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本发明涉及包含膦氧化物基质和金属盐的半导体材料。所述半导体材料包含如权利要求1所述的选自A1至A7和B1至B8的化合物和至少一种式(II)所示的锂络合物(II)，其中A1是C6‑
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该专利属于诺瓦尔德股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过诺瓦尔德股份有限公司授权不得商用。

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