光掩模的制造方法技术

本发明专利技术提供一种能够以抑制曝光时的重合误差的产生的方式形成具有不同光学特性的图案的光掩模的制造方法。在该光掩模的制造方法中，准备在透射性基片上具有半透射膜、中间膜、上层膜的光掩模坯件，对形成在上层膜上的光致抗蚀剂膜进行曝光，形成曝光量不同的第一区域、第二区域和第三区域。之后，选择性地去除第一区域，蚀刻上层膜。之后，选择性地去除第二区域，蚀刻半透射膜，且蚀刻上层膜和中间膜。之后，去除第三区域。去除第三区域。去除第三区域。

【技术实现步骤摘要】
光掩模的制造方法


[0001]本专利技术涉及光掩模的制造方法。

技术介绍

[0002]在制造平板显示器等电子器件的工序中，使用有光掩模。历来，作为光掩模，使用具有透射部和遮光部的二元掩模。但是，近年来，为了形成细微的图案，有时使用例如具有遮光膜和相移膜的相移掩模，或者可减少电子器件的制造工序数的多灰度光掩模。这样的光掩模在透明基片上具有多个光学特性不同的图案，为了形成这些图案，需要多次的图案绘制(曝光)工序。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2017
‑
76146号公报
[0006]专利文献2：日本特开2013
‑
134435号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的问题
[0008]在形成具有不同的光学特性的半透射区域和遮光区域的情况下，需要对各个图案的形成进行光致抗蚀剂的曝光(绘制)处理，制造工时数增大。进一步，在每次绘制各个图案时，要将光掩模基片放置在曝光(绘制)装置上来进行曝光处理，因此存在产生重合误差(对准偏差)的情况。因此，需要进行考虑了重叠余量的图案配置，从而有可能变得不能得到精细的图案。
[0009]在专利文献1中公开有避免重合误差的产生的方法。在专利文献1中，公开有在掩模对通过预备显影形成的第1抗蚀剂图案进行第一蚀刻，之后通过实施追加显影而在使第1抗蚀剂图案的边缘部后退之后进行第二蚀刻，在遮光部的两侧对称地形成相移膜的方法。但是，在第二蚀刻中，虽然能够防止在曝光装置的重合误差的产生，但是由于利用曝光时的不必要的光量从而变得不稳定，图案尺寸自然受到限定。此外，能够形成的图案也受到限定。
[0010]专利文献2公开有形成由不同的材料形成的图案的方法。在专利文献2中，公开有在由不同的材料形成的下层膜与上层膜的叠层上形成抗蚀剂图案，以上述抗蚀剂图案为掩模对上层膜和下层膜分别有选择地进行湿蚀刻后，以上述抗蚀剂图案为掩模对上层膜进行侧蚀的方法。专利文献2使用通过1次的绘制工序形成的抗蚀剂图案，虽然能够防止重合误差的产生，但是由于利用曝光时的不必要的光量而变得不稳定，图案尺寸自然受到限定。
[0011]鉴于上述问题，本专利技术的目的在于，提供能够以抑制曝光时的重合误差的产生的方式形成具有不同的光学特性的图案的光掩模的制造方法。
[0012]用于解决问题的技术手段
[0013]A.第一方式
[0014]本专利技术的光掩模的制造方法的特征在于，包括：
[0015]准备光掩模坯件的工序，其中，所述光掩模坯件在透射性基片上具有半透射膜，在所述半透射膜上具有中间膜，在所述中间膜上具有上层膜；
[0016]在所述上层膜上形成抗蚀剂膜的工序；
[0017]对所述抗蚀剂膜进行曝光，形成曝光量不同的第一区域、第二区域和第三区域的曝光工序；
[0018]选择性地去除所述第一区域的第一抗蚀剂去除工序；
[0019]蚀刻所述上层膜的第一蚀刻工序；
[0020]选择性地去除所述第二区域的第二抗蚀剂去除工序；
[0021]蚀刻所述半透射膜、所述上层膜和所述中间膜的第二蚀刻工序；和
[0022]去除所述第三区域的工序。
[0023]此外，本专利技术的光掩模的制造方法的特征在于，
[0024]所述半透射膜和所述上层膜由相同材料形成。
[0025]此外，本专利技术的光掩模的制造方法的特征在于，
[0026]在所述曝光工序中，所述第一区域的曝光量比所述第二区域的曝光量多，所述第三区域的曝光量为0。
[0027]通过采用这样的光掩模的制造方法，能够以抑制曝光时的重合误差的产生的方式形成由半透射膜构成的图案以及由半透射膜、中间膜和上层膜构成的图案，能够有助于光掩模的制造工期的缩短。
