带有辅助偏置的写入器结构制造技术

技术编号:3056472 阅读:158 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及使用记录介质的记录头。该头包括辅助装置以辅助头的工作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及数据存储和检索系统的领域,本专利技术尤其涉及记录头的辅助操作。
技术介绍
在电子数据存储和检索系统中,转换头可包括用于将信息存储在磁盘上的写入器以及用于从磁盘检索磁性编码信息的读取器。在磁性环境中,读取器可包括两个遮蔽板(shield)以及位于遮蔽板之间的磁阻(MR)传感器。来自盘表面的磁通量使得MR传感器传感层的磁化矢量旋转,并导致MR传感器电阻系数的变化。可通过将电流通过MR传感器并跨MR传感器测量电压来探测MR传器电阻系数的该变化。外部电路随后将电压信息转换为合适的格式并在需要时使用该信息。写入器部分可包括顶部极以及一个或两个返回极。在写入器的空气承载面由间隔层将返回极与顶部极分离开,并且在空气承载面的区域末端由后部间隔将两种极彼此相连,并且在空气承载面的区域末端由接近的或向后的后部间隔将两种极彼此相连。在顶部极和返回极之间放置有一个或多个由绝缘层封装的导体线圈层。写入器部分和读取器部分通常被安排为合并配置,其中共享极作为读取器部分的顶部遮蔽板以及写入器部分的底部极。为了向磁性介质写入数据,产生电流通过导体线圈以从激励顶部极散发出磁场。通过将通过线圈的电流的极性反转,写入磁性介质的数据的极性也反转。写入数据的磁道宽度由在空气承载面处写入间隔附近的顶部极宽度来决定。在磁记录中,希望提高记录信息的区域密度并可靠地进行读取。由于磁性转换存储在介质上的方式并因为比起纵向记录能生成更大的写入区域,垂直记录设计具有支持存储介质上更高的区域密度的潜质。在垂直记录系统中,磁性转换被垂直存储在盘的表面,这极大地减少了盘空间使用。垂直记录头可包括写入极、磁耦合到写入极的引导返回或反向极和/或后部返回极(trailingreturn pole),以及包围着写入极的电导励磁线圈。当将磁性转换记录在介质上时,将电流通过线圈以在写入极中产生磁通量。磁通量通过硬磁层到介质中的软下层,并穿过到反向极。磁通量产生介质上的转换。即使在写入电流关闭的状态(称为残余状态)下,垂直极尖端以及包围着极尖端的部分也可产生大量的磁场。残留在极尖端中的磁场对介质上的转换有不利作用,这会使介质上的比特被擦除。因此需要一种辅助极尖端并防止外部无关磁场擦除介质上的比特的设计。
技术实现思路
本专利技术涉及带有存储介质的记录头。该头包括磁极、磁偏置结构以及位于磁极和磁偏置结构之间的间隔片。在本专利技术的另一个方面,提供了一种头,该头带有后部边的基片以及与基片的后部边耦合的磁极尖端,并且该头定义了承载表面平面。一个线圈适用于从磁极尖端产生与承载表面基本垂直的磁场。辅助结构离开磁极尖端一定距离放置并提供辅助磁场。附图说明图1是盘驱动器的等体积视图。图2是磁性读取/写入头以及位于垂直于读取/写入头的空气承载表面的平面上的磁盘的截面视图。图3是磁性读取/写入头的空气承载表面的层视图。图4是用于辅助写入极偏置的示例性偏置结构的框图。图5是用于辅助写入极偏置的示例性偏置结构的框图。图6-20是根据本专利技术的实施例的示例性读取/写入头的示意性视图。图21-22是使用偏置线圈来辅助写入极偏置的示例性读取/写入头的示意性视图。图23是根据本专利技术的另一个可选实施例的读取/写入头和振荡器的截面视图。图24是图23中读取/写入头的空气承载表面的层视图。图25是图23-24中的读取/写入头的平面振荡器的截面视图。图26是图23-24中的读取/写入头的轴向振荡器的截面视图。图27是图23-24中的读取/写入头的平面振荡器的截面视图。图28是根据本专利技术的另一个可选实施例的读取/写入头和振荡器的截面视图。图29是图28中读取/写入头的空气承载表面的层视图。图30是图28-29中的读取/写入头的平面振荡器的截面视图。图31是图28-29中的读取/写入头的轴向振荡器的截面视图。具体实施例方式图1是盘驱动器100的等体积视图,其中本专利技术的实施例是有用的。盘驱动器100包括带有基座102和顶盖(没有示出)的机架。盘驱动器100还包括磁盘组106,磁盘组通过盘夹108安装在轮轴电动机(没有示出)上。磁盘组106包括多个单个盘107,多个盘被安置以围绕中央轴109一起旋转。每个盘表面带有结合滑块110,滑块安装到盘驱动器100上并携带用于与盘表面进行通信的读取/写入头。读取/写入头可包括任何类型的转换头,诸如感应头、磁阻头、光学头或磁-光头。在图1所示的示例中,滑块110由撑架112支撑,撑架112依次附着在致动器116的磁道访问臂114上。