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光记录介质及其制造方法技术

技术编号:3062639 阅读:135 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术的目的是提供一种不大为降低合格率就能有效消除缺陷盘的光记录介质制造方法。本发明专利技术是一种包括至少透光层3和记录层2,从而通过将激光束经所述透光层3投射到所述记录层2上读出和/或记录数据的光记录介质的制造方法,其中所述光记录介质制造方法包括至少用于检测所述透光层3内含有的内部缺陷的检查过程。在所述检查过程中,将在第一方向所述内部缺陷的临界值,和在不同于所述第一方向的第二方向的临界值设置为不同值。通过这种方式在两个方向分别定义内部缺陷的尺寸的临界值,这样通过适当地设置这些临界值,就能不大为降低合格率有效消除缺陷盘。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光记录介质,尤其涉及一种具有薄透光层的光记录介质。本专利技术还涉及一种光记录介质制造方法,尤其涉及一种具有薄透光层的光记录介质的制造方法。
技术介绍
近年来,诸如CD、DVD等的光记录介质已经被广泛用作记录数字数据的记录介质。当从这种光记录介质读出数据时,执行所谓的纠错处理,如果如此读出的数据含错误,则纠正这些错误以恢复正确的数据。通过纠错处理纠正错误的程度因算法而异,但如果数据里含有的错误程度较大,则无法纠错,因此利用前后的相邻数据来生成补偿数据。出现这种数据错误的一个主要原因是在光记录介质内的透光层存在缺陷。透光层有缺陷的例子包括混入异物、产生气泡等。一般来说,缺陷的尺寸越大,数据中出现错误的程度越高。为此,为透光层中含有的缺陷设定一个约定的容许尺寸(临界值),以防止出现无法通过纠错过程纠正的高级别错误,这样如果透光层含有超过这个尺寸的缺陷,将该光记录介质作为次品处理。如果在纠错过程中透光层中含有的缺陷的最大尺寸超过约定值,则纠错变得不能完成的可能性通常急速增大。为此,在制造光记录介质时,按照惯例将透光层中含有的缺陷的尺寸的临界值设置为匹配这个约定值,这样如果透光层含有的缺陷的尺寸超过该临界值,则通常将该光记录介质作为次品处理。然而,近年来,旨在通过将光记录介质的透光层做得极薄,并且将从光记录介质的表面到用于聚焦激光束以读出数据的物镜的距离(工作距离)设置得极短,来记录更大量的数字数据的技术已经引起了注意。如果通过这种方式将透光层做薄并且将工作距离设短,就能使激光束的有效光点比以前小得多,从而实现更高的记录密度。然而,使透光层变薄的结果是,如果其厚度变得接近纠错过程中纠错变得不可能的缺陷尺寸,或变得更薄,则如果透光层中含有的缺陷的临界值被设置成与在纠错过程中纠错变得不能完成的缺陷尺寸相同,那么即使有缺陷从表面显著突出的光记录介质也被当作正品(非次品)处理。由于在从这种光记录介质读出数据时使用的工作距离被设得极短,如果有缺陷从表面显著突出的这种光记录介质被当作正品处理,则存在突出的缺陷与物镜或支撑它的支架接触的危险。为防止这种情况发生,有效办法是将透光层内含有的缺陷的临界值设置成小于在纠错过程中纠错变得不能完成的可能性增大时的缺陷尺寸。例如,如果透光层的厚度比在纠错过程中纠错变得不能完成的可能性增大时的缺陷尺寸薄,如果透光层中含有的缺陷尺寸的临界值被设置成低于透光层的厚度,则有缺陷从表面显著突出的光记录介质被当作正品对待的可能性变得极小。然而,透光层中含有的缺陷尺寸的临界值被设置得越小,则光记录介质被当作次品处理的比例就变得越大,而且这个比例急速增大,导致出现合格率急速变坏的问题。为此,在制造光记录介质的过程中,极难做到消除有缺陷从表面显著突出的光记录介质而不大大降低合格率。为此,希望提供不大大降低合格率的光记录介质。
技术实现思路
