一种噪声高电源抑止比电路制造技术

本发明专利技术涉及电子技术领域，具体地说，涉及一种噪声高电源抑止比电路，包括：由运算放大器和电容C1组成的第一级放大电路；由MOS管M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8和M

【技术实现步骤摘要】
一种噪声高电源抑止比电路


[0001]本专利技术涉及电子
，具体地说，涉及一种噪声高电源抑止比电路。

技术介绍

[0002]随着电子产品的不断发展，电源管理解决方案不断追求高效率、小面积、低成本。而LDO(LowDrop out)线性稳压器由于具有结构简单、成本低廉、低噪声、低功耗及较小的封装尺寸等突出特点，已广泛应用于各种移动电子系统中，如笔记本计算机、蜂窝电话、寻呼机、PDA等。它能够大大地降低输出晶体管的饱和电压，使得输入电压可以非常接近输出电压，从而降低了功率消耗，延长了电池寿命。但是现有技术中抑止比电路中通过用外接电容的串联电阻引入一个零点，来抵消一个极点的办法来达到环路稳定，由于主极点值与负载电阻成正比，所以输出电流的变化会改变环路带宽；其次，输出电容的寄生电阻容易受温度等的影响，使得零点与极点的抵消失效，所以稳定性变差。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种噪声高电源抑止比电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供一种噪声高电源抑止比电路，包括：
[0005]由运算放大器和电容C1组成的第一级放大电路；
[0006]由MOS管M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8和M
PS
及电阻R
C
及电容C、C
C
组成的第二级放大电路；
[0007]以及由MOS管M1、M
P
、电容C
par
、C
O
、C
b
及电阻R
esr
、R
L
组成的第三极放大电路；
[0008]所述第一级放大电路中运算放大器的输出端连接到第二级放大电路中MOS管M6的栅极，所述第二级放大电路中MOS管M
PS
的栅极连接第三极放大电路中MOS管M
P
的栅极，所述第二级放大电路中MOS管M2的栅极连接第三极放大电路中MOS管M1的栅极。
[0009]作为本技术方案的进一步改进，所述第三极放大电路采用MOS管M
P
作为调整管输出级，提供足够低的输入输出压差，输出反馈到运算放大器的同向输入端。
[0010]作为本技术方案的进一步改进，所述MOS管M
P
、M
PS
、M1和M2构成电流采样电路。
[0011]作为本技术方案的进一步改进，所述MOS管M7和M8的栅极相互连接，且所述MOS管M8的漏级经过电阻R
C
后连接到电容C
C
，所述MOS管M7的漏级连接所述MOS管M4的漏级。
[0012]作为本技术方案的进一步改进，所述MOS管M
P
的漏级连接所述MOS管M1的源极，所述MOS管M
PS
的漏级连接所述MOS管M2的源极。
[0013]作为本技术方案的进一步改进，所述MOS管M
PS
与所述MOS管M
P
之间连接电容C
par
并下拉接信号地。
[0014]作为本技术方案的进一步改进，所述MOS管M3、M4、M5的栅极相互连接，且所述MOS管M3、M4、M5的源极接信号地。
[0015]作为本技术方案的进一步改进，MOS管M
P
的漏级输出电压，且分别连接电容C
O
和C
b
，且在电容C
O
与MOS管M
P
之间连接有电阻R
esr
作为寄生电阻MOS管M
P
的漏级输出电压，且分别连
接电容C
O
和C
b
，且在电容C
O
与MOS管M
P
之间连接有电阻R
esr
作为寄生电阻。
[0016]作为本技术方案的进一步改进，MOS管M2的漏级电压等于输出电压。
[0017]作为本技术方案的进一步改进，MOS管M8工作在线性区，作为阻值随负载电流变化的线性电阻。
[0018]与现有技术相比，本专利技术的有益效果：
[0019]本专利技术以输出电流为100mA的高稳定、高电源抑制比线性电路为目标，采用了三级放大器结构来增大环路增益，利用工作在线性区的MOS管具有的压控电阻特性，构造零点跟踪电路以抵消随输出电流变化的极点，并采用了改进型的Miller补偿方案使电路系统具有55
°
的相位裕度。在此基础上实现了较高的PSRR和较好的带宽。
附图说明
[0020]图1为传统抑止比电路的电路图一；
[0021]图2为传统抑止比电路的电路图二；
[0022]图3为本专利技术的噪声高电源抑止比电路的电路图；
[0023]图4为本专利技术的噪声高电源抑止比电路中第一级放大电路的电路图；
[0024]图5为本专利技术的噪声高电源抑止比电路中第二级放大电路的电路图；
[0025]图6为本专利技术的噪声高电源抑止比电路中第三级放大电路的电路图。
具体实施方式
[0026]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0027]实施例1
[0028]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0029]图1和图2为现有技术中的抑止比电路，是通过用外接电容的串联电阻引入一个零点，来抵消一个极点的办法来达到环路稳定的。但是其有以下几个缺点：首先，由于主极点值与负载电阻成正比，所以输出电流的变化会改变环路带宽；其次，输出电容的寄生电阻容易受温度等的影响，使得零点与极点的抵消失效，所以稳定性变差。
[0030]对此，本实施例提供一种噪声高电源抑止比电路，如图3
‑
6所示，本专利技术提供一种噪声高电源抑止比电路，包括：由运算放大器和电容C1组成的第一级放大电路；由MOS管M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8和M
PS
及电阻R
C
及电容C、C
C
组成的第二级放大电路；以及由MOS管M1、M
P
、电容C
par
、C
O
、C
b
及电阻R
esr
、R
L
组成的第三极放大电路；所述第一级放大电路中运算放大器的输出端连接到第二级本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种噪声高电源抑止比电路，其特征在于：包括：由运算放大器和电容C1组成的第一级放大电路；由MOS管M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8和M
PS
及电阻R
C
及电容C、C
C
组成的第二级放大电路；以及由MOS管M1、M
P
、电容C
par
、C
O
、C
b
及电阻R
esr
、R
L
组成的第三极放大电路；所述第一级放大电路中运算放大器的输出端连接到第二级放大电路中MOS管M6的栅极，所述第二级放大电路中MOS管M
Ps
的栅极连接第三极放大电路中MOS管M
P
的栅极，所述第二级放大电路中MOS管M2的栅极连接第三极放大电路中MOS管M1的栅极。2.根据权利要求1所述的噪声高电源抑止比电路，其特征在于：所述第三极放大电路采用MOS管M
P
作为调整管输出级，提供足够低的输入输出压差，输出反馈到运算放大器的同向输入端。3.根据权利要求1所述的噪声高电源抑止比电路，其特征在于：所述MOS管M
P
、M
Ps
、M1和M2构成电流采样电路。4.根据权利要求1所述的噪声高电源抑止比电路，其特征在于：所述MOS管M7和M8的栅极相互连接，且所述MOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：林浩，张廉，冉成新，王宝峰，张力，夏银水，王志红，林丰成，
申请(专利权)人：宁波市芯能微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：