认证器件及膜制造技术

本发明专利技术的课题是提供认证性不依赖于膜的取向角的认证器件，其主旨是具有光源、起偏器、膜、和光敏传感器并且在起偏器与认证对象物之间配置有具有特定特性的膜的认证器件。间配置有具有特定特性的膜的认证器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】认证器件及膜


[0001]本专利技术涉及具有光源、起偏器、膜、光敏传感器的认证器件。

技术介绍

[0002]随着近年来的图像处理技术和数据解析技术的发展，各式各样的认证系统已被实用化。特别是指纹认证、虹膜认证、静脉认证、面部认证等生物体认证器件在精度的提高和低成本化上取得进展，开始被使用在便携电话、车辆等各种电子制品中。预想今后会被进一步使用在车辆、电子支付等中，因此要求具有更高精度、更低成本化、并且长期使用的情况下的耐久性的认证器件。
[0003]如专利文献1所示那样，光学式的认证器件一般通过以下方式来进行认证，即，将从光源发出的光照射到认证对象物，将反射了的光用光敏传感器接收、摄像，将图案化了的图像与预先登记的图案进行匹配。对于那样的认证器件，如果除从光源发出以外的光入射则成为错误认证的原因，因此使用起偏器来抑制外部光的反射的情况多。此外，通过在最表层使用聚酯、聚碳酸酯等热塑性树脂的膜，从而防止由破损、伤痕引起的认证功能降低。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：国际公开2017/126153号

