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本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种钕掺杂的氧化锆薄膜晶体管，包括衬底、覆盖在衬底上的锆钕氧化物介电薄膜层和覆盖在介电薄膜层上的氧化铟半导体层以及金属源漏电极，所述介电层的厚度为10～100nm，锆钕氧化物介电薄膜中Zr与Nd的摩尔比...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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