因此,本专利技术的一个目的是提供一种在制造时合格率不会大为降低的光记录介质。本专利技术的另一目的是提供一种从透光层的表面突出的缺陷减小的光记录介质。本专利技术的另一目的是提供一种改进的具有薄透光层的光记录介质。本专利技术的另一目的是提供一种改进的光记录介质,其中透光层的厚度比产生错误的程度在纠错过程中无法被纠正的缺陷的尺寸薄。本专利技术的另一目的是提供一种不用大为降低合格率就能有效消除缺陷盘的光记录介质制造方法。本专利技术的另一目的是提供一种能有效消除有缺陷从透光层表面显著突出的光记录介质的光记录介质制造方法。本专利技术的另一目的是提供一种改进的具有薄透光层的光记录介质制造方法。本专利技术的另一个目的是提供一种改进的光记录介质制造方法,其中透光层的厚度比产生错误的程度在纠错过程中无法被纠正的缺陷的尺寸薄。在包括至少透光层和记录层,从而通过将激光束经所述透光层投射到所述记录层上读出和/或记录数据的一种光记录介质的制造方法中,根据本专利技术的所述光记录介质制造方法包括至少用于检测所述透光层内含有的内部缺陷的检查过程,并且在所述检查过程中,将在第一方向所述内部缺陷的临界值,和在不同于所述第一方向的第二方向的临界值设置为不同值。根据本专利技术,对于两个不同方向分别设置内部缺陷尺寸的临界值,这样,通过适当地设置这些临界值,就能不大为降低合格率有效消除缺陷盘。在包括至少透光层和记录层,从而通过将激光束经所述透光层投射到所述记录层上读出和/或记录数据的一种光记录介质中,根据本专利技术的所述光记录介质为,一个第一最大内部缺陷在一个第一方向上的长度比一个第二最大内部缺陷在一个第二方向上的长度长,所述第一最大内部缺陷是包含在所述透光层中的所有内部缺陷中在所述第一方向上最长的,而所述第二最大内部缺陷是包含在所述透光层中的所有内部缺陷中在所述第二方向上最长的。另外,在包括至少透光层和记录层,从而通过将激光束经所述透光层投射到所述记录层上读出和/或记录数据的一种光记录介质中,根据本专利技术的光记录介质为,在所述透光层内含有的内部缺陷的长度容限在第一方向比在不同于所述第一方向的第二方向要长。根据本专利技术,第一最大内部缺陷在第一方向上的长度比第二最大内部缺陷在第二方向上的长度长,因此制造时的合格率不会降低。在本专利技术的一个优选实施例中,所述第一方向是与所述激光束的光轴基本上垂直的方向,而所述第二方向是与所述激光束的光轴基本上平行的方向。在本专利技术的另一个优选实施例中,在所述第一方向上的临界值大于在所述第二方向上的临界值。这里,在所述第一方向上的临界值优选在从大约30μm到大约500μm的范围内,更优选在从大约40μm到大约300μm的范围内,最为优选在从大约50μm到大约200μm的范围内,特别优选大约200μm。另外,在所述第二方向上的临界值优选在从大约10μm到大约220μm的范围内,更优选在从大约30μm到大约200μm的范围内,最为优选在从大约50μm到大约100μm的范围内,特别优选大约100μm。在本专利技术的另一个优选实施例中,在所述第二方向上的临界值大于所述透光层的厚度。在本专利技术的另一个优选实施例中,所述透光层的厚度为大约100μm。在包括至少透光层和记录层,从而通过将激光束经所述透光层投射到所述记录层上读出和/或记录数据的一种光记录介质的制造方法中,根据本专利技术的所述光记录介质制造方法包括至少突出缺陷检查过程,用于检测附着于所述透光层或从所述透光层突出的突出缺陷。根据本专利技术,不大为降低合格率就有可能有效消除有缺陷从表面显著伸出的光记录介质,因此有可能消除突出缺陷与物镜或与支持它的支架接触的危险高的光记录介质。因此,该方法特别适合于在记录/读出数据时工作距离设置得短的光记录介质的制造。在包括至少透光层和记录层,从而通过将激光束经所述透光层投射到所述记录层上读出和/或记录数据的一种光记录介质的制造方法中,根据本专利技术的所述光记录介质制造方法包括至少突出缺陷检查过程,用于检测附着于所述透光层或从所述透光层突出的突出缺陷,并且在所述检查过程中,在第一方向所述突出缺陷的临界值,和在不同于所述第一方向的第二方向的临界值设置为不同值。