用于离子迁移过滤器的制造方法技术

本技术涉及制造MEMS气体传感器的方法，例如用于制造可以用作场非对称离子迁移谱过滤器的离子迁移过滤器的方法。该方法包括步骤：提供具有孔口的支撑件(S300、S302)；以及在支撑件中形成电连接(S304)。该方法还包括步骤：将电极层附接到支撑件(S306)，使得电极层覆盖孔口；以及通过机械地切割穿过电极层来形成多个离子迁移电极(S308)。每个相邻电极对在它们之间限定出离子通道，并且每个电极与相邻电极分开。分开。分开。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于离子迁移过滤器的制造方法


[0001]本专利技术涉及制造MEMS气体传感器的方法，例如用于制造可以用作场非对称离子迁移谱过滤器的离子迁移过滤器的方法。

技术介绍

[0002]存在可以用于分析气体样本的各种类型的MEMS传感器。这些传感器可以包括气体流路(例如通道)，其被构造成接收气体样本流。该气体流路可以在器件的功能层中，并且功能层可以由半导体或其它导电材料制成。例如，离子迁移谱仪用于探测例如空气的气体中的特定化学物质。差分式离子迁移谱(differential mobility spectrometry，DMS)，也称为场非对称波形离子迁移谱(field
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asymmetric waveform ion mobility spectrometry，FAIMS)，被认为是分离和表征气相离子的有力工具。
[0003]存在各种用于制造微机电系统(microelectromechanical System，MEMS)的方法，例如体微加工或面微加工。作为示例，图1a至图1c例示了可以如何制造例如离子过滤器的气体传感器。如图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造离子迁移过滤器的方法，所述方法包括：提供包括孔口的支撑件；将电极层附接到所述支撑件，使得所述电极层覆盖所述孔口；以及通过机械地切割穿过所述电极层来形成多个离子迁移电极；其中，每个相邻的电极对在该电极对之间限定出离子通道，并且每个电极与相邻的电极分开。2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个离子迁移电极包括：切割穿过所述电极层的多个平行的通道，其中每个通道具有10微米至50微米的宽度。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，形成所述多个离子迁移电极包括：切割多个通道，其中每个通道具有至少10:1的纵横比。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，提供所述支撑件包括：提供支撑层，所述支撑层具有在该支撑层的第一面上的第一导电层以及具有在该支撑层的相对面上的第二导电层。5.根据权利要求4所述的方法，包括：在所述第一导电层中形成多个电连接，其中，所述电连接是成对的，并且在电极的每一端处各有一个电连接。6.根据权利要求4或5所述的方法，包括：形成穿过所述支撑层的过孔，以电连接所述第一导电层和所述第二导电层。7.根据权利要求5或6所述的方法，其中，所述多个电连接和/或所述过孔是在形成所述多个离子迁移电极之前形成的。8.根据权利要求7所述的方法，包括：蚀刻所述多个电连接和/或所述过孔。9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括：在形成所述多个离子迁移电极时部分地切割所述支撑件。10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，包括在附接所述电极层之前形成穿过所述支撑件的所述孔口。11.一种根据权利要求1至10中任一项所述的方法制造的离子迁移过滤器。12.一种离子迁移过滤器，包括：支撑件，其包括孔口；和电极层，其包括多个离子迁移电极，其中每个相邻的电极对在该电极对之间限定出离子通道，并且每个电极与所述多个离子迁移电极中的其它电极分开，其中，每个离子迁移电极跨越所述孔口，并且每个离子迁移电极的相对端附接到所述支撑件。13.根据权利要求12所述的离子迁移过滤器，其中，每个离子通道的宽度为10微米至50微米。14.根据权利要求12或13所述的离子迁移过滤器，其中，每个离子通道的纵横比为至少10:1。15.根据权利要求12至14中任一项所述的离子迁移过滤...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔纳森，
申请(专利权)人：奥斯通有限公司，
类型：发明
国别省市：