包含膦氧化物基质和金属盐的半导体材料制造技术

本发明专利技术涉及包含膦氧化物基质和金属盐的半导体材料。所述半导体材料包含如权利要求1所述的选自A1至A7和B1至B8的化合物和至少一种式(II)所示的锂络合物(II)，其中A1是C6‑

【技术实现步骤摘要】
包含膦氧化物基质和金属盐的半导体材料
[0001]本申请为国际申请PCT/EP2014/071659于2016年4月8日进入中国国家阶段、申请号为201480055720.6、专利技术名称为“包含膦氧化物基质和金属盐的半导体材料”的分案申请。


[0002]本专利技术涉及具有改进的电学性能的有机半导体材料、适用于这种有机半导体材料的化合物和利用本专利技术的半导体材料的改进的电学性能的电子器件。

技术介绍

[0003]在包含至少一个基于由有机化学提供的材料的部件的电子器件中，有机发光二极管(OLED)具有突出的地位。自从Tang等人在1987年演示了高效OLED(C.W.Tang等，Appl.Phys.Lett.51(12),913(1987))以来，OLED已从有希望的候选者发展成高端商业化显示器。OLED包含一系列基本上由有机材料制成的薄层。这些层通常具有1nm至5μm范围内的厚度。这些层通常利用真空沉积或者从溶液利用例如旋涂或喷墨印刷来形成。
[0004]在载荷子以电子形式从阴极并且以空穴形式从阳极注入到排列在其间的有机层中之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体材料，其包含：i)化合物，其选自A1至A7和B1至B8：
以及ii)至少一种式(II)所示的锂络合物其中A1是C6‑
C
30
亚芳基或在芳香环中包含至少一个选自O、S和N的原子的C2‑
C
30
亚杂芳基，并且每个A2和A3独立地选自C6‑
C
30
芳基和在芳香环中包含至少一个选自O、S和N的原子的C2‑
C
30
杂芳基。2.根据权利要求1所述的半导体材料，其中在化合物(II)中，A1是亚苯基。3.根据权利要求1所述的半导体材...

【专利技术属性】
技术研发人员：卡斯滕，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：