一种钕掺杂的氧化锆薄膜晶体管及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种钕掺杂的氧化锆薄膜晶体管，包括衬底、覆盖在衬底上的锆钕氧化物介电薄膜层和覆盖在介电薄膜层上的氧化铟半导体层以及金属源漏电极，所述介电层的厚度为10～100nm，锆钕氧化物介电薄膜中Zr与Nd的摩尔比为100

【技术实现步骤摘要】
一种钕掺杂的氧化锆薄膜晶体管及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及薄膜晶体管
，具体涉及一种钕掺杂的氧化锆薄膜晶体管及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]薄膜晶体管(TFT)是微电子特别是显示工程领域的核心技术之一。不论在目前先进显示市场中占绝对主导优势的有源矩阵液晶显示器(AMLCD)，还是代表未来柔性显示趋势的AMOLED(有源矩阵有机发光二极管显示器)，TFT器件均在其中的像素驱动单元中占据关键位置。此外，TFT器件还在生物传感、紫外探照等方面得到广泛研究与应用。因此，研制和发展TFT器件具有重要的意义，而介电层作为TFT的重要部分，对晶体管性能，如开启电压、半导体生长形貌等有重要影响。
[0003]目前晶体管普遍以SiO2为介电层，但SiO2的介电常数(K＝3.9)较低，使晶体管的工作电压较大。同时，为满足社会对器件小型化的需求，TFT中的SiO2介电层物理厚度越来越薄，出现了器件漏电迅速增大、器件功耗增加的问题。若TFT采用高K介电材料作为介电层，则可在相同的物理厚度下提供更大的电容，可降低漏电流以及工作电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钕掺杂的氧化锆薄膜晶体管，包括衬底、覆盖在衬底上的锆钕氧化物介电薄膜层和覆盖在介电薄膜层上的氧化铟半导体层以及金属源漏电极，其特征在于，所述介电层的厚度为10～100nm，锆钕氧化物介电薄膜中Zr与Nd的摩尔比为100
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x:x，其中，x＝0～10；半导体薄膜层的厚度为1～50nm，金属源漏电极的厚度为10～50nm。2.根据权利要求1所述钕掺杂的氧化锆薄膜晶体管，其特征在于，x为7.5。3.一种权利要求1所述钕掺杂的氧化锆薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、介电薄膜的制备：将乙酰丙酮锆和乙酰丙酮钕溶于有机溶剂中，将依次进行通氧、密封、水浴搅拌加热处理得到的锆钕氧化物前驱体溶液涂覆在衬底上后进行热处理，制得锆钕氧化物介电薄膜；S2、有源层的制备：将硝酸铟溶于有机溶剂中，将依次进行密封、水浴搅拌加热处理得到的氧化铟前驱体溶液涂覆在介电层上后进行热处理，制得氧化铟薄膜；S3、源漏电极的制备：采用热蒸发法在氧化铟有源层上沉积铜电极。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤S...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆旭兵，李长灏，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：