙醇胺、三丙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、丁醇胺、丁基乙醇胺、N
‑
甲基乙醇胺、乙基二乙醇胺或者以上例举醇胺类化合物的组合物。
[0024]醇醚类化合物可选乙二醇单甲醚、二乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、二乙二醇单乙醚、乙二醇单丙醚、二乙二醇单丙醚、乙二醇丁醚、二乙二醇丁醚、乙二醇单甲醚醋酸酯、乙二醇单乙醚醋酸酯或者以上例举醇醚类化合物的组合物。优选为二乙二醇单甲醚、二乙二
醇单乙醚、二乙二醇单丁醚中的至少一种，进一步的优选二乙二醇单甲醚，剥离液处理正性光阻的过程中，正胶中的二甘醇醚与剥离液组分混合起泡，与其他醇醚类化合物相比，二乙二醇单甲醚起泡程度更低。
[0025]有机溶剂可选N
‑
甲基吡咯烷酮、乙酰胺、N
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甲基乙酰胺、N，N
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二甲基乙酰胺、N
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乙基乙酰胺、N，N
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二乙基乙酰胺、甲酰胺、、N
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甲基甲酰胺、N，N
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二甲基甲酰胺、N，N
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二乙基甲酰胺、二甲基砜、二乙基砜、二甲亚砜、二(2
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羟乙基)砜、四甲基亚砜或者以上例举有机溶剂的组合物。进一步优选为N
‑
甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲基乙酰胺(DMAC)、N
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光阻剥离液，其特征在于，所述光阻剥离液的主要组成为醇胺类化合物、醇醚类化合物、有机溶剂和齐聚物添加剂；所述齐聚物添加剂为选自聚乙二醇以及亲水基团封端的聚乙二醇、聚乙二醇醚、聚丙二醇、聚丙二醇醚中的一种或两种以上的组合，所述亲水基团为氨基或羧基。2.根据权利要求1所述的光阻剥离液，其特征在于，按重量百分比计，所述光阻剥离液的主要组成为：0.01～10％的醇胺类化合物、20～60％的醇醚类化合物、35～75％的有机溶剂和0.001～4％齐聚物添加剂。3.根据权利要求1所述的光阻剥离液，其特征在于，所述齐聚物添加剂的分子量为200～1200。4.根据权利要求1所述的光阻剥离液，其特征在于，所述醇醚类化合物为二乙二醇单甲醚。5.根据权利要求1所述的光阻剥离液，其特征在于，按重量百分比计，所述光阻剥离液中还包括0.001～3％的金属保护剂。6.根据权利要求5所述的光阻剥离液，其特征在于，所述金属保护剂的主要组成为酸酐和氨基酸类铜保护剂，所述酸酐为选自氮杂环酸酐、含杂环取代氨基的环酸酐中的一种或两种以上的组合。7.根据权利要求6所述的光阻剥离液，其特征在于，所述酸酐为选自甘氨酸酐、氨基酸
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈林，徐杨，李茜茜，李涛，李登涛，靳海仲，邵勇，殷福华，浦陈龙，朱永刚，
申请(专利权)人：合肥京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：