一种薄膜晶体管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种薄膜晶体管，包括层叠设置的衬底基板及有源层，所述有源层包括沟道区及设于沟道区两侧与所述沟道区连接的导体化区，所述沟道区设有将沟道区分隔成多个沟道的导体层。本实用新型专利技术的有源层通过导体层将沟道区分隔成多个沟道，从而使有源层的有效沟道长度减小，当沟道的宽度一定时，可提高驱动电路薄膜晶体管的输出电流，从而满足用户的需求。此外，本实用新型专利技术的有源层结构可提高多种不同结构的薄膜晶体管的输出电流，具有一定的普适性。普适性。普适性。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管


[0001]本技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管。

技术介绍

[0002]薄膜晶体管(Thin
‑
Film Transistor，TFT)是目前液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix Organic Light
‑
Emitting Diode，AMOLED)中的主要开关元件，薄膜晶体管直接关系到平板显示装置的性能。
[0003]根据TFT有源层半导体材料的不同，薄膜晶体管可分为非晶硅薄膜晶体管(a
‑
Si:H TFT)、多晶硅薄膜晶体管(P
‑
Si TFT)、有机薄膜晶体管及金属氧化物薄膜晶体管。其中，金属氧化物由于较高的迁移率和透光性，成为现阶段显示器件的主流沟道材料。然而，现有的氧化物薄膜晶体管器件的输出电流具有局限性，且受沟道尺寸的影响，导致TFT面板很难具有很高的驱动电流。对于同一TFT器件，其有效沟道长度决定了器件的输出电流大小，有效沟道长度越小，器件的导通电流将会越大。但器件的有效沟道长度缩短也有局限性，这跟源漏极与有源层接触需要导体化的工艺过程有关，当沟道过短，导体化有可能使有源层导通，器件失效。因此，如何提高氧化物薄膜晶体管的输出电流就成为一种客观需求。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种触控面板，解决现有技术中金属氧化物薄膜晶体管输出电流小缺陷。
[0005]为实现以上目的，本技术提供一种薄膜晶体管，包括层叠设置的衬底基板及有源层，所述有源层包括沟道区及设于沟道区两侧与所述沟道区连接的导体化区，所述沟道区设有将沟道区分隔成多个沟道的导体层。
[0006]可选的，多个所述沟道沿所述沟道区的长度方向依次间隔排列。
[0007]进一步地，所述导体层的导电率高于所述沟道的导电率。
[0008]进一步地，所述导体层包括沿沟道区厚度方向延伸的多个导体，相邻的所述导体之间通过相应的沟道隔开。
[0009]进一步地，任意所述导体的宽度大于相邻的所述沟道的宽度。
[0010]可选的，还包括栅绝缘层及栅极，所述栅绝缘层设于有源层远离衬底基板一侧的表面上，所述栅极设于栅绝缘层远离有源层一侧的表面上，所述栅极与所述沟道区相对应。
[0011]可选的，还包括栅绝缘层及栅极，所述栅绝缘层设于有源层靠近衬底基板一侧的表面上，所述栅极设于栅绝缘层靠近所述衬底基板一侧的表面上，且所述沟道区与所述栅极相对应。
[0012]进一步地，还包括源极及漏极，所述源极及漏极设于所述有源层远离所述衬底基板一侧，且所述源极及漏极分别与所述沟道区两侧的导体化区连接。
[0013]进一步地，所述有源层与所述衬底基板之间设有阻障层及遮光层，所述遮光层与
所述沟道区相对应，所述阻障层设于所述有源层靠近衬底基板的一侧，所述遮光层设于所述阻障层靠近所述衬底基板的一侧。
[0014]进一步地，所述有源层远离栅绝缘层一侧的表面上设有刻蚀阻挡层。
[0015]本技术的有益效果：
[0016]本技术的有源层通过导体层将沟道区分隔成多个沟道，从而使有源层的有效沟道长度减小，当沟道的宽度一定时，可提高驱动电路薄膜晶体管的输出电流，从而满足用户的需求。此外，本技术的有源层结构可提高多种不同结构的薄膜晶体管的输出电流，具有一定的普适性。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对本技术范围的限定。
[0018]图1为本技术实施例1的薄膜晶体管的结构示意图；
[0019]图2为本技术的薄膜晶体管沟道区的结构示意图；
[0020]图3为本技术的薄膜晶体管有源层的结构示意图；
[0021]图4为本技术实施例2的薄膜晶体管的结构示意图；
[0022]图5为本技术实施例3的薄膜晶体管的结构示意图。
[0023]主要元件符号说明：
[0024]10
‑
衬底基板；20
‑
有源层；21
‑
沟道区；211
‑
沟道；22
‑
导体化区；30
‑
导体层；31
‑
导体；40
‑
栅极；50
‑
栅绝缘层；60
‑
源极；70
‑
漏极；80
‑
阻障层；90
‑
遮光层；100
‑
缓冲层；110
‑
层间介电层；120
‑
刻蚀阻挡层。
具体实施方式
[0025]下面将结合本技术实施例中附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0026]通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0027]在下文中，可在本技术的各种实施例中使用的术语“包括”、“具有”及其同源词仅意在表示特定特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合，并且不应被理解为首先排除一个或更多个其它特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的存在或增加一个或更多个特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的可能性。
[0028]在本技术的各种实施例中，表述“A或/和B”包括同时列出的文字的任何组合或所有组合，可包括A、可包括B或可包括A和B二者。
[0029]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、
“
后”、“左”、“右”、“竖直”、“横向”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0030]在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括层叠设置的衬底基板及有源层，所述有源层包括沟道区及设于沟道区两侧与所述沟道区连接的导体化区，所述沟道区设有将沟道区分隔成多个沟道的导体层。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，多个所述沟道沿所述沟道区的长度方向依次间隔排列。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导体层的导电率高于所述沟道的导电率。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导体层包括沿沟道区厚度方向延伸的多个导体，相邻的所述导体之间通过相应的沟道隔开。5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，任意所述导体的宽度大于相邻的所述沟道的宽度。6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括栅绝缘层及栅极，所述栅绝缘层设于有源层远离衬底基板一侧的表面上，所述栅极设于栅绝缘层远离有源层一侧的表...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡斯茸，晏国文，
申请(专利权)人：深圳市柔宇科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：