图1所示的致动器是众所周知的旋转移动线圈致动器的类型,并包括音圈电动机(VCM),通常示出为118。音圈电动机118将致动器116及其附着的滑块110绕着支点轴120旋转,以将滑块110放置到所期望的数据磁道上,数据磁道是沿着盘内直径124和盘外直径126之间的路径122。音圈电动机118由伺服电路130基于滑块110和主计算机(没有示出)产生的信号来驱动。也可使用其它类型的致动器,例如,线性致动器。图2是磁性读取/写入头200以及位于垂直于读取/写入头200的空气承载表面的平面上的磁盘202的截面视图。磁性读取/写入头200的空气承载表面204面对磁盘202的盘表面206。磁盘202移动或旋转在如箭头A所示的对应于磁性读取/写入头200的方向。在空气承载表面204和盘表面206之间的间隔可在避免磁性读取/写入头200和磁盘202之间的接触时较佳地被最小化。磁性读取/写入头200的写入器部分包括顶部极208、磁轭209、绝缘体210、传导线圈212、以及底部极/顶部遮蔽板214。使用绝缘体210将传导线圈212放置在磁轭209和顶部遮蔽板214之间。传导线圈212在图2中示出为一个线圈层,但也可由多个线圈层组成,如本磁性读取/写入头设计领域众所周知的。根据本专利技术也可使用读取/写入头200的其它配置。例如,读取/写入头200可包括位于顶部极208相对侧的出自底部极的返回极和/或底部极可从顶部读取器遮蔽板上分离开。磁性读取/写入头200的读取器部分包括底部极/顶部遮蔽板214、顶部间隔层215、金属接触层16、底部间隔层217、底部遮蔽板218、以及大型磁阻(GMR)堆栈220。金属接触层216位于顶部间隔层215和底部间隔层217之间。GMR堆栈220位于金属接触层216的终端和底部间隔层217之间。顶部间隔层215位于底部极/顶部遮蔽板214和金属接触层216之间。底部间隔层217位于金属接触层216和底部遮蔽板218之间。底部极/顶部遮蔽板214和顶部极208一起使用时既作为遮蔽板又作为共享极。图3是磁性读取/写入头200的空气承载表面204的层视图。图3示出磁性读取/写入头200中的磁性特征元素的位置,它们沿着图2的磁性读取/写入头200的空气承载表面204出现。在图3中,为了清楚起见,省略了磁性读取/写入头200的所有间隔和绝缘层。底部遮蔽板218和底部返回极/顶部遮蔽板214被间隔开以提供GMR堆栈220的位置。GMR堆栈220具有两个无源区域,所述区域定义为GMR堆栈220临近金属接触层216的部分。GMR堆栈220的有源区域被定义为GMR堆栈220位于GMR堆栈220两个无源区域之间的部分。GMR堆栈220的有源区域定义了读取传感器本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种结合存储介质使用的记录头,包括:磁性极;磁性偏置结构;以及间隔器,位于所述磁性极和所述磁性偏置结构之间。

【技术特征摘要】
US 2005-3-1 11/069,7921.一种结合存储介质使用的记录头,包括磁性极;磁性偏置结构;以及间隔器,位于所述磁性极和所述磁性偏置结构之间。2.如权利要求1所述的记录头,其特征在于,所述间隔器是非磁性的,这样所述磁性极和磁性偏置层被磁性去耦合。3.如权利要求1所述的记录头,其特征在于,所述磁性偏置结构包括子层、硬磁薄膜和间隔层。4.如权利要求1所述的记录头,其特征在于,所述磁性偏置结构包括子层、反铁磁性层和铁磁性层。5.如权利要求1所述的记录头,其特征在于,还包括软磁性遮蔽板,所述间隔器位于所述磁性极和所述软磁性遮蔽板之间。6.如权利要求5所述的记录头,其特征在于,所述软磁性遮蔽板位于所述磁性偏置结构和所述磁性极之间。7.一种头,包括基片,含有后部边;磁性极尖端,与所述基片的后部边耦合;线圈,导向所述磁性极尖端的磁场;以及辅助装置,与所述极尖端间隔开,并提供辅助磁场。8.如权利要求7所述的头,其特征在于,所述辅助装置包括第一磁偏置结构,位于所述磁性极尖端的第一侧面上;以及第二磁偏置结构,位于所述磁性极尖端的第二侧面上,所述第二侧面比所述第一侧面要远离所述后部边。9.如权利要求7所述的头,其特征在于,所述辅助装置包括第一磁偏置结构,与所述基片的后部边耦合;第二磁偏置结构,与所述基片的后部边耦合;以及非磁间隔器,使所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:薛松生MT基弗JV艾克N阿明OG海诺宁高凯中PJ瑞安
申请(专利权)人:希捷科技有限公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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