【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于借助于聚焦辐射束进行高速记录的可重写光学数据存储媒体,所述媒体包括承载各层的堆叠的基片,所述堆叠包括第一辅助层、第二辅助层和相变材料的记录层,所述相变材料主要包括Sb与Ga和In中至少一种的合金,所述记录层插入在第一辅助层和第二辅助层之间。本专利技术还涉及这种光学数据存储媒体的应用。从欧洲专利EP 0387898B1已知在开始段中提到的类型的光学数据存储媒体的一个实施例。由于把直接盖写(DOW)的可能性和高存储密度与易于与只读光学数据存储系统兼容相结合,基于相变原理的光学数据存储媒体引起了人们的注意。相变光学记录涉及使用相当高功率的聚焦辐射束(例如,激光束)在晶体记录层产生的亚微米尺寸的非晶记录标记。在信息记录期间,媒体相对于聚焦激光束移动,根据待记录的信息调制聚焦激光束。当高功率激光束熔融晶体记录层时就形成标记。当激光束被断开和/或继续相对于记录层移动时,记录层上的熔融标记被淬火,在记录层的暴光区域留下非晶信息标记,而在记录层的未暴光区域则保留结晶体态。用同一激光器的较低功率电平加热(不需要熔融记录层),通过重结晶可以将写入的非晶标记檫除 ...
【技术保护点】
一种利用聚焦辐射束的高速记录的可重写光学数据存储媒体,所述媒体包括承载各层的堆叠的基片,所述堆叠包括第一辅助层、第二辅助层和相变材料组成的记录层,所述相变材料主要包括Sb以及Ga和In中至少一种的合金,所述记录层插在所述第一辅助层和所述第二辅助层之间,其特征在于:所述合金具有由以下公式确定的原子百分比组分:Ga↓[x]In↓[y]Sb↓[z]和70≤z≤95及x+y+z=100。
【技术特征摘要】
EP 2002-8-28 02078541.61.一种利用聚焦辐射束的高速记录的可重写光学数据存储媒体,所述媒体包括承载各层的堆叠的基片,所述堆叠包括第一辅助层、第二辅助层和相变材料组成的记录层,所述相变材料主要包括Sb以及Ga和In中至少一种的合金,所述记录层插在所述第一辅助层和所述第二辅助层之间,其特征在于所述合金具有由以下公式确定的原子百分比组分GaxInySbz和70≤z≤95及x+y+z=100。2.如权利要求1所述的光学数据存储媒体,其中,所述合金具有由以下公式确定的原子百分比组分GaxInySbz和77≤z≤91及x+y+z=100。3.如权利要求1所述的光学数据存储媒体,其中,所述合金具有由以下公式确定的组分SbzM(100-z),,其中M是从Ga和In的组...
【专利技术属性】
技术研发人员:L范皮特森,MHR兰克霍斯特,JHJ鲁森,
申请(专利权)人:皇家飞利浦电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:NL[荷兰]
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