[0028]此外，能够不考虑重叠余量地进行图案设计，能够进行精细的图案化，此外还能够降低设计者的工作负担。
[0029]此外，还能够有助于制造工序中的成本削减。
[0030]此外，本专利技术的光掩模的制造方法的特征在于，
[0031]所述半透射膜为半色调膜。
[0032]通过采用这样的光掩模的制造方法，能够制造作为多灰度掩模的半色调掩模。
[0033]本专利技术的光掩模的制造方法的特征在于，
[0034]所述半透射膜为相移膜。
[0035]通过采用这样的光掩模的制造方法，能够制造相移掩模。
[0036]B.第二方式
[0037]本专利技术的光掩模的制造方法的特征在于，包括：
[0038]准备光掩模坯件的工序，其中，所述光掩模坯件在透射性基片上具有下层膜，在所述下层膜上具有上层膜；
[0039]在所述上层膜上形成抗蚀剂膜的工序；
[0040]对所述抗蚀剂膜进行曝光，形成曝光量不同的第一区域、第二区域和第三区域的曝光工序；
[0041]选择性地去除所述第一区域的第一抗蚀剂去除工序；
[0042]蚀刻所述上层膜和所述下层膜的第一蚀刻工序；
[0043]选择性地去除所述第二区域的第二抗蚀剂去除工序；
[0044]蚀刻所述上层膜的第二蚀刻工序；和
[0045]去除所述第三区域的工序。
[0046]此外，本专利技术的光掩模的制造方法的特征在于，
[0047]所述下层膜和所述上层膜由不同的材料形成。
[0048]此外，本专利技术的光掩模的制造方法的特征在于，
[0049]在所述曝光工序，所述第一区域的曝光量比所述第二区域的曝光量多，所述第三区域的曝光量为0。
[0050]通过采用这样的光掩模的制造方法，能够以抑制曝光时的重合误差的产生的方式形成由下层膜构成的图案以及由下层膜和上层膜构成的图案。能够不考虑重叠余量进行图案设计，能够进行精细的图案化，此外还能够降低设计者的工作负担。
[0051]此外，还能够有助于制造工序的成本削减。
[0052]此外，本专利技术的光掩模的制造方法的特征在于，
[0053]所述下层膜为半色调膜。
[0054]通过采用这样的光掩模的制造方法，能够制造作为多灰度掩模的半色调掩模。
[0055]此外，本专利技术的光掩模的制造方法的特征在于，
[0056]所述下层膜为相移膜。
[0057]通过采用这样的光掩模的制造方法，能够制造相移掩模。
[0058]专利技术的效果
[0059]根据上述第一和第二方式，在任何的情况下，均能够提供能够以抑制曝光时的重合误差的产生的方式形成具有不同的光学特性的图案的光掩模的制造方法。
附图说明
[0060]图1是表示光掩模的主要制造工序的截面图。
[0061]图2是表示光掩模的主要制造工序的截面图。
[0062]图3是表示光致抗蚀剂膜的截面的SEM照片。
[0063]图4是表示光掩模的主要制造工序的截面图。
[0064]图5是表示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光掩模的制造方法，其特征在于，包括：准备光掩模坯件的工序，其中，所述光掩模坯件在透射性基片上具有半透射膜，在所述半透射膜上具有中间膜，在所述中间膜上具有上层膜；在所述上层膜上形成抗蚀剂膜的工序；对所述抗蚀剂膜进行曝光，形成曝光量不同的第一区域、第二区域和第三区域的曝光工序；选择性地去除所述第一区域的第一抗蚀剂去除工序；蚀刻所述上层膜的第一蚀刻工序；选择性地去除所述第二区域的第二抗蚀剂去除工序；蚀刻所述半透射膜、所述上层膜和所述中间膜的第二蚀刻工序；和去除所述第三区域的工序。2.如权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于：所述半透射膜和所述上层膜由相同材料形成。3.如权利要求1或2所述的光掩模的制造方法，其特征在于：在所述曝光工序中，所述第一区域的曝光量比所述第二区域的曝光量多，所述第三区域的曝光量为0。4.如权利要求1～3中任一项所述的光掩模的制造方法，其特征在于：所述半透射膜为半色调膜。5.如权利要求1～3中任一项所述的光掩模的制造方法，其特征在于：所述半透射膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：尾岛省二郎，山田慎吾，森山久美子，
申请(专利权)人：株式会社SK电子，
类型：发明
国别省市：