一种应用传输门的调阻电路制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种传输门电路及应用传输门的调阻电路，其中传输门由NMOS管和PMOS管相接构成，PMOS管MP0、MP1的共源极与常压PMOS上拉管MP2的漏极相连接，上拉管MP2的源极与电路最高电压VH相连接，NMOS管MN0、MN1的共源极与常压NMOS管MN2的漏极相连接，下拉管MN2的源极接地，其中PMOS管MP0和NMOS管MN0的共漏极为节点A，PMOS管MP1和NMOS管MN1的共漏极为节点B，传输门随PMOS管MP0、MP1的栅极和NMOS管MN0、MN1的栅极接入电压调整而完全关断或完全导通，并与电阻并联用于屏蔽或保留电阻。应用本实用新型专利技术改良的传输门设计，有效克服了当两端电压随高低压切换时不能完全关断的问题，并降低了器件耐压风险，提高了整个传输门应用器件的工作可靠性。件的工作可靠性。件的工作可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种应用传输门的调阻电路


[0001]本专利技术涉及一种传输门电路结构改良，尤其涉及一种用于与电阻并联调阻及相关应用、功能更完善的传输门电路及其所应用的调阻电路。

技术介绍

[0002]在音频芯片设计中，需要根据客户应用、在不同的场景模式下对音频输入信号设置不同档位的信号增益幅值，以调节人耳听到的声音大小。电路实现上通常通过调整音频系统反馈电阻的阻值大小实现。通常电路实现上，通过传输门与电阻的并联来改变反馈电阻值的大小。如图1所示是常见的、由一个PMOS管MP1和一个NMOS管MN1相接而成的传输门，其中MP1与MN1共漏相接于端点A、MP1与MN1共源相接于端点B，且各自栅极接设为传输门的开关控制端。把传输门A端口、B端口与电阻两端相接成并联状。当传输门打开时，电阻会被传输门屏蔽，即两端点之间的电阻就是传输门的开关电阻；而当传输门关闭时，即两端点之间的电阻即为电阻值。
[0003]但该传输门在实际应用过程中，如果A、B两端电压不高于器件栅极电压，采用普通的传输门电路，当传输门选择关闭时，传输门可以完全关断，即可实现A、B两端接入电阻。但当A、B两端电压随工作状态高低压不停切换时，传输门可能不能完全关断，且面临器件耐压风险，影响器件工作的可靠性。
[0004]传输门A、B端电压随工作状态高、低电压切换，在高压音频系统工作中是比较常见的场景，比如B端连接功放的输出V
OUT
，而V
OUT
输出较多是高压的方波信号。

