清洗剂组合物以及清洗方法技术

本发明专利技术提供一种清洗剂组合物，其用于去除残留于基体上的聚硅氧烷系粘接剂，所述清洗剂组合物包含氟化四(烃)铵和有机溶剂，上述有机溶剂包含式(1)所示的芳香族化合物和式(2)所示的内酰胺化合物。(式中，s表示取代至苯环上的取代基R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】清洗剂组合物以及清洗方法


[0001]本专利技术涉及一种清洗剂组合物以及清洗方法，所述清洗剂组合物例如用于去除将粘接层的临时粘接剥离后的粘接剂残留物，该粘接层是形成于半导体基板上的使用聚硅氧烷系粘接剂得到的粘接层。

技术介绍

[0002]就以往在二维的平面方向上集成的半导体晶片而言，以更进一步的集成化为目的，追求将平面进一步向三维方向集成(层叠)的半导体集成技术。该三维层叠是通过硅贯通电极(TSV：through silicon via)一边接线一边集成为多层的技术。在集成为多层时，利用研磨使所集成的各个晶片的与所形成的电路面相反一侧(即背面)薄化，层叠经薄化的半导体晶片。
[0003]薄化前的半导体晶片(在此也简称为晶片)为了利用研磨装置进行研磨而粘接于支承体。此时的粘接必须在研磨后容易剥离，因此称为临时粘接。该临时粘接必须容易从支承体上拆卸，当对拆卸施加较大的力时，有时经薄化的半导体晶片被切断或变形，以防止这样的情况发生的方式容易拆卸。但是，在半导体晶片的背面研磨时，支承体因研磨应力而脱离或偏移，这是不优选的。因此，对于临时粘接所追本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种清洗剂组合物，其特征在于，所述清洗剂组合物用于去除残留于基体上的聚硅氧烷系粘接剂，所述清洗剂组合物包含氟化四(烃)铵和有机溶剂，所述有机溶剂包含式(1)所示的芳香族化合物和式(2)所示的内酰胺化合物，式中，s表示取代至苯环上的取代基R
100
的数量，为2或3，s个R
100
相互独立地表示碳原子数1～6的烷基，s个碳原子数1～6的烷基的合计碳原子数为3以上，R
101
表示碳原子数1～6的烷基，R
102
表示碳原子数1～6的亚烷基。2.根据权利要求1所述的清洗剂组合物，其中，所述内酰胺化合物包含选自N－甲基－2－吡咯烷酮和N－乙基－2－吡咯烷酮中的至少一种。3.根据权利要求1或2所述的清洗剂组合物，其中，所述芳香族化合物包含选自1，2，3－三甲基苯、1，2，4－三甲基苯、1，2，5－三甲基苯、1，3，5－三甲基苯、4－乙基甲苯、4－正丙基甲苯、4－异丙基甲苯、4－正丁基甲苯、4－仲丁基甲苯、4－异丁基甲苯以及4－叔丁基甲苯中的至少一种。4.根据权利要求1～3中任一项所述的清洗剂组合物，其中，所述氟化四(烃)铵包含选自四甲基氟化铵、四乙基氟化铵、四丙基氟化铵以及四丁基氟化铵中的至少一种。5.根据权利要求1～4中任一项所述的清洗剂组合物，其中，所述芳香族化合物与所述内酰胺化合物之比以质量比计为所述芳香族化合物：所述内酰胺化合物＝30：70～80：20。6.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：荻野浩司，新城彻也，柄泽凉，奥野贵久，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：