【技术实现步骤摘要】
一种用于氮化镓材料制备的喷嘴装置
[0001]本技术涉及氮化镓制备相关组件结构
，具体为一种用于氮化镓材料制备的喷嘴装置。
技术介绍
[0002]氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料，也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。
[0003]氮化镓的制备需要经过多道工序的反应，其中需要将NH3和GaCl3进行高温混合反应，两者混合需要H2和N2作为媒介气体进行混合反应，以提高氮化镓生产的反应效率，但现有的氮化镓生产用喷头机构一般是将多种气体分别进行导入混合，但NH3和GaCl3在高温环境下为气态的物理特性，使得两者不能有效混合反应，降低了原料反应效率，因此专利技术人设计了一种用于氮化镓材料制备的喷嘴装置，解决上述技术问题，优化设备的喷嘴装置，提高原材料反应效率。
技术实现思路
[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本技术提供了一种用于氮化镓材料制备的喷嘴装置，解决了氮化镓生产原料在进行高温反应时不能有...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于氮化镓材料制备的喷嘴装置，包括定位阶梯外框，其特征在于：定位阶梯外框的底部为开口状，所述定位阶梯外框的内侧设置有法兰衔接管，法兰衔接管的顶部端口法兰连接有石英制外容器，石英制外容器的内侧设置有石英制内容器和石英制导气管，石英制内容器的底部一端环形侧面设置有嵌入卡块，石英制导气管的末端以石英制内容器底部端口为中心环形设置有石英制喷头；所述石英制内容器的正下方设置有内喷管，内喷管的顶部端口环形侧面开设有与嵌入卡块相适配的嵌入卡槽，石英制内容器上的嵌入卡块旋转卡入嵌入卡槽的内侧，法兰衔接管的内侧固定安装有中喷管，内喷管穿插在中喷管的内侧，所述内喷管和中喷管均为两级阶梯管，内喷管的阶梯衔接处与中喷管的内侧壁之间密封设置有内衔板，内衔板上均匀开设有内导流孔，中喷管的阶梯衔接处与法兰衔接管内侧壁之间密封设置有外衔板，外衔板上均匀开设有外导流孔；所述石英制内容器的环形侧面安装有对中喷管端口相适配的防止扩散板，石英制导气管贯穿防止扩散板与石英制喷头相连接。2.根据权利要求1所述的一种用于...
【专利技术属性】
技术研发人员：山本晓，张海涛，刘良宏，许彬，庞博，
申请(专利权)人：无锡吴越半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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