光存储介质和用于写入、删除和读取数据的光设备制造技术

本发明专利技术涉及一种光存储介质和用于对光存储介质数据进行写入、删除和读取的设备。所述光存储介质由掺光致变色物质和不掺光致变色物质层的交替的聚合物层的多层结构组成。无掺杂层用作波导，而数据的写入和删除通过由于掺杂层中辐射相配波长效应而导致的局部区域折射系数的可控变化来实现。数据的读取通过将读取波长的辐射引入不带有光致变色介质的光存储介质的波导层，并通过检测带有光致变色材料的光存储介质层中发生折射系数变化处的发光变化来实现。用于写入、删除和读取光存储介质数据的设备包括：三波长的辐射源，用于辐射传输的光系统，独立辐射调制的光学三通道系统，通过朝向光存储介质层的垂直和竖直运动进行写入和删除的用于辐射聚焦的光系统，用于不带有光致变色物质的光存储介质层侧向发光的光系统，从而能够实现在垂直于不带有光致变色材料的光存储介质层的平面上的运动。根据本发明专利技术的这些设备可以用于要求存储可能要执行校正的大量数据的计算技术的所有领域。这些设备还可以用于记录，存储和重放视频和音频文件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光存储介质和用于对光存储介质数据进行写 入、删除和读取的光设备。这些媒体和设备可以用在要求存储可 能要执行校正的大量数据的计算技术的所有领域中。另 一可能的 使用是记录、存储和重放视频和音频文件。
技术介绍
2004年4月27日的美国第6728154号专利披露了 一种光存储 介质及其制造过程。该三维介质由基体，通常是玻璃或水晶的一 种，以及稀土金属离子组成。记录是通过曝光于108-1017W/cm2的 激光10—1()秒而实现的。由于该曝光，稀土离子转到发焚光状态。 信息通过曝光于相应波长的激光而产生的离子荧光激励来读取。 该解决方案的缺陷包括要求持续很短时间的高能激光辐射，这会 导致信息记录速度的降低，并且还要求没有任何锚定可能性的记 录介质体积内的激光束位置的精确设定。此外，1993年12月7日的美国第5268862号专利揭露了 一种 三维的光存储器。它基于光致变色材料，通常是限于三维聚合物 基体中的螺苯并吡喃(spyrobenzopyran)。该材料具有两种稳定的状 态——螺吡喃(spyropyran)和部花青，而这两者之间的转换是通过 波长为532nm的双本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层光存储介质，其特征在于所述多层光存储介质由交替层的透光材料组成，其中一层掺有光致变色物质，没有光致变色物质的另一层具有ｎ↓［１］的折射系数，而掺杂了透光的光致变色的物质可以以两种形式存在，即在形式Ⅰ具有ｎ↓［２］的折射系数，和在形式Ⅱ具有ｎ↓［３］的折射系数，同时所述系数满足ｎ↓［１］＞ｎ↓［２］并且ｎ↓［１］＜＝ｎ↓［３］的关系，并且通过λ↓［１］波长的光辐效应用使光致变色物质从形式Ⅰ转换到形式Ⅱ，通过λ↓［２］波长的光辐射效应使光致变色物质从形式Ⅱ转换到形式Ⅰ。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】CZ 2005-6-24 PV2005-4131.一种多层光存储介质，其特征在于所述多层光存储介质由交替层的透光材料组成，其中一层掺有光致变色物质，没有光致变色物质的另一层具有n1的折射系数，而掺杂了透光的光致变色的物质可以以两种形式存在，即在形式I具有n2的折射系数，和在形式II具有n3的折射系数，同时所述系数满足n1>n2并且n1<=n3的关系，并且通过λ1波长的光辐效应用使光致变色物质从形式I转换到形式II，通过λ2波长的光辐射效应使光致变色物质从形式II转换到形式I。2. —种用于多层光存储介质数据写入、删除和读取的设备，其 特征在于所述设备包括三个不同的单独波长、，^和、的光辐射 源(l),用于对多层光存储介质(7)数据的记录、删除和读取，所述 光辐射源穿过用于不同波长的独立辐射调制的三通道调制系统 (3),同时用于写入的、波长的光辐射和用于删除光存储介质(7) 数据的、波长的光辐射借助于光聚焦系统(6)进入与光存储介质(7) 层平行和垂直的光存储介质(7)中，光聚焦系统(6)确保用于光存储 介质数据写入的、波长的光辐射和用于光存储介质(7)数据删除的...

【专利技术属性】
技术研发人员：瓦季姆吉约吉耶维奇基伊科，弗拉基米尔尼古拉耶维奇布里亚克，阿列克谢B叶戈罗夫，
申请(专利权)人：INTV贸易有限公司，
类型：发明
国别省市：CZ[捷克]