一种微型半导体发光器件及其制造方法技术

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种微型半导体发光器件及其制造方法。该微型半导体发光器件包括：转移衬底、第一功能层、第二功能层以及垂直型发光二极管；第一子部与第四子部组成支撑部，二者依次层叠设置在转移衬底的一侧；第二子部与第五子部组成悬空薄壁部，二者依次层叠设置且与转移衬底无接触；第三子部、第六子部以及垂直型发光二极管组成悬空发光部且与转移衬底无接触；其中，支撑部的顶部高度小于或等于悬空发光部的底部高度，且悬空薄壁部的顶部高度小于或等于悬空发光部的底部高度。通过上述方式，能够提高悬空发光部转移的成功率。移的成功率。移的成功率。

【技术实现步骤摘要】
一种微型半导体发光器件及其制造方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种微型半导体发光器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]Micro
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LED是新一代显示技术，比现有的OLED技术亮度更高、发光效率更好、功耗更低。Micro
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LED的显示原理，是将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，其尺寸仅在1μm～100μm等级左右。将Micro
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LED批量式转移至电路基板上；再利用物理沉积制程完成保护层与上电极，即可进行上基板的封装，完成一结构简单的Micro
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LED显示。
[0003]目前，Micro
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LED的转移效率和转移精度都比较低，因此导致最终制造得到的Micro
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LED显示面板的生产周期长且良率低。

技术实现思路

[0004]本申请主要解决的技术问题是提供一种微型半导体发光器件及其制造方法，能够提高微型半导体发光器件的转移良率。
[0005]为解决上述技术问题，本申请采用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型半导体发光器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一垂直型发光二极管，所述垂直型发光二极管至少包括依次层叠设置的第一半导体电极、外延层、第二半导体电极；对所述第二半导体电极进行图案化处理，以外露出部分所述外延层；形成第一功能层，其中，所述第一功能层至少覆盖所述外延层背离所述第一半导体电极的一侧，且所述第一功能层上设有第一开槽以外露出部分第二半导体电极；在所述第一功能层背离所述外延层的一侧形成转移衬底，其中，所述转移衬底与所述第一功能层之间局部形成有牺牲层；对所述垂直型发光二极管进行图案化处理，以使所述垂直型发光二极管形成若干个间隔设置的台面结构，并外露出部分所述第一功能层；形成第二功能层，其中，所述第二功能层至少覆盖所述第一半导体电极背离所述外延层的一侧、所述外延层的第一侧壁以及所述第一功能层背离所述转移衬底的一侧，且所述第二功能层上设有第二开槽以外露出部分第一半导体电极；移除所述牺牲层，以使所述垂直型发光二极管、覆盖所述垂直型发光二极管的所述第一功能层以及覆盖所述垂直型发光二极管的所述第二功能层与所述转移衬底无接触。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供一垂直型发光二极管的步骤，包括：从所述第二半导体层蚀刻到所述第一半导体层，以在所述第一半导体层朝向所述第二半导体层一侧形成有台面结构，并外露出部分所述第一半导体层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成第一功能层的步骤包括：形成覆盖所述第二半导体层背离所述第一半导体层的一侧、所述第二半导体电极的边缘区域、所述第二半导体层一侧壁、所述有源层一侧壁、以及所述第一半导体层靠近所述有源层一侧的外露表面的所述第一功能层；所述形成第二功能层的步骤包括：形成覆盖所述第一功能层靠近所述第二半导体层一侧、所述第二半导体层另一侧壁、所述有源层另一侧壁、所述第一半导体层一侧壁、所述第一半导体层背离第二半导体层的一侧、所述第一半导体电极的边缘区域、以及所述第一半导体另一侧壁的所述第二功能层。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成第一功能层的步骤包括：形成覆盖所述第二半导体层背离所述第一半导体层的一侧、所述第二半导体电极的边缘区域、所述第二半导体层一侧壁、所述有源层一侧壁的所述第一功能层；所述形成第二功能层的步骤之前，所述方法还包括：去除外露出的部分所述第一半导体层，以使所述第一半导体层的边缘与所述有源层的边缘对齐；所述形成第二功能层的步骤包括：形成覆盖所述第一功能层靠近所述第二半导体层一侧、所述第二半导体层另一侧壁、所述有源层另一侧壁、所述第一半导体一侧壁、所述第一半导体层背离所述第二半导体层的一侧、所述第一半导体电极的边缘区域、所述第一半导体另一侧壁、以及所述第一功能层靠近所述第一半导体层的一侧的所述第二功能层。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述垂直型发光二极管进行图案化处理的步骤，包括：
对所述垂直型发光二极管进行图案化处理，以使所述垂直型发光二极管形成若干个间隔设置的台面结构，外露出与所述转移衬底接触的所述第一功能层和靠近所述牺牲层一侧的所述第一功能层；所述形成第一功能层的步骤包括：形成覆盖所述第二半导体层背离所述第一半导体层的一侧、所述第二半导体电极的边缘区域的所述第一功能层；所述形成第二功能层的步骤包括：形成覆盖所述第一功能层靠近所述第二半导体层一侧、所述第二半导体层侧壁、所述有源层侧壁、所述第一半导体侧壁、所述第一半导体层背离所述第二半导体层的一侧、所述第一半导体电极的边缘区域、以及所述第一功能层靠近第一半导体层一侧的所述第二功能层。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供一垂直型发光二极管的步骤包括：提供生长衬底；在所述生长衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层背离所述生长衬底的一侧形成所述外延层，其中所述外延层包括依次层叠设置于的第一半导体层、有源层以及第二半导体层；在所述第二半导体层背离所述有源层的一侧形成所述第二半导体电极；以所述缓冲层作为剥离牺牲层，去除所述缓冲层，以从所述缓冲层和所述生长衬底的接触面剥离所述生长衬底，并外露出所述第一半导体层；在所述第一半导体层背离所述有源层的一侧形成所述第一半导体电极。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述垂直型发光二极管包括依次层叠设置的第一半导体电极、第一半导体反射层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、第二半导体反射层、第二半导体电极。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述垂直型发光二极管包括依次层叠设置的第一半导体电极、第一透明电流扩散层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、第二透明电流扩散层、第二半导体电极。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一功能层背离所述外延层的一侧形成转移衬底，其中，所述转移衬底与所述第一功能层之间局部形成有牺牲层的步骤包括：在所述第一功能层背离所述外延层的一侧局部形成所述牺牲层；在所述第一功能层背离所述外延层的一侧、所述牺牲层背离所述第一功能层的一侧形成所述转移衬底。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一功能层和/或所述第二功能层的材料包括金属、金属合金、绝缘材料、固化树脂、半导体材料中的至少一种；所述牺牲层的材料为半导体材料、绝缘介质材料、金属材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜改革，朱酉良，谭胜友，蒋振宇，闫春辉，
申请(专利权)人：深圳第三代半导体研究院，
类型：发明
国别省市：