本发明专利技术提供一种透明导电基板，以含In导电层作为主要导电层，SnO2阻隔层及SnO2保护层作为辅助导电层；通过SnO2阻隔层，有效防止透明支撑基底中的元素的扩散，以保证含In导电层的纯度，提高含In导电层的导电性；通过SnO2保护层，可有效提高透明导电基板的使用寿命；通过含In导电层，可使得透明导电复合结构在经过高温处理后，仍具有高的透光率和导电性能。本发明专利技术可提供一种耐高温、经济型、环境友好型的透明导电基板，且在降低成本的同时，提高产品质量，减少对环境的污染。减少对环境的污染。减少对环境的污染。
【技术实现步骤摘要】
透明导电基板
[0001]本专利技术涉及透明导电基板领域，特别是涉及一种透明导电基板。
技术介绍
[0002]作为第二代太阳能电池，薄膜太阳能电池技术具有制造成本低和使用寿命长的优点。因此，具有高科技含量的碲化镉、铜铟镓硒等薄膜太阳能产线顺利建成并实现产业化。
[0003]作为薄膜太阳能电池的透光面及电极，TCO(Transparent Conductive Oxide)是薄膜太阳能电池生产过程中必不可少的原材料。并且，TCO作为电极还在液晶显示器、光探测器、平板显示器中有着非常广泛的应用。
[0004]目前市场上的TCO主要有三种类型，分别是ITO(In2O3:Sn)、AZO(ZnO:Al)及FTO(SnO2:F)。然而，现有的透明导电基板存在着价格较高、大规模生产成品率低、硬度及抗腐蚀能力较差、且在进行掺杂源的掺杂后，需要进行尾气处理等问题。
[0005]基于上述问题，一种利用厚度为纳米尺寸的金属层作为中间夹层的SnO2/M(金属)/SnO2透明导电基板进入人们的视野。这种结构充分利用了SnO2材料质地硬且抗腐蚀能力强、金属材料导电性能好的优点。因此，可得到高的透光性能及良好的导电性能。然而，SnO2层较薄且含有游离态的氧，使得这种结构的透明导电基板无法承受高温处理。例如，SnO2/Ag/SnO2结构，经过高温处理后透光率和导电性能都显著下降。这主要是高温下Ag金属层被氧化的结果。然而，在太阳能电池制造过程中所应用的透明导电基板不可避免的需要经受高温处理。例如，在CdTe太阳能电池制备过程中，透明导电基板需要经受550℃的高温处理等。
[0006]因此，开发一种能够承受高温处理、经济型、环境友好型的透明导电基板，使其能够承受高温且在降低成本的同时，提高产品质量，减少对环境的污染，实属必要。
技术实现思路
[0007]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种透明导电基板，用于解决现有技术中透明导电基板难以承受高温且价格较高、大规模生产成品率低、硬度及抗腐蚀能力较差、需要进行尾气处理等问题。
[0008]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种透明导电基板，所述透明导电基板包括：
[0009]透明支撑基底；
[0010]透明导电复合结构，所述透明导电复合结构位于所述透明支撑基底上，且所述透明导电复合结构包括自下而上依次堆叠设置的SnO2阻隔层、含In导电层及SnO2保护层。
[0011]可选地，所述透明导电复合结构包括SnO
2-In-SnO2透明导电复合结构、SnO
2-ITO-SnO2透明导电复合结构、SnO
2-ITO-In-ITO-SnO2透明导电复合结构及SnO
2-ITO-In2O
3-ITO-SnO2透明导电复合结构中的一种。
[0012]可选地，所述SnO2阻隔层的厚度范围包括5nm～100nm，所述含In导电层的厚度范
围包括2nm～20nm，所述SnO2保护层的厚度范围包括5nm～100nm。
[0013]可选地，所述透明导电复合结构包括以所述含In导电层为对称面的面对称结构。
[0014]可选地，所述SnO2阻隔层包括四方相金红石结构晶体膜层或非晶膜层；所述SnO2保护层包括四方相金红石结构晶体膜层或非晶膜层。
[0015]可选地，所述透明支撑基底包括玻璃基底、陶瓷基底及有机物基底中的一种或组合。
[0016]可选地，所述透明支撑基底的厚度范围包括0.5mm～10mm。
[0017]可选地，所述透明支撑基底包括超白浮法玻璃。
[0018]如上所述，本专利技术的透明导电基板，以透明导电复合结构作为导电层，其中，含In导电层作为主要导电层，SnO2阻隔层及SnO2保护层作为辅助导电层；由于SnO2是一种宽带隙氧化物半导体，具有质地硬且抗腐蚀能力强的优点，从而通过SnO2阻隔层，能有效防止透明支撑基底中的元素的扩散，以保证含In导电层的纯度，提高含In导电层的导电性；通过SnO2保护层的保护作用，可有效提高透明导电基板的使用寿命；通过含In导电层，可使得透明导电复合结构在经过高温处理后，仍可具有高的透光率和导电性能。
[0019]本专利技术通过位于透明支撑基底上的透明导电复合结构，可提供一种耐高温、经济型、环境友好型的透明导电基板，且在降低成本的同时，提高产品质量，减少对环境的污染。
附图说明
[0020]图1显示为实施例一中的SnO
2-ITO-In-ITO-SnO2透明导电基板的结构示意图。
[0021]图2显示为实施例二中的SnO
2-ITO-In2O
3-ITO-SnO2透明导电基板的结构示意图。
[0022]图3显示为实施例三中的SnO
2-ITO-SnO2透明导电基板的结构示意图。
[0023]图4显示为实施例四中的SnO
2-In-SnO2透明导电基板的结构示意图。
[0024]图5显示为实施例中的透明导电基板的制备工艺流程示意图。
[0025]元件标号说明
[0026]110、120、130、140
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透明支撑基底
[0027]210
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SnO
2-ITO-In-ITO-SnO2透明导电复合结构
[0028]220
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SnO
2-ITO-In2O
3-ITO-SnO2透明导电复合结构
[0029]230
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SnO
2-ITO-SnO2透明导电复合结构
[0030]240
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SnO
2-In-SnO2透明导电复合结构
[0031]211、221、231、241
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SnO2阻隔层
[0032]212、222、232
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含In导电层
[0033]213、223、233、243
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SnO2保护层
[0034]2121、2123、2221、2223
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ITO层
[0035]2122、242
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In金属层
[0036]2222
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In2O3层
具体实施方式
[0037]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种透明导电基板，其特征在于，所述透明导电基板包括：透明支撑基底；透明导电复合结构，所述透明导电复合结构位于所述透明支撑基底上，且所述透明导电复合结构包括自下而上依次堆叠设置的SnO2阻隔层、含In导电层及SnO2保护层。2.根据权利要求1所述的透明导电基板，其特征在于：所述透明导电复合结构包括SnO
2-In-SnO2透明导电复合结构、SnO
2-ITO-SnO2透明导电复合结构、SnO
2-ITO-In-ITO-SnO2透明导电复合结构及SnO
2-ITO-In2O
3-ITO-SnO2透明导电复合结构中的一种。3.根据权利要求1所述的透明导电基板，其特征在于：所述SnO2阻隔层的厚度范围包括5nm～100nm，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，王伟，魏晓俊，周文彩，齐帅，于浩，曾红杰，李一哲，张纲，张正，
申请(专利权)人：中国建材国际工程集团有限公司，
类型：发明
国别省市：
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