光拾取装置制造方法及图纸

技术编号:3054077 阅读:210 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术揭示一种光拾取装置,能够减小用物镜聚焦的光点的像差、不降低光的利用效率、具有接近0级衍射光即主光束的光强度分布均匀的理想状态的聚焦特性。本发明专利技术的光拾取装置,具有射出光束的光源、将光束引向聚焦单元的衍射光栅、以及使光束聚焦在记录介质上的聚焦单元,将从光源射出的光束通过上述衍射光栅,利用上述聚焦单元,聚焦在记录介质上,上述衍射光栅具有产生抵消由光源产生的像散的方向的像散的光栅槽。因此,能够提供可将光束聚缩达到接近无像差时的光点大小、具有优异的聚焦特性的光拾取装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在对光盘等记录介质进行光学信息的记录及/或重放的光学记录重放装置中使用的光拾取装置、及装有该光拾取装置的光记录重放装置。
技术介绍
以往以来,为了采用小型光盘、激光盘、追加记录型或可重写型光盘等记录介质进行信息的记录重放,使用了光拾取装置。使用光拾取装置进行信息的记录及重放,是将从半导体激光光源射出的光束照射上述记录介质的记录面及重放面,利用来自该记录面及重放面的反射光进行记录及重放。从半导体激光光源射出的光束的强度分布一般是高斯型分布。因此,入射至物镜的光束的强度分布也仍然是高斯型分布,与物镜中心部的光强度相比,随着逐渐趋向外侧,光强度下降。另外,从半导体激光光源射出的光束具有下述的性质,即在与产生光束振荡的激光器芯片层叠方向水平面及垂直面上,发射面的扩展范围不同。因此,在半导体激光光源中,产生在与激光器芯片层叠方向水平方向及垂直方向上虚光源位置不同的像散。这样,从半导体激光光源射出的光束就具有像散。因此,从半导体激光光源射出的光束不能在光盘等记录介质上聚缩成微小的光点,引起重放信号在时间轴方向的分辨率降低。另外产生的问题是,由于相邻道中记录的信号作为串扰分量,混本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光拾取装置(100),其特征在于,具有射出光束(33)的光源(1);使光束(33)聚焦在记录介质(6)上的聚焦单元(5);以及将光束(33)引向聚焦单元(5)的衍射光栅(3),在将从所述光源(1)射出的光束(33)通过所述衍射光栅(3),利用所述聚焦单元(5),聚焦在记录介质(6)上的光拾取装置(100)中,所述衍射光栅(3)具有产生抵消由所述光源(1)产生的像散的方向的像散的光栅槽(b)。

【技术特征摘要】
JP 2005-10-20 2005-3062451.一种光拾取装置(100),其特征在于,具有射出光束(33)的光源(1);使光束(33)聚焦在记录介质(6)上的聚焦单元(5);以及将光束(33)引向聚焦单元(5)的衍射光栅(3),在将从所述光源(1)射出的光束(33)通过所述衍射光栅(3),利用所述聚焦单元(5),聚焦在记录介质(6)上的光拾取装置(100)中,所述衍射光栅(3)具有产生抵消由所述光源(1)产生的像散的方向的像散的光栅槽(b)。2.如权利要求1所述的光拾取装置(100),其特征在于,所述衍射光栅(3)的光栅槽(b)相对于光栅凸起(a)的比例这样形成,即对于所述光源(1)的扩展范围大的发射面的面方向,从该衍射光栅(3)的中心部分区域(11)趋向周边部分区域(12、13)逐渐减小。3.如权利要求1所述的光拾取装置(100),其特征在于,所述衍射光栅(3)的光栅槽(b)相对于光栅凸起(a)的比例这样形成,即对于所述光源(1)的扩展范围小的发射面的面方向,从该衍射光栅(3)的中心部分区域(11)趋向周边部分区域(12、13)逐渐增大。4.如权利要求1所述的光拾取装置(100),其特征在于,在所述衍射光栅(3)的设置光栅槽(b)的表面上具有折射率高于衍射光栅(3)的材料层(15),所述衍射光栅(3)的光栅槽(b)相对于光栅凸起(a)的比例这样形成,即对于所述光源(1)的扩展范围大的发射面的面方向,从所述衍射光栅(3)的中心部分区域(11)趋向周边部分区域(12、13)逐渐增大。5.如权利要求1所述的光拾取装置(100),其特征在于,在所述衍射光栅(3)的设置光栅槽(b)的表面上具有折射率高于衍射光栅(3)的材料层(15),所述衍射光栅(3)的光栅槽(b)相对于光栅凸起(a)的比例这样形成,即对于所述光源(1)的扩展范围小的发射面的面方向,从所述衍射光栅(3)的中心部分区域(11)趋向周边部分区域(12、13)逐渐减小。6.如权利要求1所述的光拾取装置(100),其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:三宅隆浩
申请(专利权)人:夏普株式会社
类型:发明
国别省市:JP[]

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