掺杂剂容器制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体制备领域，具体而言，涉及一种掺杂剂容器；掺杂剂容器包括容器本体和连接组件，容器本体设置有用于盛装掺杂剂的容纳腔；连接组件包括设置于容器本体的第一连接件和第二连接件；其中，一个掺杂剂容器的第一连接件能够与另一个掺杂剂容器的第二连接件可拆卸地连接。本实用新型专利技术提供的掺杂剂容器能够便于使掺杂剂达到浓度要求。容器能够便于使掺杂剂达到浓度要求。容器能够便于使掺杂剂达到浓度要求。

【技术实现步骤摘要】
掺杂剂容器


[0001]本技术涉及半导体制备领域，具体而言，涉及一种掺杂剂容器。

技术介绍

[0002]碳化硅是继第一代半导体Si、第二代半导体GaAs之后发展起来的重要的第三代半导体材料，它具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高载流子饱、高抗辐射能力及良好的化学稳定性等的优越特性，因其本身具有的特性，第三代半导体技术可以在多种领域广泛应用；近年来第三代半导体材料还迅速渗透到照明、电子电力器件、微波射频等领域的各个角落，市场规模快速提升，在新能源汽车、汽车灯照、通用照明、电动车、5G通讯应用等领域有着广泛的应用市场，将成为未来新能源发展的方向之一。
[0003]半绝缘碳化硅(SiC)单晶衬底由于具有禁带宽度大、电阻率及热导率高、击穿场强大等优异的物理性能，成为制备GaN基高频微波器件的优选半导体材料。随着5G技术的不断发展，市场端对半绝缘碳化硅单晶衬底的需求数量不断扩大。更重要的是，批量商业化的应用对碳化硅半绝缘单晶衬底的质量要求也提出了更高的要求。相关技术提供的产业化的半绝缘碳化硅单晶制备是在物理气相法(PVT)的基础上，通过引入高浓度的钒杂质作为深能级补偿中心实现半绝缘特性，由此制备的碳化硅单晶称为掺杂半绝缘碳化硅单晶；或者通过在晶体制备过程中不断降低晶体中的浅能级杂质浓度并引入一定数量的本征点缺陷实现其半绝缘特性，由此制备的碳化硅单晶称为高纯半绝缘碳化硅单晶。
[0004]相关技术提供的掺杂方式不容易使掺杂剂达到浓度要求。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种掺杂剂容器，其能够便于使掺杂剂达到浓度要求。
[0006]本技术的实施例是这样实现的：
[0007]本技术提供一种掺杂剂容器，包括：
[0008]容器本体，容器本体设置有用于盛装掺杂剂的容纳腔；
[0009]连接组件，连接组件包括设置于容器本体的第一连接件和第二连接件；其中，
[0010]一个掺杂剂容器的第一连接件能够与另一个掺杂剂容器的第二连接件可拆卸地连接。
[0011]在可选的实施方式中，容器本体包括壳体和与壳体活动连接的盖板，壳体设置有容纳腔和敞口，敞口与容纳腔连通，盖板用于封闭或打开敞口。
[0012]在可选的实施方式中，壳体的外侧壁设置有第一连接件和第二连接件两者中的至少一者，盖板设置有第一连接件和第二连接件两者中的至少另一者。
[0013]在可选的实施方式中，第一连接件为凸起，第二连接件为凹槽；壳体包括依次首尾连接的第一板、第二板、第三板和第四板、以及同时与第一板的第一端、第二板的第一端、第三板的第一端以及第四板的第一端连接的第五板，第一板的第二端、第二板的第二端、第三
板的第二端以及第四板的第二端共同形成敞口，且第一板、第二板、第三板、第四板和第五板共同围成容纳腔；
[0014]第一板、第二板、第三板、第四板和第五板五者中的至少一者设置有凹槽，五者中的至少另一者设置有凸起；盖板设置有凹槽和凸起两者中的至少一者。
[0015]在可选的实施方式中，盖板设置有凸起，第一板和第二板均设置有凸起，第三板、第四板和第五板均设置有凹槽。
[0016]在可选的实施方式中，凸起和凹槽的截面均呈圆形。
[0017]在可选的实施方式中，盖板与壳体滑动连接。
[0018]在可选的实施方式中，壳体和盖板两者中的一者设置有滑槽，两者中的另一者设置有滑块，滑块与滑槽可拆卸地滑动配合。
[0019]在可选的实施方式中，盖板与壳体转动连接。
[0020]在可选的实施方式中，容纳腔呈立方体状。
[0021]本技术实施例的掺杂剂容器的有益效果包括：本技术实施例的掺杂剂容器包括容器本体和连接组件，容器本体设置有用于盛装掺杂剂的容纳腔；连接组件包括设置于容器本体的第一连接件和第二连接件，其中，一个掺杂剂容器的第一连接件能够与另一个掺杂剂容器的第二连接件可拆卸地连接。这样一来，可以利用容器本体的容纳腔盛装通过掺杂方式制备半绝缘碳化硅单晶的掺杂剂，且可以将至少两个掺杂剂容器通过能够相互配合的第一连接件和第二连接件拼接组装起来，进而可以根据需求通过至少两个掺杂剂容器拼接以成各种不同的形状，使掺杂剂随容器本体放置于所需位置，有利于使掺杂剂的浓度满足要求。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0023]图1为本技术实施例中掺杂剂容器的结构示意图一；
[0024]图2为本技术实施例中掺杂剂容器的结构示意图二；
[0025]图3为本技术实施例中四个掺杂剂容器拼接示意图；
[0026]图4为本技术实施例中七个掺杂剂容器拼接示意图；
[0027]图5为本技术实施例中十个掺杂剂容器拼接示意图。
[0028]图标：010
‑
掺杂剂容器；100
‑
容器本体；110
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壳体；111
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第一板；112
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第二板；113
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第三板；114
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第四板；115
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第五板；116
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敞口；117
‑
容纳腔；120
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盖板；131
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滑块；132
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滑槽；200
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连接组件；210
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第一连接件；220
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第二连接件。
具体实施方式
[0029]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和
示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0030]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0031]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0032]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掺杂剂容器，其特征在于，包括：容器本体，所述容器本体设置有用于盛装所述掺杂剂的容纳腔；连接组件，所述连接组件包括设置于所述容器本体的第一连接件和第二连接件；其中，一个所述掺杂剂容器的所述第一连接件能够与另一个所述掺杂剂容器的第二连接件可拆卸地连接。2.根据权利要求1所述的掺杂剂容器，其特征在于，所述容器本体包括壳体和与壳体活动连接的盖板，所述壳体设置有所述容纳腔和敞口，所述敞口与所述容纳腔连通，所述盖板用于封闭或打开所述敞口。3.根据权利要求2所述的掺杂剂容器，其特征在于，所述壳体的外侧壁设置有所述第一连接件和所述第二连接件两者中的至少一者，所述盖板设置有所述第一连接件和所述第二连接件两者中的至少另一者。4.根据权利要求2所述的掺杂剂容器，其特征在于，所述第一连接件为凸起，所述第二连接件为凹槽；所述壳体包括依次首尾连接的第一板、第二板、第三板和第四板、以及同时与所述第一板的第一端、所述第二板的第一端、所述第三板的第一端以及所述第四板的第一端连接的第五板，所述第一板的第二端、所述第二板的第二端、所述第三板的第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄首义，张洁，王旻峰，付芬，邓树军，
申请(专利权)人：福建北电新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：