晶圆的工艺故障预测方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸

技术编号:30526276 阅读:23 留言:0更新日期:2021-10-27 23:11
本发明专利技术实施例公开了一种晶圆的工艺故障预测方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括根据工艺控制监控单元反馈的检测参数确定检测参数矩阵;将检测参数矩阵输入工艺故障预测模型;获取工艺故障预测模型输出的预测结果矩阵;晶圆包括器件放置区,器件放置区的中心、器件放置区的内切N边形的顶点、以及顶点与中心的连线的中点为基准点,晶圆还包括多个光罩区,基准点所在的光罩区设置有工艺控制监控单元;预测结果矩阵包括多个第一元素,晶圆的制备过程包括多道工艺步骤,不同第一元素用于表征不同工艺步骤中出现故障的概率。本发明专利技术实施例提供的技术方案可减少晶圆检测的时间、以及实现对晶圆制备过程中各工艺步骤进行工艺故障预测。障预测。障预测。

【技术实现步骤摘要】
晶圆的工艺故障预测方法、装置、电子设备及存储介质


[0001]本专利技术实施例涉及半导体
,尤其涉及一种晶圆的工艺故障预测方法、装置、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]硅光集成技术是一种将光波导、调制器、探测器、波分复用等器件集成在一块硅衬底上,实现电信号处理和光信号处理的深度融合,在芯片结构和光电混合封装方面具有巨大创新的光子集成技术。硅光集成技术采用间接调制的方式,解决了传统方案多通道带来的功耗、温漂等性能瓶颈。并且,由于硅光集成技术将很多光器件进行了集成,相较传统的光学方案其需要组装的光器件大大减少,减少了生产线环节,降低了封装和供应链管理成本。相比诸如磷化铟等其它光子集成技术,硅光集成技术的最独特的优势在于它的加工技术与工业中使用的互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)制造工艺相兼容,使得硅光器件具有大规模生产和扩产的硬件基础。
[0003]硅光晶圆制造有近百道工序,每道工序的工艺参数对晶圆的加工质量都有着直接或者间接的影响;另一方面,由于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的工艺故障预测方法,其特征在于,包括:根据工艺控制监控单元反馈的检测参数确定检测参数矩阵;将所述检测参数矩阵输入工艺故障预测模型;获取所述工艺故障预测模型输出的预测结果矩阵;其中,晶圆包括器件放置区,所述器件放置区的中心、所述器件放置区的内切N边形的顶点、以及所述顶点与所述中心的连线的中点为基准点,所述晶圆还包括多个光罩区,所述基准点所在的所述光罩区设置有所述工艺控制监控单元,N为大于3的整数;其中,所述预测结果矩阵包括多个第一元素,所述晶圆的制备过程包括多道工艺步骤,不同所述第一元素用于表征不同工艺步骤中出现故障的概率。2.根据权利要求1所述的晶圆的工艺故障预测方法,其特征在于,所述预测结果矩阵还包括第二元素,所述第二元素用于表征所述晶圆的制造质量;和/或;所述预测结果矩阵还包括第三元素,所述第三元素用于表征所述晶圆的制备过程中是否出现故障。3.根据权利要求1所述的晶圆的工艺故障预测方法,其特征在于,所述将所述检测参数矩阵输入工艺故障预测模型之前还包括:获取多个样本晶圆对应的所述检测参数矩阵以及检测结果矩阵,作为训练样本;将所述检测参数矩阵输入待训练的所述工艺故障预测模型;获取待训练的所述工艺故障预测模型输出的所述预测结果矩阵;判断所述预测结果矩阵和所述检测结果矩阵的匹配程度是否达到预设程度;若是,则所述工艺故障预测模型训练完成;其中,所述检测结果矩阵包括多个第四元素,不同所述第四元素用于表征不同工艺步骤中出现故障的情况。4.根据权利要求3所述的晶圆的工艺故障预测方法,其特征在于,所述获取多个样本晶圆对应的所述检测参数矩阵以及检测结果矩阵,作为训练样本包括:获取各所述样本晶圆上的所述工艺控制监控单元反馈的所述检测参数;根据所述检测参数确定各所述样本晶圆的中间检测参数矩阵;将多个所述中间检测参数矩阵进行归一化处理,得到多个所述检测参数矩阵;根据各所述样本晶圆的检测结果确定各所述样本晶圆的检测结果矩阵;将多个所述检测参数矩阵和多个所述检测结果矩阵作为训练样本。5.根据权利要求3所述的晶圆的工艺故障预测方法,其特征在于,所述预测结果矩阵还包括第三元素,所述第三元素用于表征所述晶圆的制备过程中是否出现故障;所述获取所述待训练的工艺故障预测模型输出的预测结果矩阵之后还包括:若所述第三元素小于等于0.5,则令所述第三元素的值等于0;若所述第三元素大于0.5...

【专利技术属性】
技术研发人员:林天营孙旭陈晓刚
申请(专利权)人:苏州海光芯创光电科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1