技术实现思路

[0005]鉴于上述现有技术存在的缺陷，本专利技术的目的旨在提出一种应用传输门的调阻电路。
[0006]本专利技术上述目的的技术解决方案为，一种应用传输门的调阻电路，所述传输门通过节点A、节点B与电阻两端相接并联，传输门完全导通状态下，并联电路的电阻阻值对应传输门的开关电阻；传输门完全关断状态下，并联电路的电阻阻值对应所并联的电阻，其特征在于：所述传输门由NMOS管和PMOS管相接构成，其中PMOS管MP0、MP1的共源极与常压PMOS上拉管MP2的漏极相连接，上拉管MP2的源极与电路最高电压VH相连接，NMOS管MN0、MN1的共源极与常压NMOS管下拉管MN2的漏极相连接，下拉管MN2的源极接地，其中PMOS管MP0和NMOS管MN0的共漏极为节点A，PMOS管MP1和NMOS管MN1的共漏极为节点B，所述传输门随PMOS管MP0、MP1的栅极和NMOS管MN0、MN1的栅极接入电压调整而完全关断或完全导通。
[0007]上述传输门电路，优选的，所述PMOS管MP0、MP1的栅极与电路最高电压VH相连接，且PMOS管MP0、MP1的共源极通过上拉管MP2拉至栅源等压，PMOS管MP0、MP1完全关断，所述NMOS管MN0、MN1的栅极接地，且NMOS管MN0、MN1的共源极通过下拉管MN2拉至栅源等压，NMOS管MN0、MN1完全关断，在节点A、节点B出现高低压切换时，传输门完全关断。
[0008]上述传输门电路，优选的，所述PMOS管MP0、MP1的栅极接地，所述NMOS管MN0、MN1的
栅极与电路最高电压VH相连接，在节点A、节点B无高压时上拉管MP2和下拉管MN2关闭，传输门完全导通。
[0009]应用本专利技术改良的调阻电路，具备显著的进步性：该传输门电路有效克服了当两端电压随高低压切换时不能完全关断的问题，并降低了器件耐压风险，提高了整个传输门应用器件的工作可靠性。
附图说明
[0010]图1是现有普通传输门的电路接线示意图。
[0011]图2是本专利技术调阻电路及其中所应用改进后传输门的接线示意图。
具体实施方式
[0012]以下便结合实施例附图，对本专利技术的具体实施方式作进一步的详述，以使本专利技术技术方案更易于理解、掌握，从而对本专利技术的保护范围做出更为清晰的界定。
[0013]本专利技术设计者针对普通传输门在不同压域下受控可能无法完全关断、器件面临耐压风险、可靠性较差等不足进行了综合分析，结合自身经验和创造性劳动，提出了一种传输门电路的改良结构及应用该传输门的调阻电路。在普通传输门基础上，优化器件配置和连接，以保障传输门在应用时可切实地完全导通或完全关断。
[0014]为便于更具象化地理解，如图2所示该调阻电路的接线示意图，其中线框所示的传输门电路由NMOS管和PMOS管相接构成，且具有两端自由的节点A和节点B，在调阻电路连接时，将该节点A和节点B分别对接电阻的两端。以下说明以5V工艺为参考，其中常压通常指器件的栅源电压为5V或以下范围，而高压则指的是器件的栅源电压超出5V。从该传输门的具体改良来看，该高压的PMOS管MP0、MP1的共源极与常压PMOS上拉管MP2的漏极相连接，上拉管MP2的源极与电路最高电压VH相连接，而高压的NMOS管MN0、MN1的共源极与常压NMOS管下拉管MN2的漏极相连接，下拉管MN2的源极接地，其中PMOS管MP0和NMOS管MN0的共漏极为节点A，PMOS管MP1和NMOS管MN1的共漏极为节点B，该传输门随PMOS管MP0、MP1的栅极和NMOS管MN0、MN1的栅极接入电压调整而完全关断或完全导通。在传输门选择关断时，PMOS管MP0、MP1及NMOS管MN0、MN1在A、B端之间起完全隔离的作用，呈现的是所并联的电阻R1；在A、B端无高压时，选择开启传输门，起着开关导通的作用，以屏蔽并联的电阻器件。
[0015]具体地，在节点A和节点B出现高、低压切换时，高压的PMOS管MP0、MP1的栅极电压接电路最高电压VH，且MP0、MP1的源端接在一起，并通过常压PMOS管MP2上拉到VH，此时PMOS管MP0、MP1管可以实现完全关断，且通过选择合适的高压器件，MP0、MP1不存在耐压风险，无可靠性问题。同样地，高压的NMOS管MN0、MN1的栅极电压接电路最低电压GND，即接地，且MN0、MN1的源端接在一起，并通过常压NMOS管MN2也下拉到GND。此时NMOS管MN0、MN1管可以实现完全关断，且通过选择合适的高压器件，MN0、MN1不存在耐压风险，无可靠性问题。通过以上栅极电压控制，可以实现整个传输门的完全关断，可靠性更高。
[0016]在节点A和节点B之间无高压时，上拉管MP2及下拉管MN2均关闭，则高压的PMOS管MP0、MP1的栅极电压接GND，高压的NMOS管MN0、MN1的栅极电压接电路最高电压VH，可实现传输门的完全导通。在传输门与电阻串中的某个电阻并联的状态下，通过屏蔽或保持该并联电阻，能改变电阻串的总阻值大小。如图2所示的调阻电路，在传输门完全关断的状态下，在
A、B端保持该电阻R1，则电阻串的总电阻为所有电阻R1、R2、R3之和；在传输门完全导通的状态下，在A、B端屏蔽该电阻R1，则电阻串的总电阻为传输门的开关电阻与电阻R2、R3之和。
[0017]当然，本实施例所提出的传输门电路与电阻并联的应用，特别在音频芯片设计中通过调整音频系统反馈电阻实现音频输入信号设置不同档位的信号增益幅值本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用传输门的调阻电路，所述传输门通过节点A、节点B与电阻两端相接并联，传输门完全导通状态下，并联电路的电阻阻值对应传输门的开关电阻；传输门完全关断状态下，并联电路的电阻阻值对应所并联的电阻，其特征在于：所述传输门由NMOS管和PMOS管相接构成，其中PMOS管MP0、MP1的共源极与常压PMOS上拉管MP2的漏极相连接，上拉管MP2的源极与电路最高电压VH相连接，NMOS管MN0、MN1的共源极与常压NMOS管下拉管MN2的漏极相连接，下拉管MN2的源极接地，其中PMOS管MP0和NMOS管MN0的共漏极为节点A，PMOS管MP1和NMOS管MN1的共漏极为节点B，所述传输门随PMOS管MP0、MP1的栅极和NMOS管MN0、MN1的栅极接入电压调整...

【专利技术属性】
技术研发人员：何均，
申请(专利权)人：成都思瑞浦微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：