新型未掺杂与锑掺杂非铅铟氯卤素钙钛矿材料制造技术

本发明专利技术公开了新型未掺杂和锑掺杂非铅铟基钙钛矿材料，其步骤包括将含铯化合物或含铷化合物、三氯化铟、含锑化合物加入到20ml反应釜中，再加入盐酸(或甲醇)，在120-180℃(或100-150℃)反应18

【技术实现步骤摘要】
新型未掺杂与锑掺杂非铅铟氯卤素钙钛矿材料


[0001]本专利技术属于发光二极管
，具体涉及一种新型发光二极管发光材料合成和应用。

技术介绍

[0002]零维铅基钙钛矿材料具有良好的光电性质，已被用于制备发光二极管、太阳能电池和光电探测器等设备。但是，铅的毒性和材料本身的不稳定性，严重制约了其大规模应用。因此，高效零维非铅钙钛矿发光材料受到全世界科研工作者的广泛关注。
[0003]因此，为了环境友好和可持续发展，采用无毒或低毒的非铅元素代替铅，是钙钛矿材料发展的必然趋势。在非铅钙钛矿中，零维非铅卤素钙钛矿由于其孤立金属卤素八面体结构而展现出独特的光电性质。目前，未掺杂与锑掺杂零维非铅全无机铟氯卤素钙钛矿材料还没有被报道。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供新型未掺杂与锑掺杂零维非铅全无机铟氯卤素钙钛矿材料及其制备方法，该材料制备简单，环保无毒，光电性能优异，有望用于发光二极管等光电器件。
[0005]新型未掺杂与锑掺杂零维非铅全无机铟氯卤素钙钛矿材料，零维是指所述材料的晶体结构由孤立的八面体为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.未掺杂或锑掺杂零维非铅全无机铟氯卤素钙钛矿材料，其特征在于，为以下材料中的一种或二种以上混合；所述未掺杂零维非铅全无机铟氯卤素钙钛矿材料化学式为A2InCl5(H2O)(A＝Rb,Cs中的一种或二种)或A3InCl6(A＝Rb,Cs中的一种或二种)，所述锑掺杂零维非铅全无机铟氯卤素钙钛矿材料化学式为A2InCl5(H2O):Sb(A＝Rb,Cs中的一种或二种)或A3InCl6:Sb(A＝Rb,Cs中的一种或二种)。2.一种权利要求1所述材料的合成方法，其特征在于，按照以下步骤进行：(一)按所需计量比，于反应釜中加入含铷化合物和/或含铯化合物，加入三氯化铟，加入或不加入含锑化合物；再加入浓盐酸，在120-180℃(优选160
±
10℃)反应18
±
6h(优选18
±
2h)；或，再加入甲醇，在100-150℃(优选130
±
10℃)反应18
±
6h(优选18
±
2h)；(二)反应结束后，按速率4-10℃/h(优选8℃/h)冷却至室温，抽滤，将得到的晶体放入真空干燥箱中80
±
10℃(优选80℃)保持12-18h。3.根据权利要求2所述的合成方法，其特征在于：以浓盐酸为溶剂时，制备过程中所用的含铷化合物为氯化铷、醋酸铷、碳酸铷或氧化铷中的一种或二种以上；制备过程中所用的含铯化合物为氯化铯、醋酸铯、碳酸铯或氧化铯中的一种或二种以上；制备过程中所用的含锑化合物为氯化锑、氧化锑、碳酸锑或醋酸锑中的一种或二种以上；或，以甲醇为溶剂时，制备过程中所用的含铷化合物为氯化铷；所用的含铯化合物为氯化铯；制备过程中所用的含锑化合物为氯化锑。4.根据权利要求2或3所述的合成方法，其特征在于：制备过程中所用的含锑化合物在含锑化合物与三氯化铟的总物质的量中占比(Sb/(Sb+In))为0-0.15(优选0.05)。5.根据权利要求2或3所述的合成方法，其特征在于：制备过程中：每合成1mmol A2InCl5(H2O)或A2InCl5(H2O):Sb需要2.5-10...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩克利，韩沛耿，罗程，
申请(专利权)人：中国科学院大连化学物理研究所，
类型：发明
国别省市：