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]然而，在上述膜具有偏光性、旋光性的情况下，来自光源的光被偏光/旋光，结果，被偏光/旋光了的光在到达光敏传感器前被起偏器阻断，因此产生认证性降低这样的问题。
[0009]对于这样的问题，考虑二个对策。第一个是以光学上几乎各向同性的聚碳酸酯等的未拉伸、或微拉伸膜作为保护膜的方法。然而，拉伸倍率低的膜易于开裂，耐冲击性有困难。此外，具有耐冲击性高的聚碳酸酯膜昂贵这样的课题。
[0010]第二个是通过使用取向了的聚酯膜作为保护膜，使取向聚酯膜的主取向轴与起偏器的透射轴平行，从而使保护膜中的偏光实质上消失的方法。然而，对于这样的方法，如果主取向轴的方向与起偏器的透射轴略微偏移几度则偏光性显现，具有认证性降低这样的课题。
[0011]此外对于使用OLED(有机发光二极管，Organic Light Emitting Diode)作为光源的认证器件，由紫外线等引起的OLED的劣化成为用于长期使用的瓶颈，使OLED的耐久性提高成为直接关系到认证器件的耐用年数提高的课题。
[0012]本专利技术要解决上述课题，其课题是提供认证性不依赖于膜的取向角的认证器件。
[0013]用于解决课题的方法
[0014]本专利技术要解决上述课题。即，一种认证器件，其特征在于，是具有光源、起偏器、膜、光敏传感器的认证器件，上述膜配置在起偏器与认证对象物之间，并且满足下述(1)和(2)。
[0015](1)从上述光源出射的光线的透射率在该光线的最强强度的波长下为70％以上且100％以下。
[0016](2)存在满足下述(I)式的整数n。
[0017](I)A
×
n
‑
150≤Re≤A
×
n+150
[0018]其中，A为在从上述光源出射的光线中显示最强强度的波长(nm)，Re为将上述膜使用平行尼科尔旋转法在入射角0
°
时的波长587.8nm下测定的面内相位差(nm)。
[0019]专利技术的效果
[0020]根据本专利技术，可以提供认证性不依赖于膜的取向角的认证器件。此外，可以使用便宜的膜，可以使光源的耐久性和画面的耐冲击性提高。
附图说明
[0021]图1为示意性示出本专利技术的认证器件的构成的一例的图。
[0022]图2为显示在本专利技术的认证器件中用于认证的光的移动的一例的图。
具体实施方式
[0023]以下，对本专利技术的实施方式进行详细描述，但本专利技术不应被解释为限定于包含以下实施例的实施方式，在可以达到专利技术的目的并且不超出专利技术的主旨的范围中当然可以有各种变更。
[0024]本专利技术的认证器件是具有光源、起偏器、膜、光敏传感器的认证器件，所述认证器件在起偏器与认证对象物之间配置有满足下述(1)和(2)的膜。
[0025](1)上述膜的从上述光源出射的光在具有最强强度的波长下的透射率为70％以上且100％以下。
[0026](2)在将从上述光源出射的光线的具有最强强度的波长设为A(nm)，将上述膜的通过平行尼科尔旋转法测定的入射角0
°
时的波长587.8nm的面内相位差设为Re(nm)时，满足下述(I
’
)式。
[0027](I
’
)A
×
n
‑
150≤Re＜A
×
n+150
[0028]其中，n为整数。
[0029]更详细而言，本专利技术的认证器件，其特征在于，是具有光源、起偏器、膜、和光敏传感器的认证器件，上述膜配置在起偏器与认证对象物之间，并且满足下述(1)和(2)。
[0030](1)从上述光源出射的光线的透射率在该光线的最强强度的波长下为70％以上且100％以下。
[0031](2)存在满足下述(I)式的整数n。
[0032](I)A
×
n
‑
150≤Re≤A
×
n+150
[0033]其中，A为在从上述光源出射的光线中显示最强强度的波长(nm)，Re为将上述膜使用平行尼科尔旋转法在入射角0
°
时的波长587.8nm下测定的面内相位差(nm)。
[0034]本专利技术的认证器件如图1所示那样包含光源(1)、起偏器(2)、膜(3)、光敏传感器(4)。优选按照光源、起偏器、膜的顺序配置而成。以下，对这些构成进行记载。
[0035]〈光源〉
[0036]关于构成本专利技术的认证器件的光源的种类，只要在能够用光敏传感器检测的波长
区域显示发光，任何光源都可以使用。例如，热阴极管、冷阴极管、无机EL等荧光性光源、有机电致发光元件光源(有机EL)、发光二极管(LED)、白炽光源等任何光源都能够利用。有机EL或LED是特别适合的光源。如后述那样，为了提高认证性，将膜的面内相位差调整到从上述光源出射的光的具有最强强度的波长(有时将从光源出射的光的具有最强强度的波长称为光源波长)的大致整数倍变得重要。远离膜的面内相位差的大致因数的波长的光越多则越导致认证性的降低，因此优选使用发光波段范围窄、并且能够调整发光波长的光源。从光源出射的光线的具有最强强度的峰的半宽度优选为5nm以上且150nm以下。进一步优选为5nm以上且70nm以下。特别优选为5nm以上且50nm以下。波段范围越窄、并且越接近于膜的面内相位差的整数倍，则越可以抑制对认证性带来影响的、膜的取向角依赖性。这里所谓取向角，是指起偏器的透射轴与膜的主取向轴所成的角。另外，在本专利技术中膜的主取向轴表示通过后述测定方法求出的慢轴的方向。此外，在弯曲了的显示器等的表面设置该认证器件的情况下可以优选使用柔软的有机EL。
[0037]在以有机EL作为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种认证器件，其特征在于，是具有光源、起偏器、膜、和光敏传感器的认证器件，所述膜配置在起偏器与认证对象物之间，并且满足下述(1)和(2)，(1)从所述光源出射的光线的透射率在该光线的最强强度的波长下为70％以上且100％以下，(2)存在满足下述(I)式的整数n，(I)A
×
n
‑
150≤Re≤A
×
n+150其中，A为在从所述光源出射的光线中显示最强强度的波长，其单位为nm，Re为将所述膜使用平行尼科尔旋转法在入射角0
°
时的波长587.8nm下测定的面内相位差，其单位为nm。2.根据权利要求1所述的认证器件，其满足所述(I)式，并且存在满足下述(II)式的整数m，(II)B
×
m
‑
150≤Re≤B
×
m+150其中，B为在从所述光源出射的光线中显示第2强的强度的波长，其单位为nm，Re为将所述膜使用平行尼科尔旋转法在入射角0
°
时的波长587.8nm下测定的面内相位差，其单位为nm。3.根据权利要求1或2所述的认证器件，所述膜满足下述式(III)、和式(IV)，(III)PT(45)≥0.65(IV)1≥PT(45)/PT(0)≥0.6其中，PT(45)和PT(0)如下所述求出，(1)将起偏器切割为2片，以2片起偏器的面与以50W钨灯作为光源的分光光度计的光轴成为垂直，并且2片起偏器的透射轴彼此成为平行的方式配置，进行光源熄灭状态和光源点亮状态下的背景测定；将在光源熄灭状态下测得的透射光量设为PT(D)，将在光源点亮状态下测得的透射光量设为PT(L)；(2)在2片起偏器之间以膜的面与分光光度计的光轴成为垂直的方式配置所述膜，(3)仅使所述膜在与分光光度计的光轴垂直的面内旋转，同时测定从所述光源出射的光线的具有最强强度的波长下的透射光量；将2片起偏器的透射轴与所述膜的主取向轴所成的角为0
°
时的透射光量设为PT
’
(0)，将2片起偏器的透射轴与所述膜的主取向轴所成的角为45
°
时的透射光量设为PT
’
(45)，(4)由下述式获得PT(0)、PT(45)，PT(0)＝(PT
’
(0)
‑
PT(D))/(PT(L)
‑
PT(D))PT(45)＝(PT
’
(45)
‑
PT(D))/(PT(L)
‑
PT(D))。4.根据权利要求1～3中任一项所述的认证器件，在从所述光源出射的光线中显示最强强度的峰的半宽度为5nm以上且70nm以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的认证器件，存在满足下述(V)式的整数n，(V)A
×
n
‑
120≤Re≤A
×
n+120，并且，415≤A≤495。6.根据权利要求1～4中任一项所述的认证器件，存在满足下述(VI)式的整数n，(VI)A
×
n
‑
100≤Re≤A
×
n+100，并且，495≤A≤570。7.根据权利要求1～4中任一项所述的认证器件，存在满足下述(VII)式的整数n，(VII)A
×
n
‑
120≤Re≤A
×
n+120，并且，570≤A≤800。
8.根据权利要求1～4中任一项所述的认证器件，存在满足下述(VIII)式的整数n，(VIII)A
×
n
‑
150≤Re≤A
×
n...

【专利技术属性】
技术研发人员：远山秀旦，松居久登，合田亘，
申请(专利权)人：东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：