预固定基板、复合基板以及电子元件的剥离方法技术

在将电子元件预固定于预固定基板，从预固定基板侧照射激光而使预固定基板剥离时，改善剥离的成品率。预固定基板2具备：供电子元件粘接并预固定的固定面2a、以及处于固定面2a的相反侧的底面2b。预固定基板2具有外周部9和内周部10。内周部9的全光线透过率低于外周部10的全光线透过率，且为60.0％以上。且为60.0％以上。且为60.0％以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】预固定基板、复合基板以及电子元件的剥离方法


[0001]本专利技术涉及一种预固定基板，该预固定基板具备：供电子元件粘接并预固定的固定面、以及处于所述固定面的相反侧的底面。

技术介绍

[0002]近年来，对电子元件的小型化、超薄化的需求加强，关于其制造用的硅晶片，以非常薄的状态使用的情形也增多。此时，变薄的硅晶片的刚性不足，无法耐受输送、磨削或研磨这样的工艺，因此，已知有采用由玻璃或陶瓷形成的预固定基板的方法(专利文献1、2、3)。
[0003]上述现有技术中，利用热固性树脂将硅晶片与支撑基板粘接并冷却后，通过磨削或研磨而使硅晶片变薄。进而，进行在硅晶片表面形成多层配线等，然后，自预固定基板剥下硅晶片，切成期望的尺寸。剥离时，从预固定基板侧向预先设置于粘接层的剥离层照射激光来进行剥离。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2011－023438
[0007]专利文献2：日本特开2010－058989
[0008]专利文献3：日本特许5304112

