带有辅助偏置的写入器结构制造技术

本发明专利技术涉及使用记录介质的记录头。该头包括辅助装置以辅助头的工作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及数据存储和检索系统的领域，本专利技术尤其涉及记录头的辅助操作。
技术介绍
在电子数据存储和检索系统中，转换头可包括用于将信息存储在磁盘上的写入器以及用于从磁盘检索磁性编码信息的读取器。在磁性环境中，读取器可包括两个遮蔽板(shield)以及位于遮蔽板之间的磁阻(MR)传感器。来自盘表面的磁通量使得MR传感器传感层的磁化矢量旋转，并导致MR传感器电阻系数的变化。可通过将电流通过MR传感器并跨MR传感器测量电压来探测MR传器电阻系数的该变化。外部电路随后将电压信息转换为合适的格式并在需要时使用该信息。写入器部分可包括顶部极以及一个或两个返回极。在写入器的空气承载面由间隔层将返回极与顶部极分离开，并且在空气承载面的区域末端由后部间隔将两种极彼此相连，并且在空气承载面的区域末端由接近的或向后的后部间隔将两种极彼此相连。在顶部极和返回极之间放置有一个或多个由绝缘层封装的导体线圈层。写入器部分和读取器部分通常被安排为合并配置，其中共享极作为读取器部分的顶部遮蔽板以及写入器部分的底部极。为了向磁性介质写入数据，产生电流通过导体线圈以从激励顶部极散发出磁场。通过将通过线圈的电流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结合存储介质使用的记录头，包括：磁性极；磁性偏置结构；以及间隔器，位于所述磁性极和所述磁性偏置结构之间。

【技术特征摘要】
US 2005-3-1 11/069,7921.一种结合存储介质使用的记录头，包括磁性极；磁性偏置结构；以及间隔器，位于所述磁性极和所述磁性偏置结构之间。2.如权利要求1所述的记录头，其特征在于，所述间隔器是非磁性的，这样所述磁性极和磁性偏置层被磁性去耦合。3.如权利要求1所述的记录头，其特征在于，所述磁性偏置结构包括子层、硬磁薄膜和间隔层。4.如权利要求1所述的记录头，其特征在于，所述磁性偏置结构包括子层、反铁磁性层和铁磁性层。5.如权利要求1所述的记录头，其特征在于，还包括软磁性遮蔽板，所述间隔器位于所述磁性极和所述软磁性遮蔽板之间。6.如权利要求5所述的记录头，其特征在于，所述软磁性遮蔽板位于所述磁性偏置结构和所述磁性极之间。7.一种头，包括基片，含有后部边；磁性极尖端，与所述基片的后部边耦合；线圈，导向所述磁性极尖端的磁场；以及辅助装置，与所述极尖端间隔开，并提供辅助磁场。8.如权利要求7所述的头，其特征在于，所述辅助装置包括第一磁偏置结构，位于所述磁性极尖端的第一侧面上；以及第二磁偏置结构，位于所述磁性极尖端的第二侧面上，所述第二侧面比所述第一侧面要远离所述后部边。9.如权利要求7所述的头，其特征在于，所述辅助装置包括第一磁偏置结构，与所述基片的后部边耦合；第二磁偏置结构，与所述基片的后部边耦合；以及非磁间隔器，使所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛松生，MT基弗，JV艾克，N阿明，OG海诺宁，高凯中，PJ瑞安，
申请(专利权)人：希捷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]