偏置电流产生电路及闪存制造技术

本发明专利技术涉及一种偏置电流产生电路及闪存。所述电路包括用于提供产生偏置电流所需电压的电压源；根据控制信号控制开关电路导通和关断的开关电路；用于在开关电路导通时产生偏置电流的电流产生电路，电流产生电路包括第一MOS管和第二MOS管，二极管接法的第一MOS管的输入端与开关电路的输出端连接，第一MOS管的输出端与二极管接法的第二MOS管的输入端连接，第二MOS管的输出端接地。在开关电路导通时，电压源通过开关电路向电流产生电路中的第一MOS管和第二MOS管提供产生偏置电流的电压，进而产生偏置电流，该偏置电流产生电路不需要启动电路就可进入正常电流工作状态，从而产生需要的偏置电流，建立偏置电流的时间较短。建立偏置电流的时间较短。建立偏置电流的时间较短。

【技术实现步骤摘要】
偏置电流产生电路及闪存


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种偏置电流产生电路及一种闪存。

技术介绍

[0002]如图1所示，典型的偏置电流产生电路有两个稳态工作点：电流为0安培状态和正常工作电流状态，偏置电流产生电路若要脱离电流为0安培的状态，需要一个启动电路进行电路的启动，而启动电路通常需要一定的时间才能使偏置电流产生电路进入正常工作电流状态，偏置电流的建立时间较长。闪存集成设计(Flash IP)对偏置电流的建立时间要求比较高，偏置电流需要很短的建立时间，这种典型的偏置电流产生电路不能满足Flash IP对偏置电流的要求。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对上述问题，提供一种偏置电流产生电路及一种闪存。
[0004]一种偏置电流产生电路,包括：
[0005]电压源，所述电压源用于提供产生偏置电流所需的电压；
[0006]开关电路，所述开关电路的输入端与所述电压源连接，所述开关电路的控制端接收控制信号，并根据所述控制信号控制开关电路的导通和关断；
[0007]电流产生电路，所述电流产生电路用于在开关电路导通时产生偏置电流，所述电流产生电路包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的输入端和所述第一MOS管的控制端均与所述开关电路的输出端连接，所述第一MOS管的输出端分别与所述第二MOS管的输入端和所述第二MOS管的控制端连接，所述第二MOS管的输出端接地。
[0008]在其中一个实施例中，所述电流产生电路还包括分压电阻，所述分压电阻的一端与所述开关电路的输出端连接，所述分压电阻的另一端分别与第一MOS管的输入端和第一MOS管的控制端连接。
[0009]在其中一个实施例中，所述分压电阻为可变电阻或固定电阻。
[0010]在其中一个实施例中，所述控制信号为高电平时，所述开关电路关断，所述控制信号为低电平时，所述开关电路导通。
[0011]在其中一个实施例中，所述开关电路为第三MOS管，在所述开关电路导通时，所述第三MOS管工作在线性区。
[0012]在其中一个实施例中，所述第三MOS管为第二导电类型MOS管。
[0013]在其中一个实施例中，所述第一MOS管和/或所述第二MOS管为第一导电类型MOS管，所述第一MOS管为本征MOS管，所述第二MOS管为非本征MOS管。
[0014]在其中一个实施例中，所述分压电阻的阻值大于等于200千欧姆且小于等于500千欧姆。
[0015]在其中一个实施例中，所述电压源的数量为1，所述电压源的电压大于等于1.3伏特且小于等于1.5伏特。
[0016]一种闪存，包括上述任一项所述的偏置电流产生电路。
[0017]本专利技术偏置电流产生电路及闪存中，用于产生偏置电流的电流产生电路，在开关电路导通时，电压源通过开关电路向电流产生电路中的第一MOS管和第二MOS管提供产生偏置电流的电压，进而产生偏置电流，该偏置电流产生电路不需要启动电路就可进入正常电流工作状态，从而产生需要的偏置电流，与使用启动电路产生偏置电流的电路相比，本申请建立偏置电流的时间较短，满足了flash IP对偏置电流建立时间的要求。
附图说明
[0018]图1为典型的偏置电流产生电路的电路图；
[0019]图2为一实施例中偏置电流产生电路的电路框图；
[0020]图3为一实施例中偏置电流产生电路的电路图。
具体实施方式
[0021]为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的首选实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容更加透彻全面。
[0022]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0023]应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
[0024]空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
[0025]在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、
元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
[0026]这里参考作为本专利技术的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述专利技术的实施例。这样，可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本专利技术的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本专利技术的范围。
[0027]本文所使用的半导体领域词汇为本领域技术人员常用的技术词汇，例如对于P型和N型杂质，为区分掺杂浓度，简易的将P+型代表重掺杂浓度的P型，P型代表中掺杂浓度的P型，P-型代表轻掺杂浓度的P型，N本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种偏置电流产生电路,其特征在于，所述偏置电流产生电路包括：电压源，所述电压源用于提供产生偏置电流所需的电压；开关电路，所述开关电路的输入端与所述电压源连接，所述开关电路的控制端接收控制信号，并根据所述控制信号控制开关电路的导通和关断；电流产生电路，所述电流产生电路用于在开关电路导通时产生偏置电流，所述电流产生电路包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的输入端和所述第一MOS管的控制端均与所述开关电路的输出端连接，所述第一MOS管的输出端分别与所述第二MOS管的输入端和所述第二MOS管的控制端连接，所述第二MOS管的输出端接地。2.根据权利要求1所述的偏置电流产生电路，其特征在于，所述电流产生电路还包括分压电阻，所述分压电阻的一端与所述开关电路的输出端连接，所述分压电阻的另一端分别与第一MOS管的输入端和所述第一MOS管的控制端连接。3.根据权利要求2所述的偏置电流产生电路，其特征在于，所述分压电阻为可变电阻或固定电阻。4.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李有慧，朱丽娟，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：