用于清洗切割后的晶棒的超声清洗设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于清洗切割后的晶棒的超声清洗设备，包括依次相邻的第一超声清洗槽、第二超声清洗槽及纯水清洗槽；第一超声清洗槽包括第一槽体、第一超声波振动板及第一超声波发生器；第二超声清洗槽包括第二槽体、第二超声波振动板及第二超声波发生器，第一槽体和第二槽体上均设置有支撑架且第一槽体和第二槽体上均设置有进水口和排水口；纯水清洗槽包括第三槽体，第三槽体上设置有进水口；清洗作业过程中，晶棒在不同槽体内均被纯水完全浸没，并依次经第一超声清洗槽和第二超声清洗槽的超声清洗及纯水清洗槽的溢流清洗。采用本实用新型专利技术的超声清洗设备，可以无需使用界面活性剂等化学品，可以有效降低清洗成本和减少对环境的污染。环境的污染。环境的污染。

【技术实现步骤摘要】
用于清洗切割后的晶棒的超声清洗设备


[0001]本技术涉及一种晶圆制备
，特别是涉及一种用于清洗切割后的晶棒(sliced ingot)的超声清洗设备。

技术介绍

[0002]晶圆是用于形成半导体器件的一种重要原材料，器件形成于晶圆表面。随着器件集成度日益提高，器件特征尺寸日益缩小，故而晶圆表面的污染物对良率和/或器件性能及可靠性的影响越来越大。同时，随着器件集成度的日益提高，诸如器件中的沟槽等结构的加工形貌日益复杂，使得污染物的去除越来越难。晶圆加工及器件制备过程中引入的表面污染物大体可分为颗粒污染、无机物污染、有机物污染和微生物污染，而表面污染物的形貌大体可分为颗粒附着或吸附，以及因反应在晶圆表面生成的薄膜。
[0003]因此，晶圆制造过程中，包括晶棒切割和表面加工，以及清洗工艺中，若能完全有效地去除此类污染物，则有助于实现器件的高集成度。晶圆加工工艺中，从污染物的角度来看，晶棒生长后将晶棒切割成晶圆的线切割过程中产生的污染物若不能完全去除，则会产生大且深的缺陷，并在后续的粗磨、精磨、抛光及清洗工艺中可能也难以完全去除，由此很本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于清洗切割后的晶棒的超声清洗设备，其特征在于，包括依次相邻的第一超声清洗槽、第二超声清洗槽及纯水清洗槽；第一超声清洗槽包括第一槽体、第一超声波振动板及用于驱动第一超声波振动板的第一超声波发生器，第一超声波振动板位于第一槽体内；所述第二超声清洗槽包括第二槽体、第二超声波振动板及用于驱动第二超声波振动板的第二超声波发生器，第二超声波振动板位于第二槽体内，第一槽体和第二槽体上均设置有支撑架且所述第一槽体和第二槽体上均设置有进水口和排水口；所述纯水清洗槽包括第三槽体，第三槽体上设置有进水口；清洗作业过程中，切割后的晶棒在不同槽体内均被纯水完全浸没，并依次经所述第一超声清洗槽和第二超声清洗槽的超声清洗及纯水清洗槽的溢流清洗。2.根据权利要求1所述的超声清洗设备，其特征在于，所述第一超声清洗槽和第二超声清洗槽上均设置有加热器，以对槽体内的纯水进行加热。3.根据权利要求2所述的超声清洗设备，其特征在于，所述第一超声清洗槽和第二超声清洗槽上均设置有温控装置，所述温控装置与加热器相连接。4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴镐硕，朴灵绪，
申请(专利权)人：苏州恩腾半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：