技术实现思路

[0009]然而，在从预固定基板侧照射激光而自硅晶片将预固定基板剥离时，有时因剥离程度而在预固定基板的面内产生不均。这种情况下，预固定基板被分为能够剥离的部分和无法剥离的部分，从而硅晶片有时发生开裂。
[0010]本专利技术的专利技术人还尝试了：通过提高激光的能量而在预固定基板的整面上促进剥离。然而，若提高激光的能量，则有时对硅晶片上的电子元件造成损伤。
[0011]本专利技术的课题在于：在将电子元件预固定于预固定基板，从预固定基板侧照射激光而使预固定基板剥离时，改善剥离的成品率。
[0012]本专利技术涉及一种预固定基板，其具备：固定面，该固定面供电子元件粘接并预固定；以及照射面，该照射面处于所述固定面的相反侧，
[0013]所述预固定基板的特征在于，
[0014]所述预固定基板具有外周部和内周部，所述内周部的全光线透过率低于所述外周部的全光线透过率，且为60％以上。
[0015]另外，本专利技术涉及一种复合基板，其特征在于，具备：所述预固定基板；以及电子元件，该电子元件粘接于所述预固定基板的所述固定面。
[0016]另外，本专利技术涉及一种电子元件的剥离方法，其特征在于，从所述预固定基板的所述照射面侧向所述复合基板照射激光，由此使所述预固定基板自所述电子元件剥离。
[0017]专利技术效果
[0018]本专利技术的专利技术人研究了：在预固定基板上粘接半导体基板等后，从预固定基板侧照射激光而使预固定基板剥离时，在半导体基板等发生开裂的原因。结果认为：半导体基板等的开裂位置不固定，在激光照射时，应力集中地施加于不易剥离的部分，构成开裂的原因。
[0019]因此，本专利技术的专利技术人尝试了：使预固定基板的内周部的全光线透过率低于外周部的全光线透过率，由此，在从预固定基板侧照射激光时，外周部与内周部相比，容易先剥离。结果，剥离从外周部朝向内周部在径向上推进，从而预固定基板的粘接部分残留在内周，最后发生剥离。结果，通过实验确认到：直至剥离结束，在预固定基板的整面上均不易发生开裂，实现了本专利技术。
附图说明
[0020]图1中，(a)表示在预固定基板2(2A)的固定面2a设置有粘接剂3的状态，(b)表示在预固定基板2(2A)的固定面2a粘接有半导体基板7的状态。
[0021]图2中，(a)表示从预固定基板2(2A)侧向复合基板照射激光A的状态，(b)表示将半导体基板7自预固定基板2(2A)分离的状态。
[0022]图3中，(a)表示在预固定基板2(2A)的固定面2a设置有粘接剂3的状态，(b)表示在预固定基板2(2A)的固定面2a粘接有电子元件4的状态。
[0023]图4中，(a)表示从预固定基板2(2A)侧向复合基板12A照射激光A的状态，(b)表示将电子元件4及树脂模自预固定基板2(2A)分离的状态。
[0024]图5是表示预固定基板2的俯视图。
[0025]图6是表示预固定基板2A的俯视图。
具体实施方式
[0026]以下，对将电子元件预固定在预固定基板上、之后使其剥离的工艺进行说明。首先，如图1(a)所示，在预固定基板2(2A)的固定面2a上设置粘接剂层3。2b为激光的照射面。
[0027]接下来，如图1(b)所示，在预固定基板2(2A)上设置半导体基板7，使粘接剂层3固化而形成粘接层3A，得到复合基板12。该固化工序根据粘接剂的性质来进行，可例示：加热、紫外线照射。
[0028]接下来，如图2(a)所示，从预固定基板2(2A)的照射面2b侧，像箭头A那样向复合基板12照射激光，如图2(b)所示，将半导体基板7自预固定基板2(2A)分离。
[0029]图3、图4涉及其他实施方式。
[0030]如图3(a)所示，在预固定基板2(2A)的固定面2a上设置粘接剂层3。接下来，如图3(b)所示，在预固定基板2(2A)的固定面上固定多个电子元件4，使粘接剂层3固化而形成粘接层3A。接下来，如图4(a)所示，利用树脂模6将电子元件4被覆，并使树脂模渗透到相邻的电子元件4间的间隙5。据此，将电子元件4及树脂模6固定在预固定基板2(2A)上，得到复合基板12A。6a为将电子元件被覆的被覆层，6b为将间隙5填充的填充部。
[0031]接下来，如图4(a)所示，从预固定基板2(2A)的照射面2b侧，像箭头A那样，向复合基板12A照射激光，如图4(b)所示，将树脂模6及电子元件4自预固定基板2(2A)分离。
[0032]此处，本专利技术中，预固定基板具有外周部和内周部，外周部的全光线透过率高于内周部的全光线透过率。
[0033]例如，对于图5所示的预固定基板2，固定面2a为大致圆形，且具有环状的外周部9、内周部10以及外周部9与内周部10之间的环状的中间部11。另外，对于图6所示的预固定基板2A，固定面2a为长方形。并且，预固定基板2A具有：长方形的内周部10、沿着预固定基板2A的缘部环绕一周的外周部9以及内周部10与外周部9之间的中间部11。
[0034]此处，使外周部9的全光线透过率高于内周部10的全光线透过率。据此，如图2(a)、图4(a)所示向预固定基板2(2A)的照射面照射激光A时，外周部的全光线透过率较高，因此，电子元件自预固定基板的剥离容易进行，在内周部，剥离的进展减慢。结果，像箭头B那样，从沿着预固定基板的固定面的边缘环绕一周的外周部9朝向内周部10进行剥离(图5、图6)。结果判明：在固定面的周向上观察时，剥离状态容易变得均等，不易发生局部的应力集中，从而剥离时不易发生电子元件破损。
[0035]本专利技术中，预固定基板的固定面的形状没有特别限定，可以为像圆形、椭圆形那样的弯曲形状，或者可以为三角形、四边形、六边形等多边形。
[0036]外周部表示：沿着预固定基板的固定面的外侧轮廓而将固定面环绕一周的区域。另外，内周部表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种预固定基板，其具备：固定面，该固定面供电子元件粘接并预固定；以及照射面，该照射面处于所述固定面的相反侧，所述预固定基板的特征在于，所述预固定基板具有外周部和内周部，所述内周部的全光线透过率低于所述外周部的全光线透过率，且为60％以上。2.根据权利要求1所述的预固定基板，其特征在于，所述预固定基板由玻璃、硅或陶瓷形成。3.根据权利要求2所述的预固定基板，其特征在于，所述预固定基板由透光性氧化铝形成。4.一种复合基板，其特征在于，具备：权利要求1～3中的任一项所述的预固...

【专利技术属性】
技术研发人员：野村胜，宫泽杉夫，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：