根据本专利技术,有可能有效消除突出缺陷与物镜或支持它的支架接触(撞击)的可能性高的缺陷盘,而且还有可能不大为降低合格率有效消除产生错误的程度在纠错过程无法纠正的缺陷盘。在包括至少透光层和记录层,从而通过将激本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种包括至少透光层和记录层,从而通过将激光束经所述透光层投射到所述记录层上读出和/或记录数据的光记录介质的制造方法,其中所述光记录介质制造方法包括至少用于检测所述透光层内含有的内部缺陷的检查过程,并且在所述检查过程中,将在第一方向所述内部缺陷的临界值,和在不同于所述第一方向的第二方向的临界值设置为不同值。

【技术特征摘要】
JP 2001-8-10 244067/2001;JP 2001-8-10 244074/2001;1.一种包括至少透光层和记录层,从而通过将激光束经所述透光层投射到所述记录层上读出和/或记录数据的光记录介质的制造方法,其中所述光记录介质制造方法包括至少用于检测所述透光层内含有的内部缺陷的检查过程,并且在所述检查过程中,将在第一方向所述内部缺陷的临界值,和在不同于所述第一方向的第二方向的临界值设置为不同值。2.根据权利要求1的光记录介质制造方法,其中所述第一方向是与所述激光束的光轴基本上垂直的方向,而所述第二方向是与所述激光束的光轴基本上平行的方向。3.根据权利要求2的光记录介质制造方法,其中在所述第一方向上的临界值大于在所述第二方向上的临界值。4.根据权利要求3的光记录介质制造方法,其中在所述第一方向上的临界值在从大约30μm到大约500μm的范围内选择。5.根据权利要求4的光记录介质制造方法,其中在所述第一方向上的临界值在从大约40μm到大约300μm的范围内选择。6.根据权利要求5的光记录介质制造方法,其中在所述第一方向上的临界值在从大约50μm到大约200μm的范围内选择。7.根据权利要求6的光记录介质制造方法,其中在所述第一方向上的临界值为大约200μm。8.根据权利要求3的光记录介质制造方法,其中在所述第二方向上的临界值在从大约10μm到大约220μm的范围内选择。9.根据权利要求8的光记录介质制造方法,其中在所述第二方向上的临界值在从大约30μm到大约200μm的范围内选择。10.根据权利要求9的光记录介质制造方法,其中在所述第二方向上的临界值在从大约50μm到大约100μm的范围内选择。11.根据权利要求10的光记录介质制造方法,其中在所述第二方向上的临界值为大约100μm。12.根据权利要求11的光记录介质制造方法,其中所述透光层的厚度为大约100μm。13.根据权利要求3的光记录介质制造方法,其中在所述第二方向上的临界值大于所述透光层的厚度。14.一种包括至少透光层和记录层,从而通过将激光束经所述透光层投射到所述记录层上读出和/或记录数据的光记录介质,其中所述光记录介质为,一个第一最大内部缺陷在一个第一方向上的长度比一个第二最大内部缺陷在一个第二方向上的长度长,所述第一最大内部缺陷是包含在所述透光层中的所有内部缺陷中在所述第一方向上最长的,而所述第二最大内部缺陷是包含在所述透光层中的所有内部缺陷中在所述第二方向上最长的。15.根据权利要求14的光记录介质,其中所述第一方向是与所述激光束的光轴基本上垂直的方向,而所述第二方向是与所述激光束的光轴基本上平行的方向。16.根据权利要求15的光记录介质,其中所述第一最大内部缺陷的所述第一方向上的长度在从大约30μm到大约500μm的范围内。17.根据权利要求16的光记录介质,其中所述第一最大内部缺陷的所述第一方向上的长度在从大约40μm到大约300μm的范围内。18.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:田中敏文须沢和树
申请(专利权)人:TDK株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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